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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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聯(lián)合電子首款800V高壓平臺逆變磚產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)交付
近日,聯(lián)合電子首款800V高壓平臺逆變磚產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)交付,標(biāo)志著聯(lián)合電子在新能源汽車電控領(lǐng)域的又一突破。
Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設(shè),德國半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)
近期,美國半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計劃,此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspe...
2024-10-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管SiC 789 0
中國臺灣與遼寧新增SiC襯底工廠,年產(chǎn)能合計達(dá)7.2萬片
近日,中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成或正在積極推進(jìn)中,合計年產(chǎn)能將達(dá)到7.2萬片。 在中國臺灣,Si...
克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應(yīng)用
幾十年來,硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)2024年踏入最后一個季度,回顧過去一年的功率半導(dǎo)體市場,SiC依然是各大廠商最關(guān)注的領(lǐng)域。自2022年開始,市場上搭載S...
業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
數(shù)據(jù)中心、電動汽車基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備中高效電源解決方案的理想選擇 ? 芝加哥2024年10月22日訊 --?Littelfuse公司(NASDAQ:LF...
日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動汽車?yán)m(xù)航升級
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅(SiC)在電動汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競爭...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場迎來新變革
近期市場消息指出,中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展,推動了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)成本...
【RISC-V產(chǎn)業(yè)資訊】SiC、Chiplet、RISC-V,汽車半導(dǎo)體發(fā)展的三大動力
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合到2027年,汽車半導(dǎo)體整體規(guī)模將超過792億美金。應(yīng)對汽車電子系統(tǒng)日益復(fù)雜的需求,新的技術(shù)趨勢正在不斷...
2024-10-22 標(biāo)簽:SiCRISC-V汽車半導(dǎo)體 921 0
方正微電子:2025年將實現(xiàn)16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS產(chǎn)能
近日,方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進(jìn)展。作為該領(lǐng)域的IDM(垂直整合制造)企業(yè),方正微電子目前擁有兩個fab(制造工廠)。
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片
10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM(集成設(shè)備制造)企業(yè),公司現(xiàn)擁有兩個生產(chǎn)基地(fab)。其中,F(xiàn)ab1已實現(xiàn)每月9000片6英...
IGBT還是SiC?英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
NREL 將為美國戰(zhàn)車設(shè)計 SiC 逆變器
來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 基于 SiC 的推進(jìn)系統(tǒng)將提供四倍的功率,而尺寸僅為前代產(chǎn)品的四分之一 美國國家可再生能源實驗室(NREL)將重新設(shè)計美國地面戰(zhàn)...
芯動半導(dǎo)體與羅姆簽署SiC車載功率模塊合作協(xié)議
近日,長城汽車旗下的無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“芯動半導(dǎo)體”)與全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將以SiC為核心,共同開發(fā)車載功率模...
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代...
2024-10-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1243 0
泰國將建首個SiC工廠,預(yù)計2027年運(yùn)營
泰國近日宣布將建立首家碳化硅(SiC)晶圓工廠,標(biāo)志著該國在半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉,該工廠預(yù)計將于2027年正式投入運(yùn)營,有望為泰國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
SiC和GaN:新一代半導(dǎo)體能否實現(xiàn)長期可靠性?
近年來,電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中,SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動電氣化和強(qiáng)大未來的重要力量。...
Vishay微型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器SiC461ED-T1-GE3
SiC461ED是一個寬輸入電壓、高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器,集成高壓端和低壓端同步降壓調(diào)節(jié)功率MOSFET。其功率MOSFET能夠以高達(dá)2MHz的開關(guān)頻率...
2024-09-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器VishaySiC 1058 0
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