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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計(jì)、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中,晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā),嚴(yán)重影響外延膜的質(zhì)...
硅碳化物(SiC)是一種重要的半導(dǎo)體材料,近年來因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管(Metal-Oxide-Semi...
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 648 0
如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢,這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動(dòng)汽車行駛里程)和 SiC 過沖(影響可靠性)。
本文采用的DTS(DieTopSystem)技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝,此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。
許多電力工程師都知道如何使用其手工原型獲得可行的成果,但在生產(chǎn)環(huán)境中,我們需要更好地控制腳端彎曲。否則,可能會(huì)引起數(shù)不盡的問題。本博客文章討論了獲得可靠...
一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅(qū)動(dòng)方法
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢,系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不...
2024-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 634 0
電動(dòng)汽車因其在質(zhì)量、功能簡單性以及最重要的能源效率方面的環(huán)保特性而變得越來越流行。功能推力由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),與內(nèi)燃機(jī)相比,電動(dòng)機(jī)的結(jié)構(gòu)簡單。在能源效率方面,...
2022-07-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)SiC 633 0
安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。
負(fù)反饋什么時(shí)候會(huì)變成正反饋?當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇,...
現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率,同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求,適用于廣泛的領(lǐng)域,包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種...
SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用問題
電動(dòng)汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機(jī)、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
2024-09-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 627 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡化碳化硅部件評(píng)估過程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間
新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來滿足電動(dòng)汽車 (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏?、更高效?..
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 622 0
高電壓平臺(tái)和SiC碳化硅功率開關(guān)的核心
電流方面,峰值充電電流可達(dá)600+A;電壓方面,量產(chǎn)電動(dòng)車的架構(gòu)電壓普遍在400-500V,而小鵬實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超行業(yè)平均工作電壓的800V級(jí),并可兼容不同電...
2023-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車功率開關(guān)SiC 621 0
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
2023-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTSiC 619 0
安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...
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