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ADA4950-1低功耗、增益可選的差分ADC驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADA4950-1/ADA4950-2是ADA4932-1/ADA4932-2的增益可選版本,具有片上反饋和增益電阻。作為單端至差分或差分至差分放大器,...
ADL5562 2.6GHz 超低失真RF/IF差分放大器技術(shù)手冊
ADL5562是一款專為RF和IF而優(yōu)化的高性能差分放大器。該放大器在寬頻范圍內(nèi)提供2.1 nV/√Hz的低噪聲以及出色的失真性能,從而使其成為驅(qū)動8-...
MAX2658 GPS/GNSS低噪聲放大器技術(shù)手冊
MAX2657/MAX2658是高增益、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計用于GPS L1、Galileo和GLONASS應(yīng)用。器件采用Maxim先進的SiG...
MAX2657 GPS/GNSS低噪聲放大器技術(shù)手冊
MAX2657/MAX2658是高增益、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計用于GPS L1、Galileo和GLONASS應(yīng)用。器件采用Maxim先進的SiG...
MAX2667 GPS/GNSS超低噪聲系數(shù)LNA技術(shù)手冊
MAX2667/MAX2669是高增益、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計用于GPS L1、Galileo和GLONASS應(yīng)用。器件采用Maxim先進的SiG...
MAX2676帶有天線開關(guān)和偏置的GPS/GNSS LNA技術(shù)手冊
MAX2674/MAX2676為超小尺寸、高IP3、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計用于GPS L1、伽利略和GLONASS應(yīng)用。器件采用Maxim先進的S...
MAX2674帶有天線開關(guān)和偏置的GPS/GNSS LNA技術(shù)手冊
MAX2674/MAX2676為超小尺寸、高IP3、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計用于GPS L1、伽利略和GLONASS應(yīng)用。器件采用Maxim先進的S...
MAX2691 L2波段GPS低噪聲放大器技術(shù)手冊
MAX2691低噪聲放大器(LNA)設(shè)計用于GPS L2波段產(chǎn)品。采用Maxim先進的SiGe工藝設(shè)計,在提供高增益和低噪聲系數(shù)的同時,獲得最高的輸入?yún)?..
ADL5205數(shù)字控制、寬帶寬、可變增益雙通道放大器(DGA)技術(shù)手冊
ADL5205是一款數(shù)字控制、寬帶寬、可變增益雙通道放大器(DGA),可以提供精密增益控制、高輸出三階交調(diào)截點(OIP3)和幾乎恒定的噪聲系數(shù)(針對12...
ADL5726 21.2 GHz至23.6 GHz、低噪聲放大器技術(shù)手冊
ADL5726是一款針對微波無線鏈路接收器設(shè)計的窄帶、高性能、低噪聲放大器。單芯片硅鍺(SiGe)設(shè)計在21.2 GHz至23.6 GHz頻率范圍內(nèi)針對...
ADL5725 17.7GHz至19.7GHz、低噪聲放大器技術(shù)手冊
ADL5725是一款針對微波無線鏈路接收器設(shè)計的窄帶、高性能、低噪聲放大器。單芯片硅鍺(SiGe)設(shè)計在17.7 GHz至19.7 GHz頻率范圍內(nèi)針對...
ADL5724 12.7GHz至15.4GHz、低噪聲放大器技術(shù)手冊
ADL5724是一款針對微波無線鏈路接收器設(shè)計的窄帶、高性能、低噪聲放大器。單芯片硅鍺(SiGe)設(shè)計在12.7 GHz至15.4 GHz頻率范圍內(nèi)針對...
ADL5723 10.1GHz至11.7 GHz、低噪聲放大器技術(shù)手冊
ADL5723是一款針對微波無線鏈路接收器設(shè)計的窄帶、高性能、低噪聲放大器。單芯片硅鍺(SiGe)設(shè)計在10.1 GHz至11.7 GHz頻率范圍內(nèi)針對...
ADL5721 5.9GHz至8.5GHz、低噪聲放大器技術(shù)手冊
ADL5721是一款針對微波無線鏈路接收器設(shè)計的窄帶、高性能、低噪聲放大器。單芯片硅鍺(SiGe)設(shè)計在5.9 GHz至8.5 GHz頻率范圍內(nèi)針對微波...
ADL5580具有10dB增益的全差分10GHz ADC驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADL5580 是一款高性能、單端或差分放大器,具有 10 dB 的電壓增益,并針對直流至 10.0 GHz 范圍的應(yīng)用進行優(yōu)化。該放大器在很寬的頻率范...
SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...
與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制
在過去的幾年中,MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng),并導(dǎo)致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而,隨著柵極長度減小到小于...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
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