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標簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負極接反的現(xiàn)象,導致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
NMOS場效應(yīng)管/PMOS場效應(yīng)管防反保護解析
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時候,R1、R...
2023-04-19 標簽:場效應(yīng)管NMOS控制電路 2512 0
電路設(shè)計時,不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
Vt roll-off核心是(同一個工藝節(jié)點下面)閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當溝道長度比較長的時候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小,閾值電壓會下...
今天在群里看到了一張圖,是TI的一個40V~400V非隔離型的高端電流檢測方案的一個原理框圖,這個圖里,比較有意思的一點就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改...
2023-12-06 標簽:二極管運算放大器穩(wěn)壓二極管 2193 0
在之前圍繞STM32的GPIO的基本結(jié)構(gòu)進行了介紹,圖1為STM32的5V容忍的GPIO口內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)圖,圖2為GPIO的基本結(jié)構(gòu)中各個模塊部分的概述。
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