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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

驅(qū)動芯片的desat保護時間是如何計算的？

SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而...

2023-01-21 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路 SiC 2218 0

柵極驅(qū)動器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。

2023-05-22 標簽：MOSFET IGBT SiC 2197 0

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。

2023-12-12 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2196 0

功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長基于GaN的RF器件獨特優(yōu)勢眾多

Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達，以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計。

2021-01-19 標簽：SiC GaN 射頻技術(shù) 2195 0

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2023-01-07 標簽：MOSFET 封裝封裝技術(shù) 2187 0

動態(tài)測試確認SiC開關(guān)頻率的準確性

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅，因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受，專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實性。

2022-08-08 標簽：MOSFET SiC 動態(tài)測試 2176 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標簽：功率器件 SiC GaN 2157 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導體

使用寬帶隙半導體的技術(shù)可以滿足當今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 標簽：MOSFET 半導體 SiC 2145 0

電動汽車架構(gòu)和逆變器

混合動力傳動系統(tǒng)具有類似于BEV的架構(gòu)，只是它們具有額外的能源和較小的車載電能存儲。在所有混合動力架構(gòu)中，Wolfspeed 的 SiC 模塊大放異彩，...

2023-05-24 標簽：電動汽車逆變器 SiC 2133 0

解析適用于SiC柵極驅(qū)動的PCB布局方法

在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動，更需認真關(guān)...

2023-05-20 標簽：MOSFET SiC PCB 2123 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點...

2023-09-27 標簽：新能源 MOSFET MOS 2123 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？

作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...

2023-06-07 標簽：SiC 氮化鎵碳化硅 2122 0

首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！

工業(yè)三相供電（400 VAC to 690VAC）的功率變換系統(tǒng)，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。

2021-10-11 標簽：MOSFET 電源設(shè)計 SiC 2114 0

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙...

2022-11-22 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2103 0

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解...

2024-11-14 標簽：半導體材料功率器件 2099 0

一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-11-14 標簽：晶體 SiC sic器件 2097 0

降低SiC牽引逆變器的功率損耗和熱耗散

隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可...

2022-10-25 標簽：逆變器 SiC 2094 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導體 2086 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標簽：晶圓 SiC 刻蝕 2083 0

仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度

作者：James Victory，安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實性取決于各個器...

2024-04-30 標簽：仿真 SiC 模型 2083 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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