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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要一些額外的專業(yè)知識(shí)
電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西,但是從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí),就需要多注意這些問題了
有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)
以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。
EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)利用 WBG 器件提高能效
為動(dòng)力總成系統(tǒng)尋找高效功率轉(zhuǎn)換解決方案的 EV/HEV 制造商正在通過 WBG 半導(dǎo)體獲得性能提升。
2022-08-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 1317 0
在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。
2022-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器SiC 2134 0
SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?
隨著新型功率晶體管(例如 SiC Mosfets)越來越多地用于電力電子系統(tǒng),因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MO...
2022-08-09 標(biāo)簽:功率器件SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2764 0
SiC MOSFET在汽車應(yīng)用動(dòng)力系統(tǒng)逆變器中的優(yōu)勢(shì)
化硅器件可以在更高的溫度下運(yùn)行,并且可以采用降低的熱設(shè)計(jì)進(jìn)行設(shè)計(jì)。因此,它們?yōu)槠囶I(lǐng)域提供了理想的解決方案。使用 SiC 帶來的其他好處如下: 功率損耗...
服務(wù)器電源、不間斷電源 (UPS) 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用消耗了全球很大一部分電力。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營(yíng)成本。結(jié)合更高的功...
由于閂鎖現(xiàn)象,快速開關(guān)會(huì)產(chǎn)生噪聲瞬變,這可能會(huì)導(dǎo)致調(diào)制丟失甚至對(duì)系統(tǒng)造成永久性損壞。為了解決這個(gè)問題,需要提高用于驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的組件的抗噪能力。開關(guān)過程中的...
2022-08-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)電路SiC 923 0
碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計(jì)提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持...
在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的要求的推動(dòng)下,不間斷電源 (UPS) 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來幾年顯著增長(zhǎng)。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更加數(shù)字化的...
2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心SiC 1075 0
設(shè)計(jì)人員在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備,以減少開關(guān)損耗。
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 512 0
電動(dòng)汽車推動(dòng) SiC 器件的大批量制造需求
電力電子設(shè)備現(xiàn)在正豐富碳化硅 (SiC) 解決方案,以滿足高功率應(yīng)用所需的設(shè)計(jì)參數(shù),從而為系統(tǒng)性能和長(zhǎng)期可靠性做出重要貢獻(xiàn)。 X-FAB Silicon...
用于航空航天和國(guó)防的 GaN 和 SiC 解決方案
WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產(chǎn)品高出幾個(gè)數(shù)量級(jí),包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關(guān)速度能力以及十分之一的能量損失。...
工業(yè)家合作滿足 GaN 和 SiC 市場(chǎng)需求
GaN和 SiC令人印象深刻的品質(zhì)使它們深受業(yè)內(nèi)人士的喜愛。然而,它帶來了滿足生產(chǎn)和供應(yīng)需求的挑戰(zhàn),因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用...
簡(jiǎn)要介紹篩選后器件經(jīng)過馬拉松(Marathon)實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果
目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...
可靠性、創(chuàng)新、整體解決方案……碳化硅的新高度
對(duì)碳化硅 (SiC) 技術(shù)的需求持續(xù)增長(zhǎng),該技術(shù)可最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時(shí)減小其尺寸、重量和成本。但是 SiC 解決方案并不是硅的直接替代...
用于SiC應(yīng)用的低電感可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器模塊
碳化硅半導(dǎo)體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認(rèn)為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆...
2022-08-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器可編程SiC 1064 0
高壓寬帶隙諧振轉(zhuǎn)換器中MLCC的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在 SiC 逆變器中,DC-Link 電容器需要能夠處理高紋波電流、高電壓、高溫 (150C) 和高頻。H 橋中的緩沖電容器需要能夠處理高 dV/dt、...
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