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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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三相1200V/450A SiC MOSFET電動(dòng)汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時(shí)間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2961 0
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)參考!
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制,揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2948 0
新能源汽車的加速性能與動(dòng)力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關(guān),碳化硅(SiC)技術(shù)允許驅(qū)動(dòng)電機(jī)在低轉(zhuǎn)速時(shí)承受更大輸入功率,且不怕電流過大導(dǎo)致的熱效應(yīng)和...
2023-06-27 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)器SiC 2931 0
為什么在新一代雙向OBC設(shè)計(jì)中選擇SiC而非Si?
硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢(shì)能夠很好...
汽車碳化硅技術(shù)成熟嗎 汽車碳化硅的優(yōu)缺點(diǎn)
SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,技術(shù)也已經(jīng)趨于成熟,令其成為實(shí)現(xiàn)新能源汽車最佳性能的理想選擇。SiC對(duì)電動(dòng)汽車的作用非常大,簡而...
2023-02-03 標(biāo)簽:新能源汽車SiC碳化硅技術(shù) 2911 0
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問題分析與解決
SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進(jìn)步,給電力電子領(lǐng)域帶來了一場(chǎng)革命。這些器件具有快速開關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。它們?cè)诟吖β蕬?yīng)用中非常有...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2867 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí),需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽:SiC氮化鎵電子開關(guān) 2858 1
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2853 0
所有類型的電動(dòng)汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTSiC 2849 0
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 2838 0
如何通過柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化
SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢(shì)源于它們的帶隙,價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價(jià)帶移動(dòng)到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。
2021-02-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電源開關(guān) 2837 0
碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一,具有獨(dú)特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...
100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)
摘要:隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求,以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...
溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET幾種常見的類型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是,溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度,沒有JFET效應(yīng),寄生...
用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET
效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2812 0
SiC對(duì)電力電子的挑戰(zhàn) 碳化硅組件的制造過程
由于SiC具有高導(dǎo)熱性,因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此,SiC器件可以在極高的功率水平下運(yùn)行,并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。
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