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標簽 > NAND芯片
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TBW的概念及寫入放大系數(shù) 如何降低寫入放大對存儲器的影響
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預言,芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會增加一倍。由于圖案微型化技術的發(fā)展,這一預測被稱為摩爾定律,直到最近才得以實現(xiàn)。
T-BOX硬件方案解析:STM32與SD NAND芯片的高效協(xié)同
在智能網聯(lián)汽車快速發(fā)展的當下,車載T-BOX(Telematics Box)作為車輛與云端互聯(lián)的核心樞紐,其性能和可靠性直接決定了用戶體驗的上限。米客方...
SK海力士量產業(yè)界首款128層4D NAND芯片 同時繼續(xù)推出各種解決方案
SK海力士近日正式宣布,已成功開發(fā)并開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前,該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2024年DRAM、NAND Flash合約價將如何演繹呢?
存儲作為半導體領域最大的一個細分之一,一直以來,它是行情晴雨表。2024年電子存儲行情如何呢?
空氣產品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應工業(yè)氣體
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道,工業(yè)氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的...
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品,可用于各種廣泛的數(shù)字消費產品
新產品符合最新的e.MMCTM標準,適用于各種廣泛的數(shù)字消費產品,包括智能手機、平板電腦和可穿戴設備。
臺灣金士頓董事長陳建華日前出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM市場提出最新分析。他強調,目前主要DRAM大廠都沒有增產計劃,而且將產能轉移生產3D ...
三星宣布量產第九代V-NAND 1Tb TLC產品,采用290層雙重堆疊技術
作為九代V-NAND的核心技術,雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層,主要應用于大型企業(yè)服務器及人工智能與云計算領域。據了解,三星計劃...
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