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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 697 0
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽:肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 685 0
介紹SiC肖特基二級管在充電機AC-DC和DC-DC電路中的應(yīng)用
車載充電機是電動汽車內(nèi)部的核心部件,其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令,動態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù),完成電動汽車的充電過程。
如何設(shè)計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計IGBT或SiCFET橋接電路時,門驅(qū)動電路的正確設(shè)計與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對系統(tǒng)效率的不斷追求,SiC 功率半導(dǎo)體市場將迎來前所未有的增速。
2023-11-07 標(biāo)簽:新能源汽車SiC功率半導(dǎo)體 677 0
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點,可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本...
使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...
壓縮機是汽車空調(diào)的一部分,它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力,通過皮帶...
基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)
太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
在上一篇文章中,對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。
意法半導(dǎo)體一年一度的工業(yè)峰會于近日在深圳福田香格里拉大酒店舉辦,工業(yè)峰會是意法半導(dǎo)體充分展示工業(yè)產(chǎn)品技術(shù)和解決方案廣度和深度的頂級盛會,今年已經(jīng)進行到第...
2024-11-06 標(biāo)簽:電動汽車意法半導(dǎo)體SiC 665 0
圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實現(xiàn)承諾的效率增益
互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰首先創(chuàng)造了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞,但它一定是在異想天開和靈感的時刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中,該電路可以實現(xiàn)功率...
SiC模塊解決儲能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點
碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問題,尤其在儲能變流器(PCS)等高...
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