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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

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其利天下技術(shù)·Nmos和Pmos的區(qū)別及實際應(yīng)用·無刷電機(jī)驅(qū)動方案開發(fā)

NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）和PMOS（P型金屬氧化物半導(dǎo)體）是兩種常見的場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型。它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個方面：其利天...

2024-12-30 標(biāo)簽：電路 NMOS 無刷電機(jī) 1252 0

使用4200A-SCS軟件和矩陣開關(guān)搭建可靠性評估平臺

在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到...

2024-12-11 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 矩陣開關(guān) 1117 0

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時，縮放并...

2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 晶體管 1131 0

4種常用的防反接電路

不管你是做什么電子產(chǎn)品，電源供電是必不可少的，今天給大家分享幾種常用的防反接電路，在我們工作中可能用的到。所謂防反接，就是正插時設(shè)備正常工作，反插時，...

2024-11-27 標(biāo)簽：二極管 NMOS 防反接電路 3307 0

浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理

浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵晶體管大...

2024-11-24 標(biāo)簽：NMOS 晶體管 2462 0

PMOS與NMOS的防反保護(hù)電路差異探討

簡單的柵極驅(qū)動電路設(shè)計，我們會使用NMOS來作防反電路，原因是成本較低。 PMOS一般會放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過，...

2024-11-19 標(biāo)簽：保護(hù)電路 NMOS PMOS 1372 0

電平轉(zhuǎn)換電路的實現(xiàn)原理及電路圖分享

5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見的電平，對于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議，芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問題，所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來保證這些芯...

2024-11-13 標(biāo)簽：NMOS 電平轉(zhuǎn)換 1866 0

NMOS型和PMOS型LDO的工作原理

實際常見的電源應(yīng)用有DCDC和LDO兩種，與DCDC電路不同的是，LDO輸出晶體管的工作狀態(tài)是線性工作模式，并非開關(guān)模式。

2024-10-28 標(biāo)簽：ldo NMOS 晶體管 2118 0

干貨分享：Air700ECQ的硬件設(shè)計，第一部分

?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺設(shè)計的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...

2024-10-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸 NMOS LTE 1439 0

為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。

2024-10-08 標(biāo)簽：開關(guān)負(fù)載 MOS管 3145 0

NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NMOS 晶體管 7636 0

柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...

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多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡述

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶...

2024-08-02 標(biāo)簽：多晶硅靜電 NMOS 5177 0

應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

應(yīng)力記憶技術(shù)（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應(yīng)力提高90nm 及以下工藝制程中...

2024-07-29 標(biāo)簽：NMOS smt 工藝流程 2878 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 1418 0

場效應(yīng)管怎樣調(diào)節(jié)電流

場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過控制其柵極（Gate）電壓來實現(xiàn)。以下將詳細(xì)闡述場效...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場效應(yīng)管 NMOS 2806 0

場效應(yīng)管的電流方向怎么判斷

場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）的電流方向判斷，主要依據(jù)其類型（N溝道或P溝道）以及源極（S）、漏極（D）和柵極（...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場效應(yīng)管 NMOS 5018 0

DCDC 高端 NMOS 的自舉秘訣

NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一...

2024-06-24 標(biāo)簽：NMOS 自舉 DCDC 1690 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)

在集成電路和微電子領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是一種基本的電子元件，根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型...

2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路 CMOS NMOS 1.2萬 0

CMOS與NMOS技術(shù)的區(qū)別差異

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）作為兩種重要的半導(dǎo)體技術(shù)，各自在電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作...

2024-05-22 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 NMOS 4602 0

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能源互聯(lián)網(wǎng)可理解是綜合運(yùn)用先進(jìn)的電力電子技術(shù)，信息技術(shù)和智能管理技術(shù)，將大量由分布式能量采集裝置，分布式能量儲存裝置和各種類型負(fù)載構(gòu)成的新型電力網(wǎng)絡(luò)、石油網(wǎng)絡(luò)、天然氣網(wǎng)絡(luò)等能源節(jié)點互聯(lián)起來，以實現(xiàn)能量雙向流動的能量對等交換與共享網(wǎng)絡(luò)。
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新松機(jī)器人自動化股份有限公司（以下簡稱“新松”）成立于2000年，隸屬中國科學(xué)院，是一家以機(jī)器人技術(shù)為核心的高科技上市公司。作為國家機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化基地，新松擁有完整的機(jī)器人產(chǎn)品線及工業(yè)4.0整體解決方案。

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