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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻?它應(yīng)該是什么價(jià)值?它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后?事實(shí)上,有許多電路是在沒(méi)有柵極電阻的情況下工作的,但添加一個(gè)可以防...
新能源汽車電氣架構(gòu)與電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著整車電氣負(fù)載的增加、 電氣架構(gòu)的發(fā)展、 新型能源的涌現(xiàn), 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)也隨之變革和優(yōu)化, 從開(kāi)始的保障電網(wǎng)用電平衡、 用電安全, 逐步發(fā)展到電網(wǎng)的智...
5G射頻PA的Load-line與Load-pull背后的知識(shí)
說(shuō)到射頻PA(Power Amplifier,功率放大器)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,有兩個(gè)名詞經(jīng)常被大家提及:Load-line與Load-pull。
耗盡型MOSFET的符號(hào)/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場(chǎng)景
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...
2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬(wàn) 0
場(chǎng)控晶閘管(MCT)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
隨著大規(guī)模復(fù)雜集成電路的不斷發(fā)展,噪聲對(duì)于集成電路性能的潛在危害越來(lái)越大。
2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)跨導(dǎo)放大器 1089 0
異步電路與同步電路的區(qū)別,異步和同步拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
如果高M(jìn)OSFET與低MOSFET同步,我們可以在一些應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)它們被稱為直接開(kāi)關(guān)管,即高端和低側(cè)MOSFET。
功率場(chǎng)效應(yīng)管有哪些類型?功率場(chǎng)效應(yīng)管的選擇標(biāo)準(zhǔn)
功率MOSFET的類型:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí),有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對(duì)于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零,功率MOSF...
功率場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能
MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在...
2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET功率場(chǎng)效應(yīng)管 2381 0
如何通過(guò)門極電阻來(lái)調(diào)整IGBT開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性呢?
IGBT的開(kāi)關(guān)特性是通過(guò)對(duì)門極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開(kāi)通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸,因此并網(wǎng)前必須將直...
關(guān)于驅(qū)動(dòng)器/IC的峰值拉電流和灌電流能力
在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,經(jīng)常用到驅(qū)動(dòng)器(包括隔離驅(qū)動(dòng)器、有時(shí)這也稱專用驅(qū)動(dòng)IC)。而衡量其驅(qū)動(dòng)能力,說(shuō)白了就, 能帶多大的管子的能力,體現(xiàn)在規(guī)格書中的一些參數(shù)中。
有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出特性,如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流?
本文會(huì)著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出級(jí)特性,以及如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流。
英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列
采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說(shuō)...
不論是在工作中,還是日常生活中,每天必做的一件事兒就是給各種數(shù)碼設(shè)備充電
森國(guó)科碳化硅MOS第三代功率半導(dǎo)體 新能源汽車系統(tǒng)架構(gòu)中涉及到功率半導(dǎo)體應(yīng)用的組件包括:電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)(OBC)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(車載?DC/...
運(yùn)算放大器的分類及特點(diǎn),運(yùn)算放大器的分類及特點(diǎn)
經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,模擬運(yùn)算放大器技術(shù)已經(jīng)非常成熟,性能完美,種類繁多。這使得初學(xué)者不知道如何選擇合適的。為了方便初學(xué)者選擇,本文采用過(guò)程分類和功能/性能分...
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器 4751 0
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