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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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FeRAM,全稱Ferroelectric RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM(同步動(dòng)態(tài)...
從MRAM的演進(jìn)看存內(nèi)計(jì)算的發(fā)展
我國的存內(nèi)計(jì)算產(chǎn)業(yè)也開始迅猛發(fā)展,知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、蘋芯科技等國內(nèi)專注存內(nèi)計(jì)算賽道的新興公司紛紛獲得融資,加速在該領(lǐng)域的早期市場(chǎng)布局...
探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究
本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先,介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù),包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...
2024-05-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 3895 0
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
MRAM(磁性只讀存儲(chǔ)器)和FRAM(鐵電RAM)有何區(qū)別
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 標(biāo)簽:電容器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1761 0
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)——工藝簡(jiǎn)單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA?!癕RAM需要10層以上的...
MRAM會(huì)取代DDR嗎?簡(jiǎn)單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展歷程簡(jiǎn)述
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長(zhǎng)而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存...
2023-09-22 標(biāo)簽:PCM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 4388 0
如何選擇存儲(chǔ)器類型 存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)
閃存存算方面,目前主要路線是基于NOR flash(不是目前優(yōu)盤所用的閃存類型),多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小,這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOP...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲(chǔ)器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 8843 0
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRA...
新型存儲(chǔ)MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲(chǔ)器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來說,具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級(jí)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
新興的存儲(chǔ)器涵蓋了廣泛的技術(shù),但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM,PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問世了,但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片...
與其他標(biāo)準(zhǔn)主流存儲(chǔ)器不同,Everspin的MRAM可在惡劣環(huán)境下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)完整性和可靠性,并在斷電且無需電池的情況下即時(shí)保存事件。
MRAM是使用單個(gè)一體化的機(jī)臺(tái)進(jìn)行物理氣相沉積(PVD),可以精確地沉積20至30個(gè)不同的金屬和絕緣層,每個(gè)金屬層和絕緣層的厚度通常在0.2至5.0nm之間。
STT-MRAM非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)及其應(yīng)用有哪些
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性,但在宏觀尺度上卻沒有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個(gè)弊端
隨著工藝減小,熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲(chǔ)壽命取決于熱穩(wěn)定性勢(shì)壘和磁各向異性場(chǎng),面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長(zhǎng)寬比。
2022-11-17 標(biāo)簽:MRAM 2199 0
Everspin展示了28nm單機(jī)1Gb STT-MRAM芯片
everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)...
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