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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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防反電路,通常指的是防止電流反向流動(dòng)的電路,確保電流只能沿一個(gè)方向流動(dòng)。
熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時(shí),連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時(shí),由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化,但是當(dāng)精度要求比較高...
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。在電流開(kāi)始流過(guò)的瞬間,電容充電...
三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處
說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1062 0
于是多找了幾顆芯片繼續(xù)做了EMMI實(shí)驗(yàn),可毫無(wú)例外地,每顆芯片的亮斑位置基本一樣。這基本就排除了芯片個(gè)體差異性的可能。真實(shí)問(wèn)題可能就是在那塊電路那里,但...
通過(guò)電阻R1、R2對(duì)輸出電壓進(jìn)行采樣,將采集的電壓與基準(zhǔn)電壓(期望輸出電壓值)進(jìn)行比較、放大,再通過(guò)PMOS管柵極(PNP三極管基極)反饋給輸入部分,通...
MOS開(kāi)關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比V...
簡(jiǎn)單電路實(shí)現(xiàn)電源防接反設(shè)計(jì)
我們?cè)谑褂猛饨与娫搭惍a(chǎn)品時(shí),可能會(huì)因一時(shí)疏忽將將電源線接反,導(dǎo)致產(chǎn)品被燒壞。從產(chǎn)品的設(shè)計(jì)角度來(lái)講,如果把電源做成防反接的,那就大大提高了產(chǎn)品的人性化設(shè)計(jì)...
最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來(lái)器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
MOS管選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開(kāi)關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!?..
電路設(shè)計(jì)的九段境界 看看自己現(xiàn)在處于什么段位
你剛開(kāi)始進(jìn)入這行,對(duì)PMOS/NMOS/BJT什么的只不過(guò)有個(gè)大概的了解,各種器件的特性你也不太清楚,具體設(shè)計(jì)成什么樣的電路你也沒(méi)什么主意
2023-11-17 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)仿真器SPICE 578 0
TPS767系列 1-A, 10-V, 低壓差電壓調(diào)節(jié)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該器件設(shè)計(jì)為具有快速瞬態(tài)響應(yīng),并使用 10 μF 低 ESR 電容器保持穩(wěn)定。這種組合以合理的成本提供高性能。 由于 PMOS 器件充當(dāng)?shù)妥柚惦娮?..
LP38502-ADJ 具有使能功能的 1.5A 可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TI 的 FlexCap 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器具有獨(dú)特的補(bǔ)償功能,允許 使用任何類型的輸出電容器,對(duì)最小或最大等效串聯(lián)沒(méi)有限制 電阻 (ESR...
TPS778系列 750-mA, 10-V, 低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS777xx 和 TPS778xx 旨在實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng),并在使用 10μF 低 ESR 電容器時(shí)保持穩(wěn)定。這種組合以合理的成本提供高性能。 ...
LP38500-ADJ 1.5A 可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TI 的 FlexCap 低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器具有獨(dú)特的補(bǔ)償功能,允許 使用任何類型的輸出電容器,對(duì)最小或最大等效串聯(lián)沒(méi)有限制 電阻 (ESR...
TPS777系列 750-mA, 10-V, 低壓差電壓調(diào)節(jié)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS777xx 和 TPS778xx 旨在實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng),并在使用 10μF 低 ESR 電容器時(shí)保持穩(wěn)定。這種組合以合理的成本提供高性能。 ...
2025-03-14 標(biāo)簽:電容器PMOS供電系統(tǒng) 415 0
數(shù)據(jù)手冊(cè)#TPS7B4256-Q1 具有 FB 和 6mV 跟蹤容差的汽車類70mA 40V電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器
TPS7B4256-Q1 是一款單片集成低壓差 (LDO) 電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 SOIC 和 HSOIC 封裝。TPS7B4256-Q1 ...
數(shù)據(jù)手冊(cè)#LP38513 3-A,超低壓差穩(wěn)壓器,電源正常并啟用1.8 V
LP38513快速響應(yīng)超低壓差線性穩(wěn)壓器采用 2.25V 至 5.5V 輸入電源供電。該器件對(duì)線路或負(fù)載條件的階躍變化做出非??焖俚捻憫?yīng),因此適用于低壓...
TPS775系列 500-mA, 10-V, 低IQ, 低跌落電壓調(diào)節(jié)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS775xx 和 TPS776xx 器件具有快速瞬態(tài)響應(yīng),并可在采用 10μF 低 ESR 電容器時(shí)保持穩(wěn)定。這 組合以合理的成本提供高性能。 ...
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