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      標簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5691個 瀏覽：220223次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

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      2023-08-11 標簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換器DC-DC 2.0萬 0

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      2023-08-10 標簽：二極管MOSFET逆變器 2301 0

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      2023-08-10 標簽：MOSFET電路設(shè)計NMOS 1.2萬 0

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      非常簡單但高度復(fù)雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設(shè)計的部件數(shù)量極其經(jīng)濟，而且高效且準確。

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      MOSFET的漏極導通特性是指在特定的電壓和電流條件下，MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。

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      IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

      2023-08-08 標簽：MOSFET驅(qū)動電路SiC 1594 0

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      2023-08-07 標簽：MOSFET開關(guān)器件調(diào)光技術(shù) 3.9萬 0

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      當MOSFET關(guān)斷時，如圖2b所示，原邊電路中的功率被切斷，原邊繞組上的電壓將反轉(zhuǎn)，直到點端被D3鉗位返回，非點端被D4鉗位到VIN。因此，每個 MOS...

      2023-08-07 標簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓 1182 0

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      這是一款8Ω負載下的12W小型功率放大器，將NE5534集成技術(shù)與晶體管作為V-MOSFET輸出級相結(jié)合，獲得出色的音質(zhì)。輸入靈敏度最大為 3V rms...

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      MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析

      　MOSFET，也稱為金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）...

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      在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

      2023-08-03 標簽：MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 1936 0

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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
      • STM32單片機
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        ESP8266
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        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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