完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
文章:2814個(gè) 瀏覽:64758次 帖子:124個(gè)
一種是通過生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延,下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底,外延層上制造各類功率器件; 另一種是通過生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...
高功率 PCB 布局是藝術(shù)、科學(xué)和工程的平衡,以實(shí)現(xiàn)高性能設(shè)計(jì),同時(shí)考慮與電壓間隔相關(guān)的大量限制, 系統(tǒng)布局, 產(chǎn)品尺寸, 熱要求, 以及最重要的電氣性...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiCPCB 1880 0
國產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)
SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種,其中化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...
功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來,無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電,甚至各種電池提供的化學(xué)電能,將是人類消耗的最重要能源。但是75%...
2012-07-23 標(biāo)簽:Sic功率半導(dǎo)體IGBT技術(shù) 1873 0
正確使用SiC MOSFET的出色驅(qū)動(dòng)器
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖,并解釋了如何將其整合到仿真中。
2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 1863 0
SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 標(biāo)簽:SBDSiC肖特基勢(shì)壘二極管 1861 0
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢(shì),包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。
2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1854 0
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 1853 0
用于車載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
雷達(dá)電子設(shè)備組件金剛石/銅復(fù)合材料散熱基板熱性能研究
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,現(xiàn)代電子設(shè)備愈發(fā)往體積小、重量輕的方向發(fā)展,性能和功能越來越強(qiáng)大,集成度越來越高,內(nèi)部熱量的排散問題就更為突出。
SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測(cè)試
羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評(píng)測(cè)思路,我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn),特整理了電路分析的內(nèi)容。
輔助電源是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
電動(dòng)汽車隨著汽車行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步 (HEV),(EV) 和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 越來越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過程需要大量電力。雙逆變器技術(shù)已被用...
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |