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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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目前市場運(yùn)放種類繁多,面對(duì)不同的使用條件和環(huán)境,是否都能選擇一樣的運(yùn)放呢?沒關(guān)系,這是很多電子工程師都會(huì)困惑的問題,接下來為你揭開運(yùn)放選型的神秘面紗
2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管運(yùn)算放大器 5620 0
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...
今天和大家分享一下MOSFET的設(shè)計(jì)參數(shù),MOSFET在電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用非常廣泛,尤其是模擬電路中,各種電源變換,電機(jī)控制中都會(huì)看到MOSFET的身影,而...
電動(dòng)汽車(EV)市場的發(fā)展相當(dāng)迅猛,但是汽車電池的充電速度與所需耗費(fèi)的時(shí)間,仍是電動(dòng)汽車發(fā)展的主要阻礙,如何提升汽車電池的充電速度與效率,將會(huì)是電動(dòng)汽車...
2023-09-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET充電器 1512 0
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...
開關(guān)電源是一種常見的電源類型,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在開關(guān)電源中,電容器是一種非常重要的元件,它們可以提供穩(wěn)定的電壓輸出和濾波功能。其中,Y電容是一...
2023-09-12 標(biāo)簽:電容器MOSFET開關(guān)電源 6812 0
什么是續(xù)流二極管,bldc中續(xù)流二極管的應(yīng)用原理
在無刷直流電機(jī)(BLDC)中,續(xù)流二極管(Freewheeling Diode)通常用于提供一條繞過開關(guān)管(MOSFET)的低阻抗路徑,以允許電流繼續(xù)...
電源模塊是一種基礎(chǔ)電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 它的作用是將輸入的電能按照要求轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電能,以供電子設(shè)備的各種電路使用。電源模塊的工作原...
電動(dòng)汽車OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)渲校绕涫禽p負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn),令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率半導(dǎo)體 2085 0
電源技術(shù)的不斷發(fā)展創(chuàng)新,使電源管理ic在手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)硬盤等便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。
相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
這是CPU的截面視圖,可以清晰的看到層狀的CPU結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)部采用的是層級(jí)排列方式,這個(gè)CPU大概是有10層。其中最下層為器件層,即是MOSFET晶體管。
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
如何采用碳化硅設(shè)計(jì)高效可再生能源系統(tǒng)呢?
太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化,以提高其韌性,滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。
一個(gè)好的 MOSFET 正向測量時(shí)內(nèi)部二極管應(yīng)該有 0.4V 至 0.9V 的壓降(取決于MOSFET類型),如果壓降為零,則 MOSFET 有缺陷,當(dāng)...
開關(guān)電源中功率開關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的瞬變電壓和瞬變電流是形成電磁干擾的根本源頭。
2023-09-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電磁干擾 1786 0
iPhone15系列手機(jī)下周就要推出與大家見面了。雖然遭到了很多人吐槽沒有創(chuàng)新,只是序列號(hào)的變化,但只有在實(shí)際使用和評(píng)估之后,我們才能做出更準(zhǔn)確的判斷和評(píng)價(jià)。
淺談SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
米勒平臺(tái)產(chǎn)生的原因,是在MOSFET開通過程中,當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí),門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電,不給柵-源電容Cgc充電,從而V...
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