完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實(shí)用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。
晶片鍵合是指通過一系列物理過程將兩個或多個基板或晶片相互連接和化學(xué)過程。晶片鍵合用于各種技術(shù)，如MEMS器件制造，其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在晶圓鍵合中有兩種主要的鍵合，臨時鍵合和永久鍵合，兩者都是在促進(jìn)三維集成的技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。...
光刻是在基板表面形成復(fù)雜設(shè)計或結(jié)構(gòu)的過程。光刻技術(shù)已經(jīng)作為一種制造技術(shù)使用了數(shù)百年。它最初是為印刷機(jī)開發(fā)的，現(xiàn)在已經(jīng)成功了作為一種被稱為光刻的微細(xì)制造技術(shù)而被應(yīng)用。...
本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來仔細(xì)檢查圖像放置性能。...
華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費(fèi)產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各種工藝流程(先通孔、中間通孔和最后通孔)影響代工廠和 OSAT 制造地點(diǎn)所需的相對集成水平。 Via last 為工藝集成提供了明顯的優(yōu)勢，包括最大...
鋰離子電池內(nèi)部存在動態(tài)的電化學(xué)反應(yīng)，其對水分、氧氣較為敏感，電芯內(nèi)部存在的有機(jī)溶劑，如電解液等遇水、氧氣等會迅速與電解液中的鋰鹽反應(yīng)生成大量的HF，影響電芯電化學(xué)性能(如容量、循環(huán)壽命)。...
使用Altium Designer右下角的“Panels”按鈕打開“View Configuration”面板，并在該面板中啟用3D Body Reference Point / Custom Snap Points可見性，或View ? Panels ? View Configuration。...
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再現(xiàn)性。在MACE期間，除了酸堿度和溫度、金屬催化劑尺寸和覆蓋密度在化學(xué)鍍過程中起著重要作用。從鍍液濃度和沉積時間方面優(yōu)化MA...
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因?yàn)槠湓谥圃熘械目芍貜?fù)性和均勻性...
從PCB上述各因素的分析是解決印制板溫升的有效途徑，小編認(rèn)為，往往在一個產(chǎn)品和系統(tǒng)中這些因素是互相關(guān)聯(lián)和依賴的，大多數(shù)因素應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況來分析，只有針對某一具體實(shí)際情況才能比較正確地計算或估算出溫升和功耗等參數(shù)。...
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進(jìn)是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預(yù)涂處理還改變...
IC的散熱主要有兩個方向，一個是由封裝上表面?zhèn)鞯娇諝庵?，另一個則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。...
引言 包括GaN和SiC在內(nèi)的寬帶隙半導(dǎo)體已被證明適用于高功率微波電子器件。AlGaN/GaN基本的研究結(jié)果令人印象深刻。雙極***引力。然而，由于普通材料的活化能較大，已經(jīng)證明在GaN膜中實(shí)現(xiàn)高p型導(dǎo)電性非常困難。這導(dǎo)致GaN N-p-n異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBTs)中的基極電阻過大。在本文...
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。...
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進(jìn)是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性...
能夠在相同或更小的占用空間內(nèi)將 256 MB DDR SiP 升級到 512 MB 的 64M x 72 或 1 GB 的 128M x 72，從而滿足技術(shù)更新或預(yù)先計劃的產(chǎn)品改進(jìn)需求...
硫酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見清潔和表面處理順序:...
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子對于蝕刻反應(yīng)具有不同的活化能，并且Si的KOH蝕刻不受擴(kuò)散限制而是受蝕刻速率限制，所以蝕刻過程各向異性...
近年來，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時代的到來，對射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電子遷移率成為該領(lǐng)域的新興材料，在大功率、射頻、高頻微波等應(yīng)用領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景 。...
也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封...
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
