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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

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      NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1539個(gè) 瀏覽：137952次 帖子：345個(gè)

      nand資訊

      3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

      3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

      芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿(mǎn)足對(duì)各種類(lèi)型內(nèi)存...

      2024-12-19 標(biāo)簽：NAND3D堆疊 728 0

      關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

      前言 作為一名電子專(zhuān)業(yè)的學(xué)生，半導(dǎo)體存儲(chǔ)顯然是繞不過(guò)去的一個(gè)坎，今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識(shí)。 這里十分感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主...

      2024-12-17 標(biāo)簽：芯片Nand存儲(chǔ) 723 0

      鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn)，或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)

      存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布，計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并有望促使價(jià)格止跌回升。

      2024-12-03 標(biāo)簽：NANDFlaSh鎧俠 783 0

      三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

      近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存...

      2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND光刻膠 614 0

      江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億

      江波龍?jiān)诖鎯?chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得了顯著成果，自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計(jì)能力，專(zhuān)注于SLC NAND Fla...

      2024-11-20 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)芯片slc 785 0

      MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

      近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言，三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷(xiāo)售...

      2024-11-20 標(biāo)簽：閃存NANDMLC 1066 0

      美光科技推出新款存儲(chǔ)解決方案

      美光科技推出新款存儲(chǔ)解決方案

      隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿(mǎn)足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——美光955...

      2024-11-18 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心 584 0

      SD NAND工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的新選擇

      據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長(zhǎng)表明，全球NAND...

      2024-11-17 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲(chǔ) 547 0

      Solidigm發(fā)布全球最大容量QLC eSSD

      全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Solidigm，近日宣布了一項(xiàng)重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤(pán)（SSD），即122TB的So...

      2024-11-14 標(biāo)簽：NANDPCIe固態(tài)硬盤(pán) 871 0

      鎧俠預(yù)測(cè)2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

      存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項(xiàng)令人矚目的預(yù)測(cè)，稱(chēng)在人工智能需求的強(qiáng)勁推動(dòng)下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測(cè)不僅展...

      2024-11-12 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)芯片鎧俠 665 0

      三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線(xiàn)

      三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)重大舉措，計(jì)劃出售位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線(xiàn)。這一決定標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計(jì)將對(duì)全球半導(dǎo)體市...

      2024-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星電子 1075 0

      鎧俠投資360億日元研發(fā)CXL省電存儲(chǔ)器

      近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布，將在未來(lái)三年內(nèi)投資360億日元，用于研發(fā)AI用CXL(Compute Express Link)省電存儲(chǔ)器。...

      2024-11-12 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 767 0

      鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標(biāo)2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

      近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃。據(jù)日媒報(bào)道，該公司將在未來(lái)三年內(nèi)投資360億日元（約合人民幣16.75億元），用于研發(fā)面向...

      2024-11-11 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存鎧俠 656 0

      TOSHIBA 74VHC00FT COMS 汽車(chē)、工業(yè)企業(yè)的選擇

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      74VHC00FT 是一種四路雙輸入 NAND 門(mén)，屬于 CMOS 系列數(shù)字集成電路。它采用東芝先進(jìn)的硅柵 C2MOS 技術(shù)設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)類(lèi)似于雙極性肖...

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      近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。

      2024-10-30 標(biāo)簽：NAND三星電子鎧俠 627 0

      存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價(jià)格承壓

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      2024-10-28 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ) 2719 0

      機(jī)構(gòu):SSD價(jià)格有望在年底前因產(chǎn)量增需求減而下降10%

      根據(jù)TrendForce的最新研究報(bào)告，2024年第四季度，客戶(hù)端固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑5%至10%。這一預(yù)測(cè)基于產(chǎn)量增長(zhǎng)與需求縮減的雙重因...

      2024-10-18 標(biāo)簽：NANDSSD固態(tài)硬盤(pán) 948 0

      NAND FLASH晶圓和主控的SDIO工作接口原理

      今天和大家一起學(xué)習(xí)NAND Flash與主控HOST之間的SDIO接口工作原理、接口優(yōu)勢(shì)以及主控的作用，這是構(gòu)建高效、可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心要素。以下是...

      2024-10-11 標(biāo)簽：NANDFlaSh接口 956 0

      DRAM與NAND閃存價(jià)格大幅下跌

      近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，...

      2024-10-09 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 860 0

      鎧俠擱置10月IPO計(jì)劃

      日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布，已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開(kāi)募股（IPO）計(jì)劃暫時(shí)擱置。這一決定背后，是鎧俠在競(jìng)爭(zhēng)激烈的...

      2024-09-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)芯片鎧俠 612 0

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        云儲(chǔ)存
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        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
      • 富士通
        富士通
        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
      • 3d nand
        3d nand
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        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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        江波龍
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        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        合肥長(zhǎng)鑫
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        nvme
        +關(guān)注
        NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
      • 福建晉華
        福建晉華
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      • 東芝公司
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      • SRAM存儲(chǔ)器
        SRAM存儲(chǔ)器
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        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
      • SQL Server
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      • 手機(jī)內(nèi)存
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        嵌入式閃存
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        快閃存儲(chǔ)器
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        nosql
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        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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        USB 3.0接口
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      • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
        長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
        +關(guān)注
        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
      • Ceph
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      jf_56846646 jf_50670404 jf_14515928 頭上長(zhǎng)草的小明 1144629315 T_RootCaus xiaoyaoxiaofei jf_04160080 Syme Saneatsu DellLiR 默自欺諾

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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