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摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度、鐵(III)氯離子濃度、溶解鋁濃度對蝕刻電路質(zhì)量和蝕刻速率的影響。蝕刻系統(tǒng)允許在制備和電路處理中發(fā)生合...
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正磷酸濃度從50%到 95%(v/v)s多磷酸濃度從50%到5%的變化的敏感性(v/v),氯化鐵(III...
“Thick Film Lithography”字面上直譯為“厚膜光刻”或“厚膜光蝕”。事實(shí)上，“厚膜光刻”雖然目前應(yīng)用的領(lǐng)域沒有達(dá)到廣泛普及的程度，只是應(yīng)用于業(yè)內(nèi)前沿產(chǎn)品，但也是業(yè)界熟知的工藝，早在上世紀(jì)末，該技術(shù)已有針對PDP的商業(yè)化應(yīng)用，國內(nèi)外已開始相關(guān)研究。...
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會堆積膜。目前，在桔葉式設(shè)備中，冷卻晶片背面膜的方法是翻轉(zhuǎn)。翻轉(zhuǎn)晶片進(jìn)行蝕刻工藝的話，蝕刻均勻度最好在1%以下。因此，如果一面進(jìn)行工程，工程時(shí)間將增加一倍...
關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機(jī)制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明，在室溫下，非晶相的腐蝕速率是純堇青石晶體的218倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氫溶液中的活化能分別為52.5和30.6千焦/摩爾。非晶相完全溶解所需的...
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機(jī)制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解是在集成電路制造的一個(gè)基本步驟。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高頻溶液中的蝕刻速率作為濃度、溫度、氧化物...
引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究了IPA蒸汽干燥后異丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。結(jié)果表明，在這些實(shí)驗(yàn)條件下，定性和定量的微量雜質(zhì)小至單分子...
引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項(xiàng)研究中，銅在50℃用兩種不同的蝕刻劑(氯化鐵和氯化銅)進(jìn)行化學(xué)蝕刻。研究了選擇的蝕刻劑和加工條件對蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實(shí)...
引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附力以及添加劑對顆粒粘附和去除的作用。清潔溶液。加入檸檬酸后，由于檸檬酸鹽的吸附作用，二氧化硅和銅的ζ電位略有增加。檸檬酸被吸附...
關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 解了什么樣的雜質(zhì)會給半導(dǎo)體器件帶來什么樣的壞影響。 作為半導(dǎo)體器件制造中的雜質(zhì)，大致可以分為粒子、殘?jiān)⒔饘?、有機(jī)物。粒子會妨礙布線圖案的正常形成...
引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕，并用D2400剪切測試儀測量界面粘合。在同一樣品的不同部分發(fā)現(xiàn)不同的粘合強(qiáng)度。在基材的中心觀察到比旋涂粘合膜的其他位置更高的粘合強(qiáng)度。在沉積和固化的粘合劑層受熱后也測量粘合強(qiáng)度，以...
本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng)，利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對晶片形成圖案，并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽極位置優(yōu)化、多步驟TSV填充過程、添加劑濃度和電鍍電流密度優(yōu)化，在保持無空隙填充輪廓的同時(shí)提高填充效率，通過tsv的晶片段電鍍,驗(yàn)證了其可用性。利用...
摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物，還可以消除包含特征的蝕刻金屬的表面腐蝕。此外，我們還利用聚對苯二甲酸乙二 醇酯(PET)通過將薄膜從親水改性為疏水來修復(fù)低k損傷和...
摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文討論了表面處理參數(shù)的特點(diǎn)及其影響。硅技術(shù)中RCA濕化學(xué)處理的特性基于SC-1和QDR的處理時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率。提出了一種通...
引言 我們展示了一個(gè)利用高質(zhì)量的絕緣體上鍺(GeO)晶片通過晶片鍵合技術(shù)制造的阿格/非晶硅混合光子集成電路平臺的概念驗(yàn)證演示。通過等離子體化學(xué)氣相沉積形成的非晶硅被認(rèn)為是傳統(tǒng)硅無源波導(dǎo)的一種有前途的替代物。利用鍺有源層的高晶體質(zhì)量和非晶硅波導(dǎo)的易制造性，在鍺硅晶片上成功地實(shí)現(xiàn)了與非晶硅無源波導(dǎo)單片集...
引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發(fā)光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1分鐘)會立即去除自然氧化 膜。然而，SE數(shù)據(jù)表明，自然氧化膜不能被完全蝕刻去除。這是因?yàn)槲g刻后的樣品一...
先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)技術(shù)往往是保密的，村田官方對這項(xiàng)技術(shù)的介紹也寥寥幾句，只有簡單的工藝流程圖。同時(shí)說明可以達(dá)到更小的尺寸，更高的Q值，更好的一致性等。...
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對顆粒去除非常有效，但去除機(jī)制仍不清楚。對于去，除重有機(jī)污染物，piranha清洗是一個(gè)有效的過程；然而，piranha后殘留物頑強(qiáng)地粘附在晶片表面...
由于銅在二氧化硅和硅中的快速擴(kuò)散，以及在禁帶隙內(nèi)受體和供體能級的形成，銅需要在化學(xué)機(jī)械拋光過程后清洗。...
在所有金屬污染物中，鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上，而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。用微波光電導(dǎo)衰減和表面光電壓研究了p型和n型硅中微量鐵和銅的影響。這些晶片受到了與超大規(guī)模集成技術(shù)相關(guān)的受控量的鐵和銅表面污染。襯底摻雜類型對金屬雜...
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