在N型半導(dǎo)體中，自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。
2020-05-05 08:15:00
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在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供； 空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。 提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。
2023-02-21 14:02:44810 
少數(shù)載流子電阻可定義為V/Jm，但由于電池電壓取決于接觸特性外很多其它電池特性，其不太適合作為分析接觸特性的參數(shù)。
2023-06-01 17:10:341723 
首先說明下，之前學(xué)校的教材講得很精辟，非常好，但實際應(yīng)用中，如果再從這種很理論的基礎(chǔ)去分析，多數(shù)載流子怎么流，少數(shù)載流子怎么流，讓人很頭痛！拋開上學(xué)教程材對三極管原理的分析，我們把它當(dāng)成公理，直接拿出來用，總結(jié)如下。
2023-09-15 11:51:18577 
PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負(fù)電壓
2024-03-01 16:09:42723 
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
，簡稱多子，空穴是少數(shù)載流子簡稱少子，對于空穴型半導(dǎo)體，空穴是多子，電子是少子。特殊的導(dǎo)電形式，使半導(dǎo)體得到了廣泛的應(yīng)用，被制成各種各樣的元件。如pn結(jié)的形成。
2019-12-06 08:57:03
編輯-ZSBT30100VDC肖特基二極管：是一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件。這種器件是由多數(shù)載流子傳導(dǎo)的，所以它的反向飽和電流比由少數(shù)載流子傳導(dǎo)的PN結(jié)大得多。SBT30100VDC最顯著的特點是
2021-11-24 16:49:42
從其他制造商和快速回收硅二極管(fred)。肖特基二極管，不像PIN整流器是多數(shù)載流子器件，因此沒有少數(shù)載流子在正向工作模式期間存儲在漂移層中，導(dǎo)致零反向恢復(fù)電流(歸因于儲存的電荷)。然而，更薄和更重
2023-06-16 11:42:39
出來，就產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象。半導(dǎo)體發(fā)光二極管利用注入PN結(jié)的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合，從而發(fā)出可見光，是一種直接把電能轉(zhuǎn)化為光能的發(fā)光器件。從半導(dǎo)體中得到電致發(fā)光。在20世紀(jì)60年代中期，首先出現(xiàn)了商用化的紅色
2012-01-04 17:10:42
一、LED顯示屏概述什么是LED？在某些半導(dǎo)體材料的 PN 結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。 PN 結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以
2021-07-01 11:26:09
少數(shù)載流子傳導(dǎo)的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)很小，其頻率響應(yīng)僅受 RC 時間常數(shù)的限制。因此，MBR10100FCT是一種理想的高頻快速開關(guān)器件。 MBR10100FCT參數(shù)描述
2021-09-11 16:42:45
中的自由電子是大多數(shù)載流子。在p材料中產(chǎn)生的少數(shù)自由電子和通過熱攪拌，光子和其他原因在N材料中產(chǎn)生的少數(shù)空穴（在圖1中用正方形內(nèi)的符號表示）是少數(shù)載流子?！ -N結(jié) 手頭有N型和P型晶體，只需機械按壓即可
2023-02-23 16:46:46
正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進行電傳導(dǎo)直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。正向電流越大
2019-03-14 06:20:14
正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進行電傳導(dǎo)直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。正向電流越大
2019-04-22 06:20:22
勢壘接觸結(jié)構(gòu)基本相同，電流通過多數(shù)載流子的移動而流動。之所以SiC-SBD的厚度看起來較薄，是因為如前所述，確保耐壓所需的膜厚較薄，因此可實現(xiàn)更低阻值。Si-PND由p型硅和n型硅的結(jié)結(jié)構(gòu)組成，多數(shù)載流子
2018-12-03 15:12:02
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結(jié)勢壘，肖特基二極管的正向傳導(dǎo)閾值電壓和正向壓降均低于PN結(jié)勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-18 10:35:14
的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。4)．MOS管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以MOS管比三極管的溫度穩(wěn)定性
