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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 導(dǎo)通電阻 3645 0

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 3630 0

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車?yán)m(xù)航能力

因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...

2022-08-31 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 3599 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性

通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 SiC HEMT 3561 0

什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件 SiC CMP 3543 0

功率半導(dǎo)體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 標(biāo)簽：新能源汽車 DC-DC轉(zhuǎn)換器 IGBT 3530 0

如何選取SiC門極電壓

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未...

2022-06-06 標(biāo)簽：電壓 SiC 開關(guān)頻率 3498 0

什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。

2024-04-18 標(biāo)簽：SiC 熱處理碳化硅 3490 0

對Si3N4-AMB覆銅基板較為關(guān)心的三大方面

隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 標(biāo)簽：PVD SiC 功率模塊 3475 0

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？

　碳化硅的應(yīng)用主要在于它的半導(dǎo)體性能與力學(xué)性能兩個方面。高溫下與氧反應(yīng)。

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3457 0

全電飛機航空電子系統(tǒng)的設(shè)計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標(biāo)簽：電機驅(qū)動 SiC 碳化硅 3442 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動 3425 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們...

2024-09-10 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 3418 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 3417 0

深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 3415 0

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 3403 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET 光伏晶體管 3392 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 3349 0

氮化鎵的優(yōu)勢特點！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 3324 0

基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設(shè)計方法

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發(fā)展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關(guān)速度使其對電路中雜散...

2024-02-22 標(biāo)簽：MOSFET 變換器 SiC 3316 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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手機快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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