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標簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機構(gòu)的廣泛認可。長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能...
訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
沁恒 CH32V208 開發(fā)板免費試用+ U盤/ SD NAND讀寫與多功能數(shù)碼相框
CH32V208繼承了沁恆產(chǎn)品一貫的傳統(tǒng),即U盤的讀寫功能。這使得盡管CH32V208的閃存要比CH32V307的小一倍,但有了U盤讀寫功能的支持就可有...
三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標。
Kim Jae-jun補充道:“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位,以確保其中長期競爭力?!比请娮迂撠?zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計劃...
2023年半導(dǎo)體材料市場將下降9.4%至465億美元
按工序劃分,前端材料市場預(yù)計將同比下降11.9%,為334億美元。而對EUV光掩模和光刻膠的需求正在增加。由于晶體管結(jié)構(gòu)的變化,以及由于3D NAND的...
2023-11-03 標簽:NAND半導(dǎo)體材料EUV 1301 0
值得注意的是,信達證券此前援引行業(yè)消息稱,近日三星向客戶公布Q4官價,MobileDRAM合約價環(huán)比漲幅預(yù)估將擴大至11%-25%;NAND Flash...
根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價,移動DRAM合約價環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等...
商務(wù)部部長會見美光CEO:歡迎繼續(xù)扎根中國市場
目前,美光公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠,在上海運營尖端ssd和移動nand產(chǎn)品的設(shè)計中心。美光公司還在中國經(jīng)營著三家客戶研究所
三星NAND擬進一步漲價,明年一、二季度將逐季調(diào)漲20%
這是國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉,三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定n...
在此之前,三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施,三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計劃后延長了減產(chǎn)計劃。
三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設(shè)備
據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴大到236段(v8)。三星決定從明...
阿里平頭哥發(fā)布首顆SSD主控芯片:鎮(zhèn)岳510
鎮(zhèn)岳510芯片使用pcie 5.0x4接口、nvme1.4b規(guī)格、zns接口協(xié)議、16個高速nand通道,支持大容量、高帶寬。支持1xxl/2xxl t...
盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片
盤點芯邦科技存儲主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片 存儲主控芯片是一種集成電路芯片,用于控制和管理存儲設(shè)備。它負責(zé)管理多個存儲單元 (如內(nèi)存、...
三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計,由于DDR5需...
FAT32文件系統(tǒng)詳細分析 (格式化SD nand/SD卡)
文章目錄FAT32文件系統(tǒng)詳細分析(續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解)1.前言2.格式化SDnand/SD卡3.FAT32文件系統(tǒng)分析3.1保留區(qū)分析3.1.1BP...
消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級,正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND
10 月 16 日消息,上周一,三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免,其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設(shè)備。 對于三星來說這無...
據(jù)報告顯示,NAND Flash的第四季度合約價全面上漲,漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報告中預(yù)計,...
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