一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場(chǎng)迎來新變革

要長(zhǎng)高 ? 2024-10-22 11:48 ? 次閱讀

近期市場(chǎng)消息指出,中國(guó)新能源汽車和光伏市場(chǎng)的快速發(fā)展,推動(dòng)了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴(kuò)充上的加速。這一趨勢(shì)導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個(gè)環(huán)節(jié)成本顯著下降,特別是SiC襯底、外延以及SiC模塊的價(jià)格降幅明顯。

今年以來,6英寸SiC襯底的價(jià)格持續(xù)下滑,跌幅已近30%。據(jù)行業(yè)人士透露,到2024年中期,6英寸SiC襯底的價(jià)格已跌破500美元大關(guān),逐漸逼近中國(guó)制造商的生產(chǎn)成本線。預(yù)計(jì)在今年第四季度,價(jià)格將進(jìn)一步下滑至450美元甚至400美元,這對(duì)多數(shù)制造商構(gòu)成了財(cái)務(wù)上的壓力。

SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件和應(yīng)用等環(huán)節(jié),其中襯底和外延工藝占據(jù)了整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的70%,襯底的成本比重更是高達(dá)50%。面對(duì)價(jià)格的大幅下滑,行業(yè)內(nèi)主要存在以下三點(diǎn)擔(dān)憂:一是全球SiC晶體生長(zhǎng)及襯底材料新增產(chǎn)能的大幅提升可能引發(fā)短期內(nèi)的供過于求;二是電動(dòng)汽車市場(chǎng)的增長(zhǎng)放緩可能對(duì)未來SiC材料的應(yīng)用可持續(xù)性產(chǎn)生質(zhì)疑;三是價(jià)格戰(zhàn)對(duì)SiC市場(chǎng)定價(jià)的沖擊以及企業(yè)的過渡和成長(zhǎng)問題。

然而,對(duì)于上述擔(dān)憂,行業(yè)內(nèi)也進(jìn)行了深入的探討。在產(chǎn)能釋放方面,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2024年全球市場(chǎng)共新建了14座8英寸碳化硅廠房,短期內(nèi)僅有Wolfspeed的莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓,但從明年開始,將有更多廠家能夠供應(yīng)8英寸碳化硅晶圓。在中國(guó),2023年啟動(dòng)了超過50個(gè)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目,總投資超過900億元;2024年,更有超過100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局,超過50個(gè)碳化硅項(xiàng)目取得了新進(jìn)展。

部分行業(yè)人士認(rèn)為,盡管碳化硅行業(yè)投資巨大,但在當(dāng)前低價(jià)環(huán)境下,能否繼續(xù)維持運(yùn)轉(zhuǎn)成為關(guān)鍵問題。他們預(yù)測(cè),SiC襯底行業(yè)將迎來一波整合兼并潮,屆時(shí)碳化硅產(chǎn)業(yè)版圖將進(jìn)一步刷新。

在市場(chǎng)增量方面,雖然新能源汽車市場(chǎng)近期有疲軟趨勢(shì),但多家碳化硅大廠和車企表示,碳化硅新能源車型持續(xù)增加,8英寸碳化硅或迎來新機(jī)遇。同時(shí),AI人工智能的浪潮也為第三代半導(dǎo)體帶來了新的市場(chǎng)增量。數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。多家公司表示,碳化硅的高功率密度和效率在數(shù)據(jù)中心電源中具有重要作用,能夠幫助實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)方面,盡管價(jià)格戰(zhàn)可能對(duì)廠商的利潤(rùn)率造成壓力,但長(zhǎng)期來看,這將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更高效、更具成本效益的方向發(fā)展,并有助于SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車、光伏、工業(yè)等領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透和應(yīng)用。隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低,這可能成為SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,一些中國(guó)一線供應(yīng)商已經(jīng)進(jìn)入了國(guó)際IDM廠商的功率器件供應(yīng)鏈,并在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持了穩(wěn)定的出貨量、價(jià)格和利潤(rùn)。隨著技術(shù)進(jìn)步和規(guī)模效應(yīng),SiC基板價(jià)格將繼續(xù)下降,從而降低成本并擴(kuò)大下游應(yīng)用。中國(guó)廠商在全球SiC產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局中有望占據(jù)較強(qiáng)優(yōu)勢(shì),并逐步將市場(chǎng)重心轉(zhuǎn)向中國(guó)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    10836

    瀏覽量

    101103
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3095

    瀏覽量

    64098
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2967

    瀏覽量

    49898
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場(chǎng)調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段,其亂象的陣痛期預(yù)計(jì)將持續(xù)3年左右,行業(yè)出清需到2028年前后完成。
    的頭像 發(fā)表于 04-19 14:00 ?123次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年

    東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    的此消彼長(zhǎng)。這一現(xiàn)象不僅是企業(yè)個(gè)體的興衰,更是技術(shù)迭代、政策支持、市場(chǎng)需求與資本流向共同作用的結(jié)果。以下從多個(gè)維度解析這一“東升西降”的產(chǎn)業(yè)格局演變。 Wolfspeed的危機(jī)標(biāo)志著歐美SiC碳化硅功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 03-31 18:03 ?281次閱讀

    BASiC:國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者

    技術(shù)創(chuàng)新、綠色能源轉(zhuǎn)型和多元化應(yīng)用三大趨勢(shì)的驅(qū)動(dòng)下,正迎來結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。在此背景下,BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)憑借技術(shù)深耕與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,展現(xiàn)出顯著的發(fā)展?jié)摿Α?一、國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象
    的頭像 發(fā)表于 03-16 08:11 ?247次閱讀

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)都日趨完善,國(guó)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?433次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

    SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?141次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng),但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?366次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>集中化的必然結(jié)果

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?492次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    SiC市場(chǎng)激烈,萬年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

    2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)市高投入、高研發(fā)、高設(shè)備投入的行
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:41 ?690次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>激烈,萬年芯在<b class='flag-5'>碳化硅</b>領(lǐng)域的深耕與展望

    碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 一、
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?731次閱讀

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?3706次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進(jìn)化到12英寸!

    碳化硅功率器件的原理簡(jiǎn)述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?1044次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的原理簡(jiǎn)述

    中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增,市場(chǎng)或?qū)?b class='flag-5'>迎來價(jià)格戰(zhàn)

    從2023年起,中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地,行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù),國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬大關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 06-03 14:18 ?758次閱讀
    中國(guó)<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底行業(yè)產(chǎn)能激增,<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>或?qū)?b class='flag-5'>迎來</b>價(jià)格戰(zhàn)

    單管20元,碳化硅在車載OBC普及還有多遠(yuǎn)?

    簡(jiǎn)單替代傳統(tǒng)的硅基器件為主,碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)并未能完全發(fā)揮出來。隨著價(jià)格戰(zhàn)不斷升級(jí),成本壓力不斷增加的情況下,降本或?qū)⒊蔀檎麢C(jī)乃至整車廠進(jìn)一步挖掘碳化硅器件性能潛力,加速碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-29 14:56 ?854次閱讀