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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)正加速轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備
面對(duì)國(guó)際環(huán)境的變化,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的韌性與決心。自2022年美國(guó)實(shí)施對(duì)華先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口限制,并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)...
2024-09-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1204 0
H2 testw檢測(cè)工具是一款能夠?yàn)橛脩魝兲峁┤娴腢盤讀寫性能的U盤工具,H2testwU盤檢測(cè)工具能夠準(zhǔn)確的檢測(cè)出U盤的參數(shù)信息,提高用戶的使用效率...
2024-09-23 標(biāo)簽:NAND測(cè)試工具轉(zhuǎn)接板 690 0
三星調(diào)整晶圓代工策略,聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建,轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略...
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在...
2024-09-12 標(biāo)簽:NAND三星電子存儲(chǔ)技術(shù) 832 0
2024年第二季度,全球NAND閃存市場(chǎng)迎來價(jià)格顯著上漲的行情,平均售價(jià)攀升了15%,反映出市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢(shì)。然而,與此同時(shí),NAND...
在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國(guó)際電子展上,江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相,首次提出了PTM(存儲(chǔ)產(chǎn)品技術(shù)制造)這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了...
三星電子近日宣布,其位于韓國(guó)平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計(jì)劃將發(fā)生重大調(diào)整,原定于加速推進(jìn)的項(xiàng)目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動(dòng)旨在優(yōu)先保障位于美國(guó)得...
江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時(shí)代
深圳2024年9月4日?/美通社/ -- 隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng),市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中,NAN...
MK米客方德SD NAND:STM32平臺(tái)上的存儲(chǔ)方案
在STM32平臺(tái)上,SD卡的重要性不言而喻,它為嵌入式系統(tǒng)提供了必要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫能力。MK米客方德SD作為市場(chǎng)上的一種選擇,因其耐用性、較小的體積以...
Solidigm發(fā)布高性能PCIe 5.0 SSD,引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)新紀(jì)元
全球知名的創(chuàng)新NAND閃存解決方案巨頭Solidigm,近期隆重推出了兩款專為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的旗艦級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(SSD)——Solidigm D7-...
2024-08-16 標(biāo)簽:NANDSSD數(shù)據(jù)中心 1273 0
卓越存儲(chǔ)方案:杰理AC7916搭配MK米客方德SD NAND
通過與MK米客方德SD NAND的適配,AC7916為市場(chǎng)提供了一個(gè)高效、可靠的存儲(chǔ)解決方案,并已經(jīng)在單詞機(jī)等產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了成功的應(yīng)用和量產(chǎn)。
鎧俠NAND Flash業(yè)績(jī)飆升,營(yíng)收創(chuàng)新高
日本NAND Flash巨頭鎧俠近日發(fā)布了其2024財(cái)年第一財(cái)季(對(duì)應(yīng)2024年第二季度)的財(cái)務(wù)報(bào)告,展現(xiàn)出了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。該季度內(nèi),鎧俠的合并營(yíng)收同...
SK海力士FMS 2024峰會(huì)揭秘:UFS 4.1存儲(chǔ)新品引領(lǐng)未來性能飛躍
在近日舉行的FMS 2024峰會(huì)上,SK海力士震撼發(fā)布了其存儲(chǔ)技術(shù)的最新成果,其中最為引人注目的便是尚未正式公布標(biāo)準(zhǔn)的UFS 4.1通用閃存技術(shù)預(yù)覽。這...
作為全球首家推出基于SLC開發(fā)SD NAND產(chǎn)品的原廠,MK米客方德推動(dòng)了存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新,為廣大用戶提供了高性能的存儲(chǔ)解決方案。
江波龍SLC NANDFlash存儲(chǔ)芯片出貨量超5000萬顆
江波龍電子近期公布的投資者關(guān)系活動(dòng)數(shù)據(jù)顯示,公司在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)加大研發(fā)投入,2024年上半年研發(fā)費(fèi)用較去年同期實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng),彰顯了其在企業(yè)級(jí)、工...
存儲(chǔ)卡參考設(shè)計(jì)——MK品牌 SD NAND
為了確保芯片能正常上電初始化,電壓要在0.5V以下至少1ms;電源上升的時(shí)候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的,上升到正常工作電壓的時(shí)間是0.1ms-35...
泛林集團(tuán)推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0,助力3D NAND邁向千層新紀(jì)元
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團(tuán)(Lam Research)再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新,正式推出其經(jīng)過嚴(yán)格生產(chǎn)驗(yàn)證的第三代低溫電介質(zhì)...
2024-08-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND泛林集團(tuán) 1354 0
SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報(bào)道,該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并預(yù)...
泛林集團(tuán)推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0
半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲(chǔ)器制造設(shè)計(jì)的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cr...
美光采用第九代TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品量產(chǎn)
2024 年 7 月 31 日,美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開始出...
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