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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC功率器件中的溝槽結構測量

汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率...

2024-10-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 783 0

碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

隨著全球對能效和環(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。

2024-04-02 標簽：半導體逆變器功率器件 783 0

電源設計說明：如何優(yōu)化您的SiC器件

采用 SiC 電子元件的電力電子設備越來越多地用于工業(yè)、家用和汽車電源中最苛刻的開關操作。電路的實現(xiàn)顯然不是隨機執(zhí)行的，而是遵循精確的計算路線和數(shù)...

2022-08-04 標簽：電源設計 SiC 計算器 779 0

SiC MOSFET的靜態(tài)特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐...

2025-03-12 標簽：芯片 MOSFET IGBT 776 0

安森美應用于UPS的SiC方案

隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源(UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨...

2022-07-12 標簽：UPS SiC 碳化硅 775 0

低邊SiC MOSFET關斷時的行為

通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅動器 SiC 775 0

在橋式結構中的注意事項：探頭的CMRR

在對橋式結構中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會...

2023-02-22 標簽：MOSFET 波形探頭 770 0

借助SpeedFit設計仿真軟件縮短比較分析的時間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點，因此很多應用都能從運用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標簽：IGBT 晶體管 SiC 769 0

采用先進Wolfspeed SiC技術，滿足最新能效標準

對于電動汽車（其采用 90 kW 至 350 kW 以上的動力總成逆變器）而言，提高效率、減小尺寸、減輕重量可最大限度提高車輛續(xù)航里程。Wolfspee...

2023-05-20 標簽：電動汽車逆變器 SiC 763 0

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應用

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...

2024-11-26 標簽：半導體功率器件 SiC 755 0

橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時

2023-12-05 標簽：驅動器電壓柵極 755 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導體特性。

2024-03-26 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 754 0

SiC JFET并聯(lián)設計和測試中的最佳實踐

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點介紹了SiCJFET并聯(lián)...

2025-03-06 標簽：并聯(lián)原理圖 JFET 750 0

SiC與功率器件半導體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標簽：晶閘管 MOS 功率器件 749 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。

2023-04-14 標簽：肖特基二極管 SiC GaN 749 0

SiC FET在固態(tài)斷路器應用中的沖擊電流處理能力

固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機械斷路器具有多種優(yōu)勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其...

2024-08-20 標簽：固態(tài)斷路器 SiC 747 0

芯力特SIT1462Q CAN FD收發(fā)器簡介

芯力特是國內首個量產CAN收發(fā)器和CAN FD收發(fā)器的公司，SIT1462Q作為芯力特全新一代收發(fā)器產品搭載了芯力特多年來在CAN收發(fā)器接口產品研發(fā)的經...

2025-03-25 標簽：接口 SiC CAN收發(fā)器 745 0

低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作

當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事...

2023-02-28 標簽：MOSFET SiC 電動勢 742 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應用場景

碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 738 0

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — 進行正確的比較

SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進行正確的比較

2023-09-27 標簽：MOSFET FET SiC 738 0

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