2023-02-20 15:30:11
`書上說：三級管工作在飽和區(qū)的條件是，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)上看：當(dāng)集電結(jié)正偏時，發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的電子在基區(qū)是屬于少數(shù)載流子，而集電結(jié)正偏，應(yīng)該是多數(shù)載流子運動，阻礙少數(shù)載流子運動，可為
2012-12-21 11:56:02
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
n 型材料中，電子是多數(shù)帶電的載流子，空穴是少數(shù)帶電的載流子。在 p 型材料中，它是反過來的?？昭ㄊ菐Ф鄶?shù)電荷的載流子，而電子是帶少數(shù)電荷的載流子。固態(tài)電子器件是由 p 型和 n 型材料構(gòu)成的。就像
2022-04-04 10:48:17
，內(nèi)電場被削弱，使空間電荷區(qū)變窄，多數(shù)載流子的擴散運動大大地超過了少數(shù)載流子的漂移運動，多數(shù)載流子很容易越過PN結(jié)，形成較大的正向電流，PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻很小，因而處于導(dǎo)通狀態(tài)?！ ?. PN結(jié) 加上反向
2021-03-16 10:59:45
容易通過PN結(jié)， 形成反向飽和電流。但由于少數(shù)載流子的數(shù)目很少，所以，一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數(shù)量級為：硅管nA級，鍺管大mA級?！ 囟壬邥r，由于少數(shù)載流子增加，反向電流將隨之急劇
2015-11-27 18:01:44
VGS的增加，襯底中接近硅-二氧化硅界面的表面處的負(fù)電荷也越多。其變化過程如下：當(dāng)VGS比較小時，柵上的正電荷還不能使硅-二氧化硅界面處積累可運動的電子電荷，這是因為襯底是P型的半導(dǎo)體材料，其中的多數(shù)載流子
2012-01-06 22:55:02
。MOS器件基于表面感應(yīng)的原理，是利用垂直的柵壓VGS實現(xiàn)對水平IDS的控制。它是多子（多數(shù)載流子）器件。用跨導(dǎo)描述其放大能力。NMOS和PMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單
2012-12-10 21:37:15
光線作用下使物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象叫光生伏特效應(yīng)。光電池、光 敏 二 極 管、光 敏 三 極 管 都 有 一 個 ＰＮ 結(jié) （如圖４．２２所示）。當(dāng)無光照時，ＰＮ 結(jié)形成的勢壘阻礙少數(shù)載流子
2017-12-22 16:29:23
，自由電子是少數(shù)載流子。此時， 雜質(zhì)半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性。(2) N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素（如磷）就形成N型半導(dǎo)體，結(jié)構(gòu)示意圖如圖1-4所示?？梢娒繐饺胍粋€五價原子，就能提供一個
2017-07-28 10:17:42
，自由電子是少數(shù)載流子。此時， 雜質(zhì)半導(dǎo)體仍然呈現(xiàn)電中性。(2) N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素（如磷）就形成N型半導(dǎo)體，結(jié)構(gòu)示意圖如圖1-4所示。可見每摻入一個五價原子，就能提供一個
2018-02-11 09:49:21
，自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。PN結(jié)的形成采用某種工藝，可以將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上。由于濃度差，會產(chǎn)生擴散運動
2020-06-27 08:54:06
柵極和P襯底之間的SiO2中產(chǎn)生指向P襯底的電場。該電場排斥P襯底中的多數(shù)載流子空穴，在柵極覆蓋的SiO2，絕緣薄層下面形成耗盡層。當(dāng)柵源電壓超過某一電壓值VT時，P襯底中的少數(shù)載流子在強大電場作用下
2020-06-24 16:00:16
電流IC。因此場效應(yīng)晶體管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。（4)．場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大
2019-03-28 11:37:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
——自由電子，而少數(shù)載流子是空穴。N型半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電。由于自由電子主要由所摻入的雜質(zhì)提供，所以摻 入的五價雜質(zhì)越多，自由電子的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強。而空穴由熱激發(fā)形成，環(huán)境溫度越高
2015-03-26 20:32:03
PN結(jié)：一方面阻礙多數(shù)載流子的擴散，另一方面加速少數(shù)載流子的漂移運動當(dāng)擴散和漂移平衡時，流過PN結(jié)的電流為零；PN結(jié)的厚度一定；接觸電位一定PN結(jié)正偏：P電位高于N時，反偏，反之。齊納擊穿：電場將
