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在智能皮電手環(huán)及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)不斷迭代的當(dāng)下，主控 MCU STM32H750 與存儲(chǔ) SD NAND MKDV4GIL-AST 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，正引領(lǐng)行業(yè)進(jìn)入全新發(fā)展階段。二者憑借低功耗、高速讀寫與卓越穩(wěn)定性的深度融合，以及高容量低成本的突出優(yōu)勢(shì)，成為大規(guī)模生產(chǎn)場(chǎng)景下極具競(jìng)爭(zhēng)力的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。...
拋磚引玉，本文僅以最常用的PFC拓?fù)鋪?lái)探討電源設(shè)計(jì)的合理方法，讓電源設(shè)計(jì)盡可能變得透明，科學(xué)和合理，最大限度的提高產(chǎn)品開(kāi)發(fā)效率，降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)然由于本人水平有限，思考和總結(jié)的東西不見(jiàn)得就一定正確，更多的是從工程的角度激發(fā)一下大家的思維，用工程的方法去設(shè)計(jì)產(chǎn)品，好過(guò)用經(jīng)驗(yàn)的方法設(shè)計(jì)產(chǎn)品。...
VICOR公司模塊提供電壓調(diào)整端，調(diào)整方法相似．第一代模塊的電壓調(diào)整范圍為額定電壓輸出值的50％～110％，第二代模塊的電壓調(diào)整范圍為標(biāo)稱電壓輸出值的10％～110％．...
隨著單端反激變換器在高頻高壓場(chǎng)合的應(yīng)用,變壓器寄生參數(shù)的控制對(duì)電路的正常運(yùn)行以及性能優(yōu)化尤為關(guān)鍵。文中對(duì)變壓器分布電容對(duì)電路的影響進(jìn)行了透徹分析,給出了一般性的模型,并以高輸入電壓低輸出電壓場(chǎng)合為例,對(duì)該模型進(jìn)行了等效處理,繼而詳細(xì)分析了分布電容對(duì)電路工作產(chǎn)生的影響,歸納出有意義的結(jié)論,并基于以上研...
綜述在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）作為連接模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的關(guān)鍵橋梁，其技術(shù)發(fā)展對(duì)眾多行業(yè)有著深遠(yuǎn)影響。從通信領(lǐng)域追求更高的數(shù)據(jù)傳輸速率與質(zhì)量，到醫(yī)療影像領(lǐng)域渴望更精準(zhǔn)的疾病診斷，再到工業(yè)控制領(lǐng)域需要適應(yīng)復(fù)雜惡劣環(huán)境的穩(wěn)定信號(hào)處理，ADC的性能提升成為推動(dòng)這些行業(yè)進(jìn)步的重要因素。行業(yè)現(xiàn)狀分...
保持電容的容量可依據(jù)輸出直流電壓的紋波、電源中斷后保持時(shí)間和過(guò)渡時(shí)間計(jì)算確定，如圖1所示。許多應(yīng)用中，輸入電壓中斷一定時(shí)間時(shí)，要求電源保持正常輸出，也就是說(shuō)，變換器必須安全渡過(guò)故障期并保證輸出電壓不變。同樣，許多系統(tǒng)需要電源提供故障預(yù)警信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)安全關(guān)機(jī)。...
CCM 和DCM 的判斷，不是按照初級(jí)電流是否連續(xù)來(lái)判斷的。而是根據(jù)初、次級(jí)的電流合成來(lái)判斷的。只要初、次級(jí)電流不同是為零，就是CCM 模式。而如果存在初、次級(jí)電流同時(shí)為零的狀態(tài)，就是DCM模式。介于二者之間的就是BCM 模式。...
