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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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SRAM CIM在AI計(jì)算方面的優(yōu)勢(shì)及場(chǎng)景應(yīng)用

9月14-15日，2023全球AI芯片峰會(huì)（GACS 2023）將在深圳灣萬(wàn)麗酒店舉行。峰會(huì)由智一科技旗下芯東西聯(lián)合智猩猩（智東西公開(kāi)課全新品牌）聯(lián)合發(fā)...

2023-09-08 標(biāo)簽：集成電路 sram AI 1637 0

關(guān)于非易失性MRAM應(yīng)用

作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。

2023-08-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 878 0

ch32f103c8t6與stm32f103c8t6的區(qū)別

ch32f103c8t6與stm32f103c8t6的區(qū)別 STM32F103C8T6是一款32位微處理器，屬于STM32F1系列中的一員。它是一款廉價(jià)...

2023-08-22 標(biāo)簽：sram 微處理器 SRAM存儲(chǔ)器 1.3萬(wàn) 0

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)ram。

2023-07-25 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 1749 0

上海矽朋微電子怎么樣？MRAM榮獲“中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”

? — 芯紐帶?新未來(lái)?—7月20日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...

2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 1096 0

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)...

2023-06-28 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 1979 0

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================...

2023-04-06 標(biāo)簽：sram 指針 1430 0

EMI502NF08VM-10C國(guó)產(chǎn)SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機(jī)存取SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個(gè)...

2021-08-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram ISSI 1464 0

M7-0如何訪問(wèn)SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

M7-0如何訪問(wèn)SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？ M7-0可以使用地址映射來(lái)訪問(wèn)SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF。具體來(lái)說(shuō)...

2023-06-01 標(biāo)簽：sram 856 0

賽普拉斯異步高速SRAM芯片CY7C1041GN

賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過(guò)斷言芯片使能（CE）和寫(xiě)入使能（WE）輸入LOW來(lái)執(zhí)行...

2023-05-31 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 1020 0

首款基于Arm Cortex-M7內(nèi)核的超高性能MCU

GD32H7 系列 MCU 配備了 1024KB 到 3840KB 的片上 Flash 及 1024KB 的 SRAM，其中包含 512KB 可配置超大...

2023-05-15 標(biāo)簽：mcu sram 數(shù)字信號(hào)處理 1349 0

國(guó)產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)...

2023-04-27 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器接口 1216 0

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)并口SRAM介紹

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。

2023-03-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 偉凌創(chuàng)芯 2226 0

復(fù)旦微電子榮獲第三十四屆上海市優(yōu)秀發(fā)明選拔賽優(yōu)秀發(fā)明銀獎(jiǎng)

為進(jìn)一步鼓勵(lì)全市廣大職工和青少年開(kāi)展群眾性科技創(chuàng)新活動(dòng)，充分激發(fā)廣大職工和青少年的聰明才智，加快上海建設(shè)具有世界影響力的社會(huì)主義現(xiàn)代化國(guó)際大都市，上海市...

2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路 RFID sram 982 0

現(xiàn)代商用FPGA架構(gòu)的不同關(guān)鍵組件的演變

自三十多年前問(wèn)世以來(lái)，現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGAs)已被廣泛用于實(shí)現(xiàn)來(lái)自不同領(lǐng)域的無(wú)數(shù)應(yīng)用。由于其底層的硬件可重新配置性，與定制設(shè)計(jì)的芯片相比，F(xiàn)PGA...

2023-01-31 標(biāo)簽：fpga sram 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 1407 0

處理器和SRAM成本變高將面臨哪些挑戰(zhàn)

在我們對(duì) Intel Xeon 和 Xeon SP 服務(wù)器 CPU 系列的性能和價(jià)格/性能進(jìn)行了我們自己的分析后一天，這兩個(gè)圖表突然出現(xiàn)，其中標(biāo)準(zhǔn)的主流...

2023-01-31 標(biāo)簽：處理器存儲(chǔ)器 cpu 824 0

澎湃微的S038系列Cortex-M0 MCU介紹

當(dāng)程序在S038的SRAM里運(yùn)行，并且CPU主時(shí)鐘設(shè)置為200M時(shí)，其CoreMark能夠達(dá)到380分，已經(jīng)達(dá)到或超過(guò)目前國(guó)際大廠Cortex-M4 M...

2022-12-29 標(biāo)簽：mcu cpu sram 1028 0

芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)：SRAM縮放速度變慢

臺(tái)積電在今年早些時(shí)候正式推出其 N3 制造技術(shù)時(shí)表示，與其 N5（5 納米級(jí)）工藝相比，新節(jié)點(diǎn)的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒(méi)有透露的是...

2022-12-22 標(biāo)簽：臺(tái)積電 cpu gpu 1823 0

我們將見(jiàn)證SRAM的死亡？

有趣的是，對(duì)于新的 N3E 節(jié)點(diǎn)，高密度 SRAM 位單元尺寸達(dá)到 0.021 μm2，這與他們的 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同，并沒(méi)有縮小。N3B ...

2022-12-16 標(biāo)簽：臺(tái)積電 sram 晶體管 1518 0

?SDRAM與SRAM進(jìn)行比較時(shí)的常見(jiàn)問(wèn)題

存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存?。⊿RAM）只要這種內(nèi)存保持通電，內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以保持不變。當(dāng)電力供應(yīng)終止時(shí)，SRAM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)仍將消退，這與切斷電源后可以存儲(chǔ)資...

2022-12-08 標(biāo)簽：SDRAM 存儲(chǔ)器 sram 1160 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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