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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC材料在牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用

SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與Si相比具有擊穿場強高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點，適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。

2018-05-17 標(biāo)簽：IGBT SiC 5344 0

控制、驅(qū)動、檢測高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換

了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級控制拓撲來解決面臨的挑戰(zhàn)。

2018-06-05 標(biāo)簽：adi 通信技術(shù)控制 5325 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

在設(shè)計電力電子設(shè)備時，我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT 功率 SiC 5293 1

如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計以提高性能和能效

作者：Bill Schweber 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力...

2023-10-03 標(biāo)簽：電源 MOSFET 電源設(shè)計 5260 0

探討改變電動汽車市場的氮化鎵IC

氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效，且降低了重量和成本。

2018-07-17 標(biāo)簽：電動汽車 igbt SiC 5163 0

SiC MOSFET進入主流市場，功率器件新局面正式開啟

進一步提高切換頻率會導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明，工作頻率高達72kHz...

2019-02-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 5146 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽：SiC GaN 碳化硅 5112 0

如何混合Si和SiC器件實現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案

在現(xiàn)代時代，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）領(lǐng)域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加，尤其是在電動汽車充電點的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...

2021-03-22 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 整流器 5108 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 5085 0

SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評估研究進展

與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能，新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑戰(zhàn)，許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...

2023-04-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 5079 0

什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...

2023-04-25 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 5077 0

碳化硅和硅的優(yōu)勢對比

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 5067 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 5065 1

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導(dǎo)通電阻構(gòu)成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 SiC 5063 0

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET SiC 晶胞 5052 0

高頻驅(qū)動，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。...

2018-06-15 標(biāo)簽：元器件逆變器 SiC 5043 0

基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅(qū)動電路設(shè)計中的特點分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。

2019-12-03 標(biāo)簽：mosfet 電機驅(qū)動 sic 5032 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管 IGBT SiC 5030 0

Microsemi宣布推出一系列SiC功率器件

汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。

2019-08-08 標(biāo)簽：微芯 SiC 5025 0

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅，是一種無機物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標(biāo)簽：石英 SiC 碳化硅 5022 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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