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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計

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為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3978 0

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碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 3950 0

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在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。

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SiC市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo),市占率排名依次是:意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

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Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動器 3916 0

由開關(guān)器件的材料變革帶來的高壓電氣部件的能力提升

EQC的銅排設(shè)計看上去很不合理,不過需要考慮從兩個分離的負(fù)極單獨(dú)取電,然后匯集到配電盒里面,對驅(qū)動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法,這項工作的復(fù)雜度就比較...

2018-09-10 標(biāo)簽:電動汽車逆變器SiC 3902 0

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 本文介紹了一種3KW雙向變換器的設(shè)計考慮,該變換器滿足大功率便攜式儲能產(chǎn)品的需求。首先,我們在設(shè)計中比較了幾種功率器件的性能,并指出SiC器件可以提高...

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器電源電路 3900 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率器件 3884 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達(dá)和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽:功率器件SiC氮化鎵 3850 0

相對于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢

最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 3849 0

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工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...

2021-04-06 標(biāo)簽:電磁干擾SiC氮化鎵 3838 0

SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗

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人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實際...

2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3821 0

碳化硅MOSFET概述、特性及應(yīng)用

  在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...

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想做車用SiC元件?這點(diǎn)一定不能錯過!

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2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動 3662 0

什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?

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如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。

2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3653 0

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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