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標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其...
會展動態(tài) | SiC“隱形心臟”引爆技術(shù)革命!TMC2025功率半導(dǎo)體論壇:以點帶面構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新
當(dāng)新能源汽車的續(xù)航焦慮撞上材料科學(xué)的顛覆性突破,一場由碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體主導(dǎo)的“ 效能革命 ”正悄然改寫行業(yè)規(guī)則,同時車規(guī)級功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新已...
2025-03-19 標(biāo)簽:SiC 540 0
2025年3月17日,比亞迪集團執(zhí)行副總裁廉玉波正式宣布,比亞迪發(fā)布了其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級碳化硅(SiC)功率芯片 。這項技術(shù)突破被強調(diào)...
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統(tǒng)成本
近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM),型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(...
國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在2月27日,意法半導(dǎo)體(ST)和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個近年海外半導(dǎo)體巨頭...
只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲能印鈔機狂飆
采用碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲能變流器(PCS)之所以被稱為“印鈔機”,是因為其在效率、成本、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實現(xiàn)了革命性突破,顯著提升了...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲系統(tǒng)電池充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲系統(tǒng)電池PACK充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢 BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢
國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢分析 FP35R12N2T7_...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2024年,SiC市場經(jīng)歷了動蕩的一年。從過去的供不應(yīng)求,受到大規(guī)模產(chǎn)能釋放的影響,迅速轉(zhuǎn)變?yōu)楣┻^于求;另一方面,...
2025-03-17 標(biāo)簽:SiC 3237 0
突破電動汽車動力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸:先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)
隨著汽車市場向主流采用加速,電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石,推動了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿,碳化硅(SiC)功率模塊作為一項關(guān)鍵進(jìn)展,重新定...
2025-03-12 標(biāo)簽:電動汽車SiC動力系統(tǒng) 588 0
瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L
近日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景,提供了高效、低...
國產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲能PCS多維度痛點的技術(shù)優(yōu)勢
BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲能PCS多維度痛點的技術(shù)優(yōu)勢分析 一、效率提升:高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性 低導(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗優(yōu)勢 BMF240R...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計持續(xù)到2028年
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段,其亂象的陣痛期預(yù)計將持續(xù)3年左右,行業(yè)出清需到2028年前后完成。
中國制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場需求共振 ,實現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競爭”...
2025-03-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1203 0
揚杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會
近日,由揚州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚州揚杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚帆起航 共贏未來”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會在揚州隆重舉行。
SiC與GaN技術(shù)專利競爭:新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機遇
在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢,如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價格首次低于進(jìn)口...
近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場,海滄臺商投資區(qū)管委會副主任眭國瑜,士蘭微電子...
全球化合物半導(dǎo)體市場預(yù)計到2030年將達(dá)250億美元!
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場預(yù)測,全球化合物半導(dǎo)體市場到2030年的市場規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年的快...
2025-03-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC化合物半導(dǎo)體 553 0
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...
2025-03-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 479 0
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