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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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研究人員對(duì)文獻(xiàn)中關(guān)于3C-SiC的實(shí)測(cè)熱導(dǎo)率一直存在一個(gè)困惑：3C-SiC低于結(jié)構(gòu)更復(fù)雜的6H-SiC相，并且低于理論預(yù)測(cè)的k值。這與預(yù)測(cè)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜性和...

2022-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 熱導(dǎo)率 2386 0

國(guó)揚(yáng)公司成功通過(guò)江蘇省專精特新中小企業(yè)和市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心的認(rèn)定

日前，江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專精特新中小企業(yè)名單（第二批），揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司成功入選；同時(shí)，國(guó)揚(yáng)公司也順利通過(guò)了揚(yáng)州市級(jí)企業(yè)技術(shù)中心的認(rèn)...

2022-12-14 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率模塊 2366 0

SiC制造企業(yè)的一場(chǎng)豪賭

為了繼續(xù)滿足強(qiáng)勁的需求，SiC制造商正在或承諾投資數(shù)十億美元建設(shè)新的晶圓廠和工藝，以應(yīng)對(duì)仍處于起步階段的市場(chǎng)。但潛在的問(wèn)題是，SiC產(chǎn)品的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)主要是...

2022-12-13 標(biāo)簽：SiC 供應(yīng)鏈 598 0

采用熔鹽法制備合成方法實(shí)現(xiàn)了BP的高產(chǎn)率

器件的散熱性能是決定電子器件性能、壽命及穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素之一。隨著電子器件微型化、集成化、功能化, 高效散熱問(wèn)題越來(lái)越引起科研人員的廣泛關(guān)注。電子元器件...

2022-12-12 標(biāo)簽：電子元器件 SiC 1830 0

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。

2022-12-12 標(biāo)簽：FET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1025 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析

SiC（碳化硅）器件作為第三代半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...

2022-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1632 0

影響SiC和GaN器件選擇的主要因素有哪些

由于其固有的特性，寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)在許多功率應(yīng)用中正逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV，這是電動(dòng)汽車(chē)逆變...

2022-12-08 標(biāo)簽：SiC GaN 878 0

第三代化合物半導(dǎo)體材料有利于5G基站的應(yīng)用

與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有...

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 5G 1469 0

SiC是怎么制造出來(lái)的？

GaN為橫向組件，生長(zhǎng)在不同基板上，例如SiC或Si基板，為異質(zhì)磊晶技術(shù)，生產(chǎn)出來(lái)的GaN薄膜品質(zhì)較差，雖然目前能應(yīng)用在快充等民生消費(fèi)領(lǐng)域，但用于電動(dòng)車(chē)...

2022-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2891 0

SiC芯片關(guān)鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

在圖形化、刻蝕、化學(xué)掩膜沉積、金屬鍍膜等工藝段，只需在現(xiàn)有設(shè)備上調(diào)整參數(shù)，基本上可以兼容適用。因此，產(chǎn)業(yè)上需要將 Si 基功率器件生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換成 SiC ...

2022-12-02 標(biāo)簽：芯片 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈 4581 0

基于碳化硅(SiC)的MOSFET可實(shí)現(xiàn)更高效率水平

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考...

2022-12-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1919 0

?？瓢雽?dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

國(guó)產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體：引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 ?？瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司碳化硅外延片新聞發(fā)布暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功中國(guó)蘇州，2022年11...

2022-11-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅外延片 3142 0

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆（ROHM）12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣...

2022-11-28 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 785 0

測(cè)不對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)波形的6大原因

開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...

2022-11-28 標(biāo)簽：MOSFET 波形 SiC 1646 0

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...

2022-11-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率半導(dǎo)體 2566 0

SiC性能優(yōu)異，材料升級(jí)勢(shì)在必行

半導(dǎo)體材料按被研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序通常分為三代。第一代：20 世紀(jì) 40 年代，硅（Si）、鍺（Ge）開(kāi)始應(yīng)用，硅的自然儲(chǔ)量大、制備工藝簡(jiǎn)單...

2022-11-23 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體材料 SiC 5144 0

下一代SiC半導(dǎo)體在汽車(chē)中的應(yīng)用

　　這些半導(dǎo)體的一個(gè)引人注目的應(yīng)用是允許電力電子設(shè)備的更高開(kāi)關(guān)頻率，這些電力電子設(shè)備共同充當(dāng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)的“指揮中心”。從 2018 年 6 月開(kāi)...

2022-11-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 824 0

SmartSiC解決方案的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)、研發(fā)、生產(chǎn)情況

通過(guò)重復(fù)利用稀缺的 200mm 單晶供體，Soitec 能夠助力這些大尺寸襯底的快速落地應(yīng)用，賦能市場(chǎng)的增長(zhǎng)。SmartSiC 的優(yōu)化設(shè)計(jì)所帶來(lái)的卓越生...

2022-11-23 標(biāo)簽：單晶 SiC SOITEC 1927 0

國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底捷報(bào)頻出，與海外龍頭差距還有多大？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”，襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分，自然是各家必爭(zhēng)之地。在下游需求帶動(dòng)下，SiC襯底正...

2022-11-23 標(biāo)簽：SiC 2227 0

揚(yáng)杰科技2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕

? -共/創(chuàng)/共/享.同/芯/同/行- 2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕！ ? 合作共贏 2022年11月15-17日，為期三天的“2022慕尼黑華南...

2022-11-18 標(biāo)簽：MOSFET 汽車(chē)電子 IGBT 498 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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