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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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香港科技大學(xué)陳敬課題組揭示GaN與SiC材料的最新研究進(jìn)展
香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組,在第70屆國際電子器件大會(huì)(IEEE International Electron Devices Mee...
近日,英飛凌宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:將于本季度向客戶交付首批基于先進(jìn)的200mm(即8英寸)晶圓SiC(碳化硅)技術(shù)的產(chǎn)品。這一消息的發(fā)布,標(biāo)志著英飛凌在S...
2025-02-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌晶圓 436 0
眾所周知,幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的,使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵...
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)...
2025-02-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌SiC 2560 0
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進(jìn)的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)2...
基于國產(chǎn)SiC模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
傾佳電子楊茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模塊的50kW數(shù)據(jù)中心HVDC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì) ...
2025-02-23 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心SiC電源系統(tǒng) 475 0
華潤微電子推出多領(lǐng)域應(yīng)用功率模塊新品
近日,西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發(fā)布會(huì)。發(fā)布了基于高壓超結(jié)MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅(qū)模塊及IPM模塊等系列新品主要應(yīng)用...
安徽省首條先進(jìn)SiC車規(guī)功率模塊產(chǎn)線成功下線
2月11日上午,在合肥市經(jīng)開區(qū)領(lǐng)導(dǎo)、戰(zhàn)略投資方代表及數(shù)十家新能源汽車和eVTOL航空器頭部企業(yè)百余位嘉賓的共同見證下,鈞聯(lián)電子安徽省首條先進(jìn)工藝SiC車...
BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓
SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì),使其成為電力電子應(yīng)用中的首選,推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...
2025-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電壓 416 0
導(dǎo)通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2月12日,Wolfspeed宣布推出全新的第4代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái),該平臺(tái)從設(shè)計(jì)端就考慮耐久性和高效性,同時(shí)還能降低系...
2025-02-13 標(biāo)簽:SiC 946 0
125KW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
傾佳電子楊茜分析在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)應(yīng)用中,國產(chǎn)SiC(碳化硅)模塊全面取代傳統(tǒng)老舊IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下方面: ? 傾...
2025-02-11 標(biāo)簽:IGBTSiC儲(chǔ)能變流器 351 0
易星新材料獲Pre-A輪融資,精進(jìn)SiC研磨減薄技術(shù)
近日,西安易星新材料有限公司(簡(jiǎn)稱“易星新材料”)成功宣布完成數(shù)千萬元的Pre-A輪融資。本輪融資由西高投旗下基金獨(dú)家出資,為公司未來的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳...
2025-02-10 標(biāo)簽:SiC感應(yīng)電源碳化硅 398 0
英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...
新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...
英飛凌科技:看好新能源汽車和AIoT市場(chǎng)增長潛力,打造創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶增加價(jià)值
英飛凌科技表示:“2024 財(cái)年,英飛凌表現(xiàn)良好,業(yè)績符合預(yù)期?;仡櫧鼛啄?,電子行業(yè)既承載了低碳化數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來的機(jī)遇,也面臨著由市場(chǎng)波動(dòng)和不確定性帶來...
來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。...
AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用:典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用:典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
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