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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

降低 SiC 電阻之路

本文基于PGC 咨詢公司進行的分析，研究了當今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了這些問題，包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化，這有...

2022-07-29 標簽：電阻 MOSFET SiC 1967 0

半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

摘要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

2023-05-23 標簽：集成電路半導體工藝 1964 0

碳化硅功率器件的結構和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。

2023-09-28 標簽：半導體功率器件 SiC 1961 0

使用隔離式柵極驅動器和DC-DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電力開發(fā)的成功取決于電力轉換方案的有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件以及用于打開和關閉這些半導體的策略，這...

2023-02-22 標簽：轉換器驅動器 SiC 1955 0

SiC器件如何提升電動汽車的系統(tǒng)效率

SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現(xiàn)。

2024-03-18 標簽：電動汽車新能源汽車電機控制器 1944 0

SiC MOSFET模塊串擾應用對策

SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領域[2-9] ，展示了新技術的優(yōu)良特性。

2024-02-19 標簽：MOSFET 數(shù)字示波器 SiC 1940 0

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET 功率器件互連技術 1937 0

提高開關電源效率的方法

提高開關電源效率是一個復雜但至關重要的任務，它直接影響到電源系統(tǒng)的性能、穩(wěn)定性和能耗。開關電源的效率通常定義為輸出功率與輸入功率之比，高效率意味著更少的...

2024-10-10 標簽：變壓器開關電源 SiC 1936 0

三相三電平PFC電路中SiC二極管的選擇

母線電容過壓時，軟件及時判斷并進行關脈沖處理，除此之外，母線電容上還需要并聯(lián)TVS，才能在軟件保護無效時，通過TVS保護母線電容。

2023-03-23 標簽：二極管 TVS SiC 1932 0

淺談SiC MOSFET的驅動與保護

米勒平臺產(chǎn)生的原因，是在MOSFET開通過程中，當DS之間電壓從高到低跳變時，門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電，不給柵-源電容Cgc充電，從而V...

2023-09-08 標簽：英飛凌 MOSFET IGBT 1926 0

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會上，特斯拉表示下一代汽車平臺的動力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標簽：微控制器電動汽車 SiC 1924 0

SiC-MOSFET體二極管的特性說明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFE...

2023-02-08 標簽：MOSFET IGBT SiC 1923 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于M...

2023-09-05 標簽：二極管太陽能半導體 1923 0

SiC MOSFET柵極驅動電路的優(yōu)化方案

在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標簽：MOSFET 開關電源驅動電路 1913 0

用于電力電子設計的高性能SiC MOSFET技術

一個合適的設備概念應該允許一定的設計自由度，以便適應各種任務配置文件的需求，而無需對處理和布局進行重大更改。然而，關鍵性能指標仍將是所選設備概念的低面積...

2022-07-28 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1912 0

模塊輸出的有效電流和母線電壓以及開關頻率的關系

這是某大廠的1200V SiC模塊，雖然規(guī)格書上只寫了標稱電流IDN=400V

2023-11-15 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 1905 0

碳化硅二極管的應用

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-05 標簽：二極管 SiC 碳化硅 1900 0

GaN和SiC功率器件的特性和應用

如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標簽：半導體 SiC 氮化鎵 1899 0

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個...

2023-04-06 標簽：芯片 MOSFET SiC 1897 0

為什么礦機電源對效率和可靠性要求越來越高

作為半導體材料，SiC具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升，比如更低的開關損耗和導...

2023-05-19 標簽：電源半導體 SiC 1882 0

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