2014-07-20 17:18:16
在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光
2020-08-18 07:21:12
正向切換到反向的瞬間會產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進行電傳導(dǎo)直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。正向電流越大
2019-05-07 06:21:51
，自由電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子。9、P型半導(dǎo)體是在硅或鍺晶體中摻入硼（或其他三價元素），半導(dǎo)體中形成了大量空穴，空穴導(dǎo)電成為主要的導(dǎo)電方式，也稱作空穴半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子
2016-10-07 22:07:14
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
的關(guān)系可表示為 式中：n值為2~2．2；t0為常溫，通常定為25℃(298 K)?！ ?．2 少數(shù)載流子壽命 少數(shù)載流子壽命不僅受到體內(nèi)復(fù)合的影響，更為重要的是，很大程度上受表面狀態(tài)的影響，τ是一個
2011-07-17 19:25:41
時間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向
2015-11-27 18:02:58
【作者】：王衍;張晉敏;馬道京;朱培強;陳站;謝泉;【來源】：《納米科技》2010年01期【摘要】：采用直流磁控濺射方法,在Si(100)襯底上沉積厚約200nm純金屬Fe膜,隨后在真空退火爐中
2010-04-24 09:00:39
總是存在著反向關(guān)不斷的現(xiàn)象，PN結(jié)的單向?qū)щ娦圆⒉皇前俜种?。為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢?這主要是因為P區(qū)除了因“摻雜”而產(chǎn)生的多數(shù)載流子“空穴”之外，還總是會有極少數(shù)的本征載流子“電子”出現(xiàn)。N區(qū)也是一樣
2019-04-22 08:00:00
、鉛黃銅、錫青銅、鈹青銅、硅青銅成分分析（Sn/Pb/Fe/Ni/Zn/Co/Mn/Al/Mg/Be/Cu）牌號鑒定、牌號推薦GB/T 5121.27-200GB/T 5121.1-2008
2019-08-31 09:46:29
大學(xué)。甚至百度百科上也這么說：于是我們必須知道一個問題：金屬中的主要載流子，并非自由電子，還有可能是空穴！不要以為只有半導(dǎo)體中才有空穴。實驗判斷依據(jù)是看霍爾系數(shù)，例如金屬銅Cu的霍爾系數(shù)是-0.55
2019-04-22 12:49:55
本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體 施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì) N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體 自由電子、空穴 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子
2008-07-14 14:07:38
0 場效應(yīng)管基礎(chǔ)知識1. 什么叫場效應(yīng)管？Field Effect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此
2008-08-12 08:39:4236 LED 是一種固體光源，當(dāng)它兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，放出的過剩能量將引起光子發(fā)射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發(fā)光二極管
2009-04-27 11:32:0963 Field Effect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與
2009-08-10 09:23:2294 發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為p-n結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子
2009-11-28 10:28:0529 場效應(yīng)管工作原理及應(yīng)用
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子
2010-01-13 16:08:08159 場效應(yīng)管工作原理
1.什么叫場效應(yīng)管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)
2010-02-06 10:07:04123 LED是一種固體光源，當(dāng)它兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，放出的過剩能量將引起光子發(fā)射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發(fā)光二極管。作
2010-07-29 14:20:0649 晶體管的基極電阻
晶體管的基區(qū)中有兩類載流子在流動，一類是從發(fā)射區(qū)
注入到基區(qū)的少數(shù)載流子(對n-p-n晶體管來說是電子)，另
一類是多數(shù)
2010-08-29 09:03:49112 場效應(yīng)管知識場效應(yīng)晶體管
