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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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隨著人工智能持續(xù)重新定義計(jì)算的邊界，為這些進(jìn)步提供動(dòng)力的基礎(chǔ)設(shè)施也必須同步發(fā)展。作為功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者，羅姆很榮幸成為支持英偉達(dá)全新800V...

2025-06-25 標(biāo)簽：SiC HVDC 羅姆 323 0

第六屆電子熱點(diǎn)峰會(huì)迎來(lái)報(bào)名高峰：六大論壇聯(lián)動(dòng)百企展示

導(dǎo)語(yǔ)：6月26–27日，2025年?yáng)|莞電子熱點(diǎn)解決方案創(chuàng)新峰會(huì)即將開(kāi)幕，六大論壇、百家展商集結(jié)，當(dāng)前報(bào)名持續(xù)火熱，參會(huì)工程師請(qǐng)盡快鎖定席位！隨著終端系...

2025-06-25 標(biāo)簽：AI SiC bms 99 0

傾佳電子：SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng)，引領(lǐng)能效革命

傾佳電子：碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng)，引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革，正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下，混合...

2025-06-25 標(biāo)簽：光伏功率器件 SiC 139 0

全球最大SiC襯底廠商破產(chǎn)！年內(nèi)有望完成重組

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）? 當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月22日，全球最大的碳化硅襯底制造商Wolfspeed正式宣告破產(chǎn)，并公布了與主要債權(quán)人達(dá)成的《支持重組協(xié)議...

2025-06-24 標(biāo)簽：SiC 4676 0

SiC/磁材破局關(guān)鍵戰(zhàn)！百余位技術(shù)精英聚首東莞

在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下，光儲(chǔ)充產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，但效率瓶頸、安全焦慮與成本高壓仍是橫亙?cè)谛袠I(yè)面前的三座大山。 6月26日，第十六屆光儲(chǔ)充關(guān)鍵元器件技術(shù)...

2025-06-23 標(biāo)簽：SiC 134 0

SiC、磁集成、AI調(diào)度、雙向逆變，這場(chǎng)會(huì)把光儲(chǔ)充系統(tǒng)問(wèn)題講透了

在光伏、儲(chǔ)能與充電樁系統(tǒng)融合趨勢(shì)下，元器件定義方式、協(xié)同方式與系統(tǒng)集成路徑的在發(fā)生變化，磁性元件、功率開(kāi)關(guān)器件、驅(qū)動(dòng)芯片、封裝材料與導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)等元器件必須...

2025-06-23 標(biāo)簽：光伏 AI SiC 166 0

基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS解決方案：效率躍升1%

傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS解決方案：效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲(chǔ)能市場(chǎng)向高功率密度、高效率方向快速演進(jìn)，傳統(tǒng)IGBT方案...

2025-06-23 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能變流器 99 0

英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)

英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù)，可在Totem Pole、ANPC、Vie...

2025-06-20 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 336 0

東芝推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能

日本川崎——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...

2025-06-20 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 東芝 304 0

新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板

新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板該虛擬設(shè)計(jì)（提供設(shè)計(jì)文件，不提供實(shí)物產(chǎn)品）為3L-ANPC拓?fù)洌菐Ц綦x的三相...

2025-06-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 評(píng)估板 465 0

SGS亮相第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇

近日，第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開(kāi)，作為國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)，SGS受邀出席并發(fā)表《車規(guī)功率器件可靠性認(rèn)證與SiC適用性探討》主題演講，...

2025-06-17 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 454 0

2025 OktoberTech?精彩回顧一： CoolSiC?碳化硅新品發(fā)布，性能指標(biāo)領(lǐng)跑全行業(yè)

近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)在上海順利落下帷幕。本次活動(dòng)中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，...

2025-06-17 標(biāo)簽：英飛凌 SiC 碳化硅 515 0

方正微電子精彩亮相SNEC 2025

近日，在第十八屆SNEC PV展，深圳方正微電子（FMIC）首次以“SiC功率專家”的品牌形象成功亮相光儲(chǔ)行業(yè)，向客戶展示了第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品在智慧...

2025-06-17 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體 SiC 378 0

突發(fā)！歐系Tier1拋售6寸SiC晶圓廠，牽一發(fā)而動(dòng)全身

第三類半導(dǎo)體碳化矽（SiC）自 2023 年由中系業(yè)者打破過(guò)往料源產(chǎn)出瓶頸后，不僅打通了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的上下游通道，實(shí)現(xiàn)供貨順暢且成本快速下降，同時(shí)也如同一面...

2025-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓廠 SiC 159 0

突破性能邊界：基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景

突破性能邊界：基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景 ? ? ? ? 在高效能電力電子系統(tǒng)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（Si...

2025-06-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 170 0

SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。...

2025-06-14 標(biāo)簽：SiC 共源共柵 Cascode 118 0

新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSF...

2025-06-10 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 522 0

SiC戰(zhàn)場(chǎng)轉(zhuǎn)向國(guó)內(nèi)？三款SiC MOSFET新品齊發(fā)，導(dǎo)通損耗再降50%

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）碳化硅（SiC）MOSFET已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)演進(jìn)的重要方向。相比其他現(xiàn)有技術(shù)，SiC MOSFET在性能上展現(xiàn)出顯...

2025-06-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 4167 0

CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述

英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相...

2025-06-09 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 467 0

為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET

采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素...

2025-06-09 標(biāo)簽：MOSFET 服務(wù)器意法半導(dǎo)體 336 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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