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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

關(guān)于在Bootloader模式下的應(yīng)用程序下載

STM32 MCU 在 bootloader 模式下，可以通過多種可用外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C、SPI等）將程序下載到內(nèi)部存儲器中,詳細(xì)...

2022-06-16 標(biāo)簽：sram STM32 I2C 4511 0

半導(dǎo)體存儲器簡介

半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在...

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 4483 0

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?

SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么? RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲矩陣（又稱存儲體）、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲矩陣是存儲

2010-03-24 標(biāo)簽：SRAM 4359 0

易失性存儲器(VM)

在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常...

2022-11-29 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 4323 0

賽普拉斯技術(shù)專家支招：怎樣為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇正確的同步SRAM存儲器？

對于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來說，選擇合適的同步SRAM是至關(guān)重要的，因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需要增加帶寬來達(dá)到更好的系統(tǒng)性能。系統(tǒng)設(shè)計人員需要明白不同種同步SRAM技術(shù)的特色和優(yōu)...

2013-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體賽普拉斯存儲器 4247 0

半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)

計算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存儲密度更高，而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導(dǎo)體存儲器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。

2021-10-13 標(biāo)簽：DRAM sram 半導(dǎo)體存儲器 4139 0

如何不使用AMBA的構(gòu)建典型的 SRAM 存儲器系統(tǒng)

一個詳細(xì)的例子，展示了如何設(shè)計一個典型的內(nèi)存系統(tǒng)。該示例假設(shè)一個小端系統(tǒng)，僅使用 SRAM 和 ROM。

2021-06-18 標(biāo)簽：arm 存儲器 sram 4125 0

IS61LV25616AL異步SRAM存儲器功能簡介

IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時間相對較短...

2022-11-25 標(biāo)簽：CMOS 存儲器 sram 4073 0

淺析SRAM的性能及其結(jié)構(gòu)

SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。

2022-11-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 3975 0

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？答：名詞解釋如下 DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)...

2012-11-13 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲器 3943 2

探索存內(nèi)計算—基于 SRAM 的存內(nèi)計算與基于 MRAM 的存算一體的探究

本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...

2024-05-16 標(biāo)簽：存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 3917 0

一文教你如何破解MCU

中央處理器CPU，包括運(yùn)算器、控制器和寄存器組。是MCU內(nèi)部的核心部件，由運(yùn)算部件和控制部件兩大部分組成。前者能完成數(shù)據(jù)的算術(shù)邏輯運(yùn)算、位變量處理和數(shù)據(jù)...

2018-10-16 標(biāo)簽：fpga mcu cpu 3904 0

SRAM和FRAM的共同屬性有哪些

盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。

2020-10-16 標(biāo)簽：sram fram 3760 0

SOC中多片嵌入式SRAM的DFT實(shí)現(xiàn)方法

本文基于MBIST的一般測試方法來對多片SRAM的可測試設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化，提出了一種通過一個MBIST控制邏輯來實(shí)現(xiàn)多片SRAM的MBIST測試的優(yōu)化方法。

2011-12-15 標(biāo)簽：嵌入式 SRAM SOC 3748 0

常用存儲單元的原理和特點(diǎn)

在芯片設(shè)計時，通常需要用到各種類型的存儲單元，用以臨時或者永久地存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場合的不同，所用到的存儲單元也不同。本文對常見的幾個存儲單元進(jìn)行了介紹...

2022-12-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲單元 sram 3585 0

FPGA中常用的存儲器資源

本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源，包括特性、工作原理、應(yīng)用場景等。

2023-08-15 標(biāo)簽：fpga DRAM FlaSh 3561 0

基于SDI 接口的實(shí)時圖像增強(qiáng)顯示系統(tǒng)

為了改善實(shí)時圖像輸出質(zhì)量，研究基于SDI接口的增強(qiáng)顯示系統(tǒng)軟硬件設(shè)計.利用模塊化思想提出一個基于SDI接口輸出的硬件架構(gòu)，以FPGA作為處理核心，通過2...

2014-07-28 標(biāo)簽：FPGA SRAM SDI 3477 0

基于FPGA+SRAM實(shí)現(xiàn)超聲視頻圖像采集系統(tǒng)的設(shè)計

醫(yī)學(xué)超聲診斷成像技術(shù)大多數(shù)采用超聲脈沖回波法，即利用探頭產(chǎn)生超聲波進(jìn)入人體，由人體組織反射產(chǎn)生的回波經(jīng)換能器接收后轉(zhuǎn)換為電信號，經(jīng)過提取、放大、處理，再...

2021-04-18 標(biāo)簽：fpga 嵌入式 sram 3438 0

理解FPGA中的單粒子翻轉(zhuǎn)

現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA，F(xiàn)ield-Programmable Gate Array)是當(dāng)今電子領(lǐng)域不可或缺的一部分，具有出色的靈活性和可配置性。不過...

2023-11-23 標(biāo)簽：fpga sram 可編程門陣列 3398 0

SRAM存算一體芯片的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

人工智能時代對計算芯片的算力和能效都提出了極高要求。存算一體芯片技術(shù)被認(rèn)為是有望解決處理器芯片“存儲墻”瓶頸，大幅提升人工智能算力能效和算力密度的關(guān)鍵技...

2024-01-02 標(biāo)簽：處理器芯片 cpu 3392 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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