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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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TPS54262-EP 增強(qiáng)型塑料 2A、60V 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,具有低 Iq、電壓監(jiān)控和復(fù)位功能數(shù)據(jù)手冊
TPS54262-EP 器件是一款具有低功耗的 60V、2A 降壓開關(guān)模式電源 模式和帶有集成 NMOS 開關(guān) FET 的可編程電壓監(jiān)控器。集成輸入 電...
士蘭微電子單通道H橋柵極驅(qū)動器SQ9702/3T介紹
SQ9702/3T是一款單通道 H 橋柵極驅(qū)動器,驅(qū)動四個(gè)外部 NMOS,用于驅(qū)動雙向刷式直流電機(jī)。
TPS25840-Q1 USB-A SDP/CDP 充電端口轉(zhuǎn)換器,帶 STB 保護(hù)和電纜補(bǔ)償數(shù)據(jù)手冊
TPS2584x-Q1 是一款 USB Type-A BC1.2 充電解決方案,包括一個(gè)同步直流/直流轉(zhuǎn)換器。通過電纜壓降補(bǔ)償,無論負(fù)載電流如何,Vbu...
TPIC44H01 具有故障模式選擇的 1.2mA/1.2mA 4 通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPIC44H01 是一款四通道高側(cè)預(yù) FET 驅(qū)動器,提供串行或并行輸入接口來控制四個(gè)外部 NMOS 功率 FET。它設(shè)計(jì)用于電阻或電感負(fù)載的低頻開關(guān)...
TPS22924C 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開關(guān),3.6V 時(shí)具有 800μs 的輸出放電和上升時(shí)間數(shù)據(jù)手冊
TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至...
TPS22924B 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開關(guān),輸出放電和 3.6V 時(shí)上升時(shí)間為 100μs數(shù)據(jù)手冊
TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至...
2025-05-13 標(biāo)簽:MOSFETNMOS負(fù)載開關(guān) 197 0
TPS22920 具有輸出放電的 3.6V、4A、5.3mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22920x 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān) 具有受控導(dǎo)通功能,以減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可以 在 0.75 V 至 ...
2025-05-13 標(biāo)簽:MOSFETNMOS負(fù)載開關(guān) 175 0
TPS22924D 3.6V、2A、18.3mΩ 負(fù)載開關(guān),3.6V 時(shí)具有 6200μs 的輸出放電和上升時(shí)間數(shù)據(jù)手冊
TPS22924D 是一個(gè)小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 ...
TPS22964C 具有輸出放電的 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開關(guān) 受控打開。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....
2025-05-12 標(biāo)簽:MOSFETNMOS負(fù)載開關(guān) 204 0
TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開關(guān) 受控打開。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5....
2025-05-12 標(biāo)簽:MOSFETNMOS負(fù)載開關(guān) 262 0
TPL7407L 40V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPL7407L 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該設(shè)備包括 7 個(gè) NMOS 晶體管,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于 切換感性負(fù)載。...
TPS1H100-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、100mΩ、1 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS1H100-Q1 器件是一款完全受保護(hù)的高壓側(cè)電源開關(guān),集成了 NMOS 功率 FET 和電荷泵,適用于各種電阻、電感和電容負(fù)載的智能控制。精確的...
2025-05-12 標(biāo)簽:NMOS可編程電源開關(guān) 247 0
?? 前言 隨著新能源汽車的熱門,作為汽車配套充電樁也要求更快的充電速度。充電樁一般分為直流充電樁和交流充電樁,直流充電樁功率較大被叫做“快充”??斐湟?..
CMOS第一層互聯(lián)的結(jié)構(gòu)與作用
芯片中的晶體管(如NMOS和PMOS)需要通過金屬線連接才能形成完整電路。 第一層互聯(lián) (通常稱為M0或Local Interconnect)是直接連接...
TPS4H160-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、160mΩ、4 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS4H160-Q1 器件是具有四個(gè)集成 160mΩ NMOS 功率 FET 的全面保護(hù)四通道智能高側(cè)開關(guān)。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)可實(shí)現(xiàn)對...
2025-05-10 標(biāo)簽:NMOSFET電流感應(yīng) 310 0
TPS2H160-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、160mΩ、2 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS2H160-Q1 系列是完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開關(guān),具有集成的 160mΩ NMOS 功率 FET。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)功能可實(shí)...
TPS2H000-Q1 具有可調(diào)電流限制的 40V、1 Ω、2 通道汽車智能高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS2H000-Q1 系列是一款完全受保護(hù)的雙通道智能高側(cè)開關(guān),具有集成的 1000mΩ NMOS 功率 FET。 全面的診斷和高精度電流感應(yīng)功...
2025-05-10 標(biāo)簽:NMOSFET電流感應(yīng) 259 0
TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPL7407LA 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電感負(fù)載...
TPS27S100 具有可調(diào)電流限制的 40V、80mΩ、4A、1 通道、工業(yè)高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS27S100x 是一款單通道、完全受保護(hù)的高側(cè)開關(guān),具有集成的 NMOS 和電荷泵。完整的診斷和高精度電流監(jiān)控功能可實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的智能控制。可調(diào)限流...
2025-05-10 標(biāo)簽:NMOS電荷泵電流監(jiān)控器 236 0
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