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      標(biāo)簽　>　pmos

      pmos

      +關(guān)注4人關(guān)注

      PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)（MOS）晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓（柵極接地）時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

      文章：234個 瀏覽：30438次 帖子：85個

      pmos技術(shù)

      PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

      PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

      當(dāng)輸出電壓增大時，F(xiàn)B增大，放大器輸出電壓增加，PMOS管的G極電壓增大，Usg減小，PMOS的輸出電流和電壓較小，形成了一個負(fù)反饋系統(tǒng)。

      2024-03-27 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器ldo電壓源 1977 0

      低功耗isolation cell設(shè)計

      低功耗isolation cell設(shè)計

      低功耗架構(gòu)設(shè)計需要前后端拉通規(guī)劃，前端設(shè)計有PMU功耗管理單元，比如A模塊電壓常開，B模塊電壓可關(guān)斷，那么請思考，當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后，B模塊輸出到A模塊...

      2023-11-24 標(biāo)簽：模塊NMOS芯片設(shè)計 1908 0

      PMOS與NMOS的工作原理

      PMOS與NMOS的工作原理

      此處以增強(qiáng)型PMOS，NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。

      2025-03-12 標(biāo)簽：MOS管NMOS晶體管 1889 0

      構(gòu)建完整的超低功耗精密高邊電流檢測電路的理想選擇！

      構(gòu)建完整的超低功耗精密高邊電流檢測電路的理想選擇！

      精密微安級高邊電流測量需要一個小阻值檢測電阻和一個低失調(diào)電壓的放大器。

      2024-03-14 標(biāo)簽：放大器MOSFETPMOS 1862 0

      共源級放大電路的偏置設(shè)計及小信號分析

      共源級放大電路的偏置設(shè)計及小信號分析

      一個合適的偏置電路設(shè)計是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖Fig. 1，這是一個前幾期講過的MOSFET放大器的最基本電路。

      2023-08-18 標(biāo)簽：放大器放大電路小信號 1783 0

      PMOS LDO和NMOS LDO的特性對比

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      LDO，英文全稱是Low Dropout Regulator, 即低壓差線性穩(wěn)壓器。輸入和輸出均為直流，壓降較低，可用于穩(wěn)壓。其包含三個基本功能元件：一...

      2025-03-12 標(biāo)簽：放大器ldoNMOS 1772 0

      閾值電壓對傳播延遲和躍遷延遲的影響

      閾值電壓對傳播延遲和躍遷延遲的影響

      如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需...

      2023-09-07 標(biāo)簽：NMOS導(dǎo)通電阻PMOS 1723 0

      電源抑制比AC-PSRR詳細(xì)分析

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      運(yùn)放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR，而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。

      2023-11-02 標(biāo)簽：開關(guān)電源放大電路電源抑制比 1718 0

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      三極管是電流控制器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。 有NPN型三極管和PNP型三極管兩種。

      2023-03-14 標(biāo)簽：三極管MOS管NMOS 1687 0

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      模擬開關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號通路的開關(guān)，主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...

      2023-02-09 標(biāo)簽：CMOS模擬開關(guān)MOS 1595 0

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      加熱擴(kuò)散的物理原理眾所皆知，工藝工具相當(dāng)簡單且不昂貴，然而擴(kuò)散過程有一些主要的限制。

      2023-05-04 標(biāo)簽：集成電路晶體管MOS 1588 0

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      舉個簡單的例子，假如一個250MHz的DLL，其正常鎖定后的整個延時鏈（VCDL）的總延時為一個周期T，即4ns。但在某些特別情況下，VCDL可能延時2...

      2023-03-23 標(biāo)簽：dll諧波時鐘 1554 0

      直流電源開關(guān)TMI6240I/6250I——解決分立MOS開關(guān)易失效，安全更可靠

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      拓爾微自主研發(fā)一款可以應(yīng)用在各種需待機(jī)關(guān)斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I，具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢。

      2023-08-10 標(biāo)簽：芯片開關(guān)電路MOS 1533 0

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      說實(shí)話，這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn)，考察一些大家對三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中，很少看到三極管工作在放大區(qū)。說到這里，也給在學(xué)校的大學(xué)生們...

      2023-05-14 標(biāo)簽：三極管MOSFET場效應(yīng)管 1467 0

      PMOS與NMOS的防反保護(hù)電路差異探討

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      簡單的柵極驅(qū)動電路設(shè)計，我們會使用NMOS來作防反電路，原因是成本較低。 PMOS一般會放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過，...

      2024-11-19 標(biāo)簽：保護(hù)電路NMOSPMOS 1373 0

      介紹幾種防反接電路設(shè)計

      介紹幾種防反接電路設(shè)計

      我們會在電源電路的輸入側(cè)看到防反電路，在不同的電路中防反接用的器件不一樣，他們存在以下的區(qū)別。

      2023-11-14 標(biāo)簽：二極管NMOS電源電路 1373 0

      防反保護(hù)電路的設(shè)計（下篇）

      設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護(hù)電路時，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 ...

      2022-10-24 標(biāo)簽：保護(hù)電路電路設(shè)計NMOS 1342 0

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      讓我們看看當(dāng)LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時，其內(nèi)部會發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，輸出電壓為1V時，瞬態(tài)響應(yīng)下沖電壓為0.02V，導(dǎo)致輸出電壓下降到...

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      上電瞬間，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，系統(tǒng)形成回路，源極S的電位大約是0.7V，而柵極G的電位為Vbat，MOS管的開啟電壓極為：Ugs=Vbat-Vs,...

      2023-08-24 標(biāo)簽：二極管MOS管PMOS 1260 0

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      LU是 Latch Up的簡寫，即閂鎖效應(yīng)，也叫可控硅效應(yīng)，表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車規(guī)芯片的規(guī)格書中通常...

      2025-03-24 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體PMOS 1236 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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      • STM32單片機(jī)
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        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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