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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC功率器件中的失效機制分析

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2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體肖特基二極管 6273 0

通過RECOM的DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動的SiC技術(shù)

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在許多人的頭腦中,電力電子與可再生能源及電動力緊密關(guān)聯(lián) 換言之:數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出。樂高 盒式模塊化電源(即 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...

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如何更加快速地為電動汽車充電

推出電動汽車(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛...

2018-08-27 標(biāo)簽:電動汽車充電技術(shù)SiC 6206 0

液相法、3C-SiC!中科院又取得新成果

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該團隊開發(fā)了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設(shè)備,其生長過程是這樣的:首先,在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉;然后在對流作用下,將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 6094 0

SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰與抑制方法分析(上)

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高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFETemc電磁干擾 6087 1

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類型的位錯通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7(a)所示, 大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP,中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6051 0

柵極驅(qū)動芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片

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柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進行選擇。

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動 6033 0

三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓撲,一般的大功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...

2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機SiC 5967 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

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2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 5967 0

SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進展概述

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隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET功率器件 5827 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

碳化硅MOS優(yōu)點:高頻高效,高耐壓,高可靠性??梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽:變壓器MOSFETIGBT 5750 0

基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計要求

如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-02 標(biāo)簽:mosfettisic 5678 0

電機碳化硅技術(shù)指標(biāo)是什么 碳化硅國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)介紹

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以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視,并在多個領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用,并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標(biāo)簽:電動車SiC碳化硅 5672 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析

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SiC主要用于實現(xiàn)電動車逆變器等驅(qū)動系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于,降低能量損耗、更易實現(xiàn)小型化和更耐高溫。

2019-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 5665 0

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在半導(dǎo)體制造過程中,每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片...

2023-07-11 標(biāo)簽:ASMSiC半導(dǎo)體芯片 5629 0

SiC/GaN功率開關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案

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驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整,彼此配合。于是這里的設(shè)計重點不再只是以開關(guān)為中心……

2018-06-22 標(biāo)簽:功率開關(guān)SiCGaN 5626 0

什么是GaN氮化鎵?為什么充電器用GaN而不是SiC?

新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽:充電器SiC氮化鎵 5547 0

簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

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碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標(biāo)簽:SiC碳化硅 5493 0

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

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中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標(biāo)簽:肖特基二極管功率器件SiC 5470 0

淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)

在開始討論技術(shù)和開發(fā)目標(biāo)前,先看一下圖1的電動汽車概念的簡單示意圖。在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機所用的電子元器件是本項目的研究方向。

2018-12-23 標(biāo)簽:汽車電子SiC 5453 0

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    系統(tǒng)電源
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
  • LT8705
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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