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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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三菱電機(jī)成功開發(fā)6.5kV全SiC功率模塊實(shí)現(xiàn)世界最高功率密度額定輸出功率

1月31日，三菱電機(jī)株式會(huì)社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級(jí)全SiC功率半導(dǎo)體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實(shí)現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。

2018-02-03 標(biāo)簽：三菱電機(jī)sic 功率模塊 9553 0

如何正確理解功率器件的FoM？

在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, ...

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET FOM 功率器件 9406 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí)，漂移層會(huì)變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標(biāo)簽：二極管 IGBT MOS 9244 0

深度解析SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)

為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中實(shí)施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，從最近的芯片到功率開關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器。

2018-11-28 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 SiC GaN 8982 0

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護(hù)方法

采用電流檢測(cè)并用于FMF800DX-24A的先進(jìn)保護(hù)方法是通過參考設(shè)計(jì)RDHP-1417來實(shí)現(xiàn)的(其采用驅(qū)動(dòng)核2SC0435T)[4][5]，并包括過壓...

2018-04-10 標(biāo)簽：電流 MOSFET SiC 8979 0

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的...

2023-05-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美 IGBT 8969 0

電力電子器件的概念及分類

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

2023-04-04 標(biāo)簽：電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路 SiC 8909 0

SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用

如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-20 標(biāo)簽：mosfet 太陽能 sic 8888 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

　　碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 8815 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中，它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8806 0

采用SiC材料元器件的特性結(jié)構(gòu)介紹

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是...

2018-09-29 標(biāo)簽：mosfet 半導(dǎo)體 sic 8735 0

智能混合信號(hào)無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)

　　評(píng)估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦?？焖僦烽_關(guān)采用GaN HEMT，交流電同步整流器采用Si-MOSFET，在整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)...

2022-05-06 標(biāo)簽：電源 MOSFET SiC 8692 0

外延層的摻雜濃度對(duì)SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標(biāo)簽：工藝功率器件 SiC 8655 0

碳化硅功率器件解讀碳化硅與車載充電器(OBC)

碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車充電更快，續(xù)航更長(zhǎng)

2022-09-23 標(biāo)簽：新能源汽車充電器 SiC 8440 0

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8396 0

IGBT和SiC電源開關(guān)知識(shí)科普

IGBT 和 SiC 電源開關(guān)有哪些市場(chǎng)和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn)，大功率應(yīng) 用的...

2022-03-18 標(biāo)簽：IGBT 電源開關(guān)SiC 8342 0

SiC功率器件是怎樣進(jìn)行封裝的？有什么要點(diǎn)？

使用三種無鉛焊料系統(tǒng)：Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實(shí)現(xiàn)了無孔隙焊點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)看到，焊點(diǎn)厚度在熱退火之前和之后...

2018-08-23 標(biāo)簽：芯片封裝 sic 8324 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8283 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)芯片 8138 0

寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)：緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI

在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時(shí)代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關(guān)...

2021-03-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 緩沖器 8013 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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