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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1649 0
一個(gè)集成濾波功能的低噪聲放大器設(shè)計(jì)原理圖
濾波器在前端中也有著重要的作用,在接收機(jī)下變頻時(shí),鏡像頻段處的信號(hào)會(huì)變頻到中頻帶處,引入干擾,此時(shí)濾波器可用于抑制鏡像頻段處的干擾。而在常見的前端設(shè)計(jì)中...
?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革
碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來,汽車行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅(SiC)應(yīng)用的增長(zhǎng), 也...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢(shì)介紹
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。
2024-01-03 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1634 0
中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國(guó)汽車品牌或與中國(guó)合資的汽車品牌...
碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...
2024-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 1630 0
由于電池仍然是電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成,因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的,從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率就顯得及其重要。
2023-08-01 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 1626 0
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
EMI案例:交錯(cuò)并聯(lián)SiC逆變器的環(huán)流紋波預(yù)測(cè)模型
交錯(cuò)并聯(lián)SiC逆變器的環(huán)流紋波預(yù)測(cè)及ZVS控制策略主要從軟件算法上對(duì)PWM序列進(jìn)行了控制,在保證ZVS運(yùn)行的同時(shí),通過開關(guān)頻率的小范圍變化,實(shí)現(xiàn)了傳導(dǎo)E...
在切割脆性 SiC 晶片時(shí),必須減少或完全消除機(jī)械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機(jī)械變化降至最低。同時(shí)還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度,以限...
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1600 0
中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長(zhǎng)的突破
從6寸把它發(fā)展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本,這是一個(gè)國(guó)際上發(fā)展的趨勢(shì)。
EAB450M12XM3簡(jiǎn)介:Wolfspeed首款車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊
如今,許多市場(chǎng)都受益于碳化硅(SiC)技術(shù)所帶來的優(yōu)勢(shì),尤其是汽車行業(yè)。相對(duì)于傳統(tǒng)硅(Si)組件,SiC 的性能更高,使系統(tǒng)的開關(guān)速度、工作溫度、功率密...
碳化硅SiC功率器件的技術(shù)特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域
隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長(zhǎng)。
SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10,實(shí)現(xiàn)低功耗化;同時(shí),能將新能源汽車的效率提...
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。
碳化硅(SiC)已經(jīng)成為一個(gè)明確的選擇,因?yàn)樗呀?jīng)成熟并且是第三代?;?SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢(shì),特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...
用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1577 0
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