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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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基于Infineon XMC1400搭配CoolSiC? Mosfet 實(shí)現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙?chǔ)能系統(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長(zhǎng)。2023年,全球家用儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)銷售額達(dá)到了87.4億美元,預(yù)計(jì)...
瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬(wàn)顆 產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性得到驗(yàn)證
來(lái)源:瞻芯電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來(lái),瞻芯電子累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬(wàn)顆以上,其中包...
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。40...
功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場(chǎng)空間分析
功率半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60-70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世...
2024-09-27 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1475 0
【ISES China 2024精彩回顧】半導(dǎo)體精英齊聚,共促產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展
2024國(guó)際汽車半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展交流會(huì)(ISESChina2024)日前在無(wú)錫圓滿落幕。本次活動(dòng)匯聚了全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)的頂尖企業(yè)與精英領(lǐng)袖,共同探索行業(yè)...
電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)-SiC模塊篇
壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分,它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體,再流經(jīng)冷凝器,節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱,實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力,通過(guò)皮帶...
碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價(jià)值戰(zhàn)略咨詢報(bào)告
根據(jù)Global Info Research項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研,預(yù)計(jì)2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達(dá)到2249百萬(wàn)美元,2024-20...
來(lái)源:凌銳半導(dǎo)體 SiC MOS憑借其性能優(yōu)勢(shì)為越來(lái)越多的行業(yè),如儲(chǔ)能,充電樁,光伏逆變器所采用。特別是在采用800V電池系統(tǒng)的新能源車中1200V S...
羅姆的EcoSiC? TRCDRIVE pack? 模塊以小型化、高功率密度及易量產(chǎn)等特點(diǎn),革新了電動(dòng)汽車逆變器技術(shù),推動(dòng)行業(yè)向更高性能和可靠性邁進(jìn)。 ...
近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡(jiǎn)稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示...
營(yíng)收首降,斯達(dá)半導(dǎo)能否找到下一個(gè)風(fēng)口?
作為國(guó)內(nèi)市占率第一、全球排名第六的IGBT龍頭企業(yè),斯達(dá)半導(dǎo)在2024年上半年業(yè)績(jī)突然踩下剎車。昔日的高歌猛進(jìn)為何戛然而止? 8月31日,國(guó)內(nèi)IGBT龍...
專訪博世半導(dǎo)體高管:8英寸SiC產(chǎn)線良率高,用SiC創(chuàng)新應(yīng)對(duì)價(jià)格戰(zhàn)
博世半導(dǎo)體在中國(guó)的策略是怎樣的?在8英寸碳化硅的布局和量產(chǎn)節(jié)奏如何?在此次展會(huì)上,博世半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域帶來(lái)的旗艦產(chǎn)品有哪些優(yōu)勢(shì)?和本土供應(yīng)商對(duì)比,博世...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
1200V三相全橋碳化硅功率模塊,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300...
唯樣代理IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)
近幾年新能源車發(fā)展迅猛,技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車獲得更長(zhǎng)的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要...
合盛新材料8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來(lái)振奮人心的消息,其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC(碳化硅)襯底項(xiàng)目已圓滿實(shí)現(xiàn)全線貫通,標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)...
羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議
近日,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者羅姆半導(dǎo)體公司與中國(guó)汽車行業(yè)的重要綜合性供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司(UAES)正式簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。這一...
2024-09-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC羅姆半導(dǎo)體 648 0
2025年SiC芯片市場(chǎng)大揭秘:中國(guó)降價(jià),產(chǎn)業(yè)變革!
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的背景下,碳化硅(SiC)作為一種新興的高性能半導(dǎo)體材料,正逐步成為推動(dòng)新能源汽車、智能電網(wǎng)、高速通信等領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵力量。近年...
三安半導(dǎo)體與虹安微電子簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,三安半導(dǎo)體與虹安微電子在湖南長(zhǎng)沙成功簽署了一項(xiàng)重要的戰(zhàn)略合作協(xié)議,標(biāo)志著雙方在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的合作邁上了新臺(tái)階。此次合作旨在通過(guò)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,共...
英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度
在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下,電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝...
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