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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2814個(gè) 瀏覽：64758次 帖子：124個(gè)

      sic技術(shù)

      碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

      碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

      光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車(chē)領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是將太陽(yáng)電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...

      2023-11-06 標(biāo)簽：光伏發(fā)電SiC光伏逆變器 1795 0

      如何確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度？

      如何確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度？

      SiC正在應(yīng)用于功率更高、電壓更高的設(shè)計(jì)中，如電動(dòng)汽車(chē)(EV)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)快速充電樁、車(chē)載及非車(chē)載充電器、風(fēng)能及太陽(yáng)能逆變器及工控電源。

      2023-03-27 標(biāo)簽：傳感器測(cè)試示波器 1783 0

      有趣的材料—無(wú)處不在的碳化硅

      電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...

      2023-03-24 標(biāo)簽：電子器件SiC碳化硅 1773 0

      簡(jiǎn)述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

      簡(jiǎn)述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 2

      SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...

      2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 1770 0

      SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

      SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

      SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛(ài)德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過(guò)程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

      2024-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體SiC 1758 0

      如何在中試線(xiàn)上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

      如何在中試線(xiàn)上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

      從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降...

      2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 1754 0

      三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

      三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

      1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠(chǎng)商定位為...

      2024-12-04 標(biāo)簽：芯片MOSFET三菱電機(jī) 1753 0

      透射電子顯微鏡中的應(yīng)變分析技術(shù)

      透射電子顯微鏡中的應(yīng)變分析技術(shù)

      季豐電子材料分析實(shí)驗(yàn)室配備賽默飛Talos F200i，設(shè)備選配有Epsilon應(yīng)力分析系統(tǒng)，配合精準(zhǔn)的TEM樣品制備技術(shù)、納米電子衍射收集參數(shù)優(yōu)化和數(shù)...

      2024-12-31 標(biāo)簽：芯片SiC透射電子顯微鏡 1752 0

      IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)（一）

      大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專(zhuān)業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

      2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1749 0

      利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

      利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

      　最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請(qǐng)了安川電機(jī)，針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...

      2013-09-22 標(biāo)簽：SiCGaNAC-AC轉(zhuǎn)換器 1744 0

      SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢？

      SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢？

      其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

      2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管IGBTPN結(jié) 1738 0

      碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT？

      碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。

      2023-08-12 標(biāo)簽：MOSFET電源模塊SiC 1736 0

      嵌入式PCB封裝

      嵌入式PCB封裝

      不同的熱膨脹系數(shù) （CTE） 會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力并導(dǎo)致故障。嵌入到 AlN（周?chē)秀~層）等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配，同時(shí)還可以創(chuàng)建所需的隔...

      2024-05-03 標(biāo)簽：嵌入式逆變器SiC 1733 0

      Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

      碳化硅（SiC）技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過(guò)更快的開(kāi)關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

      2023-02-24 標(biāo)簽：晶體管SiCGaN 1733 0

      功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢(shì)

      功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢(shì)

      半導(dǎo)體（Semiconductor）是現(xiàn)代電子信息社會(huì)的物理基石，并已成為推動(dòng)各種革命性變革和創(chuàng)新的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力，這點(diǎn)已是當(dāng)前的社會(huì)共識(shí)。而功率器件正是半...

      2023-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶閘管功率器件 1731 0

      功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案

      功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案

      柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過(guò)理論計(jì)算或建模仿真，模擬器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計(jì)算。

      2024-04-29 標(biāo)簽：MOSFETIGBTemc 1724 0

      Qorvo SiC FET在ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)

      Qorvo SiC FET在ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)

      從石器時(shí)代到信息時(shí)代，人類(lèi)對(duì)高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開(kāi)關(guān)...

      2024-07-25 標(biāo)簽：ZVS軟開(kāi)關(guān)SiC 1717 0

      碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來(lái)越受歡迎。

      2023-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子器件SiC 1708 0

      深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

      深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

      眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（M...

      2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiC 1707 0

      混合器件的原理及應(yīng)用

      混合器件的原理及應(yīng)用

      今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來(lái)聊一下復(fù)合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么，文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...

      2023-10-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 1706 0

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
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      • 尼吉康
        尼吉康
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      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 閾值電壓
        閾值電壓
        +關(guān)注
        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
      • 無(wú)線(xiàn)供電
        無(wú)線(xiàn)供電
        +關(guān)注
        無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
      • 寧德時(shí)代
        寧德時(shí)代
        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
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      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
      • LT8705
        LT8705
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      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
      5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
      NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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