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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電源系統(tǒng) 3950 0
選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
由開關(guān)器件的材料變革帶來的高壓電氣部件的能力提升
EQC的銅排設(shè)計看上去很不合理,不過需要考慮從兩個分離的負(fù)極單獨(dú)取電,然后匯集到配電盒里面,對驅(qū)動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項工作的復(fù)雜度就比較...
本文介紹了一種3KW雙向變換器的設(shè)計考慮,該變換器滿足大功率便攜式儲能產(chǎn)品的需求。首先,我們在設(shè)計中比較了幾種功率器件的性能,并指出SiC器件可以提高...
2023-11-27 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器電源電路 3900 0
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
相對于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢
最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計
工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...
SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3821 0
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多,但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術(shù),有些感悟分享給大家。
車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案
車載充電機(jī)(On-Board Charger,簡稱為OBC)的基本功能是:電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口,連接至車載充電機(jī),給車載動力電池進(jìn)行慢...
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供...
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用,其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動 3662 0
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3653 0
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