數(shù)十年來(lái)，交流變壓器搭配整流器與線性穩(wěn)壓器廣泛用于產(chǎn)生直流電壓。這類方案體積龐大，且效率低于 60%，導(dǎo)致大量能量轉(zhuǎn)為廢熱損耗。 利用開(kāi)關(guān)式電源進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換的技術(shù)，早在 20 世紀(jì)初就已被發(fā)現(xiàn)。1910 年發(fā)明的汽油引擎點(diǎn)火電路，其實(shí)就是一種反激式轉(zhuǎn)換器，其最大開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)數(shù)百赫茲（見(jiàn)圖1）。...
本文提出雙向塊浮點(diǎn)（BBFP）量化格式及基于其的LLMs加速器BBAL，通過(guò)雙向移位與重疊位設(shè)計(jì)顯著降低量化誤差，提升非線性計(jì)算效率，實(shí)現(xiàn)精度、吞吐量和能效的顯著優(yōu)化，相關(guān)成果被國(guó)際頂級(jí)會(huì)議 DAC 2025 接收。...
對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因?yàn)闁艠O絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也限制了其在超高頻、超高速等領(lǐng)域的應(yīng)用。...
常規(guī)IC封裝需經(jīng)過(guò)將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過(guò)程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術(shù)，在晶圓上構(gòu)建類似IC封裝基板的結(jié)構(gòu)，塑封后可直接安裝在普通PCB上 。這種創(chuàng)新的封裝方式自蘋果A10處理器采用后，在節(jié)約主板表面面積方面成效顯著。根據(jù)線路和焊腳與芯片...
自動(dòng)駕駛領(lǐng)域，仿真與標(biāo)準(zhǔn)接口至關(guān)重要?？抵\aiSim集成ASAM OpenX系列標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)OpenDRIVE、OpenSCENARIO等五大標(biāo)準(zhǔn)，全面優(yōu)化仿真各環(huán)節(jié)，提升測(cè)試效率與規(guī)范性，推動(dòng)自動(dòng)駕駛規(guī)?；涞?。...
多芯片封裝在現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域至關(guān)重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細(xì)分為多芯片3D堆疊引線鍵合封裝、3D堆疊引線鍵合和倒裝異質(zhì)封裝、3DTSV堆疊倒裝封裝等。...
我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。...
EASYEAI Orin-Nano開(kāi)發(fā)板搭載了帶有xfce桌面環(huán)境的Debian系統(tǒng)，支持Qt應(yīng)用程序的開(kāi)發(fā)和運(yùn)行。開(kāi)發(fā)板采用RK3576 CPU，性能強(qiáng)大，可直接在板上編譯Qt應(yīng)用程序，確保最佳兼容性?？焖偕鲜植糠痔峁┝嗽创a工程下載、開(kāi)發(fā)環(huán)境搭建、例程編譯和運(yùn)行的詳細(xì)步驟，建議通過(guò)遠(yuǎn)程掛載管理源碼...
CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使 CVD 技術(shù)被越來(lái)越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)阻擋層的制備。...
本文主要介紹握手的基本概念，讀者可通過(guò)該篇文章對(duì)握手有個(gè)基本概念。...
01開(kāi)關(guān)電源的電路組成開(kāi)關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過(guò)欠壓保護(hù)電路、輸出過(guò)欠壓保護(hù)電路、輸出過(guò)流保護(hù)電路、輸出短路保護(hù)電路等。開(kāi)關(guān)電源的電路組成方框圖如下：02輸入電路的原理及常見(jiàn)電路1AC輸入整...
功率器件（MOSFET/IGBT） 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，功率器件的測(cè)試至關(guān)重要，主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試，Vds peak電壓測(cè)試以及Vgs驅(qū)動(dòng)波形測(cè)試。 根據(jù)IEC 60747-8 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定 ? 而0到t1也就是開(kāi)啟功耗Eon的計(jì)算時(shí)間起點(diǎn)為Ids電流...
傳統(tǒng)上，使用門控時(shí)鐘是 ASIC 設(shè)計(jì)中降低系統(tǒng)功耗的常見(jiàn)方法。通過(guò)門控時(shí)鐘，可在非必要時(shí)阻止整組寄存器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。...
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