1.什么叫場效應(yīng)管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)
2008-01-15 10:26:4716005 
硅單晶外延層的質(zhì)量檢測與分析
表征外延層片質(zhì)量的主要參數(shù)是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數(shù)載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
1. 場效應(yīng)管的工作原理
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載
2009-04-25 11:09:0151735 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體
2009-04-25 15:41:515521 
場效應(yīng)管工作原理 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參
2009-11-09 15:28:531070 LED定義 在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉(zhuǎn)換
2010-08-26 09:55:46764 擁有30年發(fā)展史的硅功率MOSFET
功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件
2010-09-30 10:35:11853 
摘要：通過對硅片的少數(shù)載流子有效壽命、硅太陽電池的反射損失和光譜響應(yīng)這三個方面的研究，比 較了目前主要的硅太陽電池表面鈍化技術(shù)，對這些鈍化技術(shù)的優(yōu)缺點進行了分析和評價。從上述三個方面 的比較可以看出，R T O / S i N x 堆疊鈍化技術(shù)在提高硅太陽
2011-03-04 11:59:3352 總結(jié)了幾種熱載流子,并在此基礎(chǔ)上詳細(xì)討論了熱載流子注入(HCI) 引起的退化機制。對器件壽命預(yù)測模型進行了總結(jié)和討論。為MOSFET 熱載流子效應(yīng)可靠性研究奠定了基礎(chǔ)。
2012-04-23 15:33:3629 MOSFET熱載流子退化壽命模型參數(shù)提取.
2012-04-23 15:38:2230 源極簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個PN結(jié)。
2017-11-23 16:20:52263331 
發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為p-n結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注 入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。
2018-07-11 08:00:000 LED是一種固體光源，當(dāng)它兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，放出的過剩能量將引起光子發(fā)射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發(fā)光二極管
2018-09-27 08:00:0032 發(fā)光二極管內(nèi)部是具有發(fā)光特性的PN結(jié)。當(dāng)給這個PN加正向偏置電壓時，PN結(jié)導(dǎo)通，依靠少數(shù)載流子的注入以及隨后的復(fù)合而輻射發(fā)光，如下圖：
2019-02-04 13:35:008149 
一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。
2019-06-19 15:13:5670871 
場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。
2019-06-24 11:33:313715 場效應(yīng)管：FET是Field-Effect-Transistor的縮寫，一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與
2019-08-14 14:27:1520512 如果PN結(jié)加反向電壓，如右圖所示，此時，由于外加電場的方向與內(nèi)電場一致，增強了內(nèi)電場，多數(shù)載流子擴散運動減弱，沒有正向電流通過PN結(jié)，只有少數(shù)載流子的漂移運動形成了反向電流。由于少數(shù)載流子為數(shù)很少，故反向電流是很微弱的。
2019-09-04 09:25:2772376 
LED是一種固體光源，當(dāng)它兩端加上正向電壓，半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子發(fā)生復(fù)合，放出的過剩能量將引起光子發(fā)射。采用不同的材料，可制成不同顏色有發(fā)光二極管。
2019-09-30 16:57:322827 LED的核心發(fā)光部分是由p型和n型半導(dǎo)體構(gòu)成的pn結(jié)管芯，當(dāng)注入pn結(jié)的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時，就會發(fā)出可見光，紫外光或近紅外光。
2020-03-29 22:11:00552 LED是light-emitting diode的縮寫，在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。
2020-06-13 11:13:206079 1、P區(qū)的摻雜粒子通常為+3價態(tài)的硼，因此P區(qū)通常存在多數(shù)載流子空穴和少數(shù)載流子電子，空穴一旦跑出去，則會剩下不能移動的負(fù)離子2、N區(qū)的摻雜粒子通常為+5價態(tài)的磷，因此N區(qū)通常存在多數(shù)載流子電子和少數(shù)載流子空穴，電子一旦跑出去，則會剩下不能移動的正離子
