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微縮（即縮小芯片中的微小器件，如晶體管和存儲單元）從來都不是容易的事情，但要想讓下一代先進邏輯和存儲器件成為現(xiàn)實，就需要在原子級的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。...
在本技術(shù)白皮書中，英飛凌審視了車載充電器設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)，細(xì)致深入地考察了半導(dǎo)體封裝對于打造解決方案所起的作用。本文還探討了一種頂部散熱的創(chuàng)新方法，該方法可用于一系列高性能元器件，以供設(shè)計人員選用。...
半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。...
摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X 1020cm-3的施主型雜質(zhì)和濃度為X1018cm-3至5.99 X1020 cm-3的受主型雜質(zhì)，其中施主型雜質(zhì)...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。對于實現(xiàn)先進的氮化鎵器件，如激光二極管或高功率燈，對低線程位錯密度(<106cm-2)的高質(zhì)量氮化鎵襯底有很強的需求。...
在這篇文章中，我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設(shè)備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。...
本文討論了傳統(tǒng)MLCC技術(shù)的最新技術(shù)，并將該技術(shù)與潛在的MLCC薄膜制造技術(shù)進行了比較,討論了MLCC制造、相關(guān)限制、潛在制造技術(shù)和設(shè)計理念方面的薄膜技術(shù)的實用性。同時還考慮了電子行業(yè)的總體趨勢的影響、MLCC形狀因子的預(yù)期演變以及薄膜技術(shù)作為一種潛在可行的未來MLCC制造方法的一般器件要求。 由于...
摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因為表面重建而是光滑的。通過這種方式，我們解釋了在001方向上KOH...
摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa)，以及在低溫下生長的能力(450C)，這推動了NCD薄膜生長和應(yīng)用的復(fù)興。然而，由于晶體的競爭生長，所產(chǎn)生的薄膜的粗糙度隨著薄膜厚度的增加而變化，阻止了NCD薄膜在需要光滑薄膜的器件中達到其全部潛力。為了減少這種粗糙度，薄...
摘要 我們?nèi)A林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結(jié)果中，蝕刻浴組成的吉布斯三角形被劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機制相對應(yīng)的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的...
增加電路密度而不必移動到新技術(shù)節(jié)點的優(yōu)勢使得垂直擴展成為半導(dǎo)體行業(yè)的強大驅(qū)動力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。...
本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì)，包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)，并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu)，氧化鋅的機械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在的應(yīng)用。 晶體結(jié)構(gòu) 在環(huán)境壓力和溫度下，氧化鋅在纖鋅礦(B4型)結(jié)構(gòu)中結(jié)晶，如圖1.1所示。這是一個六邊形晶格，屬于空間群P63mc，其特征在于Zn...
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比為2比4，w (97%-H2SO4)0.3.對于較高濃...
引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率和氧化機理。除了草酸的鈍化性能外，其他銅的電化學(xué)行為都觀察出類似的電化行為。有機酸與稀釋的氫氟酸的相互作用，顯著降低了銅的溶解速率。 實驗 電化學(xué)分...
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿性溶液。許多報告表明，硫可以用來鈍化III-V表面。本研究通過SRPES研究了濕化學(xué)處理后的一個(nh4)2s鈍化步驟的影響。...
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強度內(nèi)聚能1.89 eV，熔點2248 K，高激子結(jié)合能60 meV，即使在高溫下也能產(chǎn)生有效的激子光學(xué)躍遷，使其對電子和光電應(yīng)用很有吸引力。此外，氧化鋅還在納米結(jié)構(gòu)...
Micro-Punch 工具對模具的數(shù)量或位置沒有限制；它可以適應(yīng)任何 DBC 尺寸或配置，它可以獨立壓制最薄和最小的模具，即使它們彼此非常接近。...
引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個原子，只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級原子結(jié)構(gòu)的機會。原子平坦的表面也應(yīng)該是原子清潔的，因為氧化物和污染會引響原子尺度的粗糙度。原子平坦和清潔的表面也需要許多在微和光電子的應(yīng)用。 實驗 實驗是...
引言 人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例如與航空航天、汽車和石油工業(yè)相關(guān)的領(lǐng)域，需要能夠在高功率水平、高溫、高頻和惡劣環(huán)境下工作的電子設(shè)備。硅(Si)不能滿足這些要求；碳化硅可以。此外，由...
關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確...
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