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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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?固態(tài)電容快速充放電特性在車載無線充電樁中的應用案例突破路徑
隨著新能源車對高功率無線充電(如11kW~22kW)需求的增長,充電樁需在高溫、高頻場景下實現(xiàn)快速充放電與低損耗。平尚科技基于車規(guī)級認證標準,通過導電高...
碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應用中,米勒鉗位功能至關重要,主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓撲、光伏逆...
芯聯(lián)集成2024年營收65.09億元:SiC業(yè)務領跑亞洲
近日,國內(nèi)半導體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績公告。數(shù)據(jù)顯示,公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入65.09億元,其中主營業(yè)務收入62.76億元,同比增長27.8%...
浮思特 | SiC技術2025:突破性進展與產(chǎn)業(yè)變革
隨著電動汽車、可再生能源系統(tǒng)和高性能計算等新興技術將傳統(tǒng)硅技術推向極限,材料科學正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導體技術面臨著在多樣化嚴苛應用中實...
近日,在上海舉辦的慕尼黑電子展上,深圳方正微電子有限公司與上海愛衛(wèi)藍科技有限公司(以下簡稱“愛衛(wèi)藍新能源”)簽訂了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議,建設新能源電動壓縮機...
碳化硅(SiC)作為第三代半導體的核心材料,憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領域展現(xiàn)出巨大的應...
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理
近日,半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進的共封裝設計,具備...
萬年芯視角下關稅沖擊下如何重塑半導體產(chǎn)業(yè)格局
中美關稅沖擊愈演愈烈,中國半導體產(chǎn)業(yè)置身于風暴中心,承受著巨大的壓力。然而,危與機總是并存,江西萬年芯微電子有限公司作為半導體行業(yè)的一員,正努力尋找突破...
此前,2025年4月15日至17日,東海半導體攜前沿技術與創(chuàng)新成果亮相2025慕尼黑上海電子展。作為全球電子行業(yè)的重要交流平臺,本次展會匯聚了來自世界各...
軟件定義時代:CAN SIC如何升級電動汽車的通信網(wǎng)絡?
本文探討了軟件定義汽車(SDV)對汽車行業(yè)的影響,以及實現(xiàn)這一目標的硬件和軟件可升級的汽車。其中,軟件定義電動汽車(SDEV)需要具備動態(tài)、選擇性地開啟...
比亞迪 · 超級e平臺 · 技術方案的全面揭秘 | 第二曲:1500V SiC功率半導體的秘密
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關于最新比亞迪超級e平臺的技術方案深度揭秘,共四部分-文字原創(chuàng),素材來源:比亞迪,Danfoss,B...
是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態(tài)特性
第三代半導體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻...
對比三款主驅(qū)逆變器,SiC和Si IGBT差距巨大!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)從去年開始,20萬價位以上的純電車型,基本已經(jīng)在主驅(qū)電機逆變器上使用了SiC功率模塊。甚至在2025年,SiC主驅(qū)已經(jīng)被下...
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案
SiC碳化硅MOSFET正負壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商柵氧可靠性危機與破局分析
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC(車載充電機)等領域出現(xiàn)柵氧可靠性問題后,行業(yè)面臨嚴峻挑戰(zhàn)。面對國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠家柵氧可靠...
終端用戶去美國化的趨勢下國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)自立自強的策略分析
在終端用戶半導體全面去美國化的趨勢下,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)需以產(chǎn)品質(zhì)量為核心,突破技術壁壘、重構(gòu)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)、強化標準與認證體系,并摒棄短視投...
全SiC碳化硅家用單相光伏逆變器設計方案(基于B3M040065Z和B3D20065H)
家用全SiC碳化硅單相光伏逆變器設計方案(基于B3M040065Z和B3D20065H) 1. 系統(tǒng)架構(gòu) 輸入:光伏板直流輸入(假設電壓范圍:100-4...
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