2020-09-08 08:00:001 半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，因此，還被稱為雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT）。
2020-09-27 17:57:5616 在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。
2020-12-25 13:16:34238 對于某些材料和工藝順序，環(huán)形缺陷觀察到結(jié)構(gòu)，而對于其他結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)與高溫處理之前的初始值相比，電荷載流子壽命增加了高達2.6倍。
2021-12-14 11:26:421114 
任務(wù)。采用表面光電壓(SPV)表征方 法，建立了兩者之間的定量關(guān)系。少數(shù)載流子擴散長度、加工過 程中添加的重金屬濃度和集成電路產(chǎn)量下降1.2)。由SPV直接測量的少數(shù)載流子擴散長度已經(jīng)成為指導(dǎo)工藝工程師的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。 實驗 特殊
2022-01-06 14:20:41280 
n溝道E-MOSFET，當(dāng)柵電壓使得p型半導(dǎo)體表面能帶向下彎曲到表面勢ψs≥2ψB時，即可認(rèn)為半導(dǎo)體表面強反型，因為這時反型層中的少數(shù)載流子（電子）濃度就等于體內(nèi)的多數(shù)載流子濃度（～摻雜濃度）；...
2022-02-11 10:40:522 來表征，而電學(xué)表征通過準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)測量來完成，這揭示了所得表面狀態(tài)和少數(shù)載流子壽命之間的相關(guān)性。測量的表面粗糙度表明，23重量%的氫氧化鉀溶液具有高的少數(shù)載流子壽命。
2022-03-21 13:16:47573 
摘要 由于對消除水、土壤和空氣中的大量污染的需求越來越大，環(huán)境修復(fù)領(lǐng)域的新興技術(shù)正變得越來越重要。我們設(shè)計并合成了MoS2/fe2o3異質(zhì)結(jié)納米復(fù)合材料(NCs)作為易于分離和重復(fù)利用的多功能材料
2022-03-25 17:04:06337 
表征通過準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)測量來完成，這揭示了所得表面狀態(tài)和少數(shù)載流子壽命之間的相關(guān)性。測量的表面粗糙度表明，23%重量的氫氧化鉀溶液具有高的少數(shù)載流子壽命。
2022-04-24 14:59:54441 
場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，而晶體管是既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，由于少數(shù)載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。
2022-12-09 09:47:20877 MOSFET是電壓驅(qū)勱，雙極型晶體管（BJT）是電流驅(qū)勱。**
（1）只容許從信號源叏少量電流的情況下，選用MOS管；在信號電壓較低，有容許從信號源取較多電流的條件下，選用三極管。
（2）MOS管是單極性器件（靠一種多數(shù)載流子導(dǎo)電），三極管是雙極性器件（既有多數(shù)載流子，也要少數(shù)載流子導(dǎo)電）。
2023-02-02 14:31:411389 
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差，但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負(fù)電荷（電子），此時為N型（N溝道）參雜，在N型MOSFET中電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子
2023-02-11 14:36:373303 
在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。
2023-03-17 10:32:49674 紅、黃、藍、綠、青、橙、紫、白色的光。
發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為PN結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子
2023-04-16 11:01:144858 是由許多光敏像元組成的。每一個像元就是一個MOS（金屬一氧化物一半導(dǎo)體）電容器，如圖1所示。在P型硅襯底上通過氧化形成一層S102，再在SiO2表面蒸鍍一層金屬層（多晶硅）作為電極。P型硅中的多數(shù)載流子是帶正電荷的空穴，少數(shù)載流子是帶負(fù)電荷的電子。
2023-09-08 15:31:22177 
半導(dǎo)體少數(shù)載流子產(chǎn)生的原因是？? 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子學(xué)的基礎(chǔ)，它的特殊之處在于，它的電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和絕緣體之間。一個半導(dǎo)體中的電子會以一種特定的方式移動，這是由于半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)和原子構(gòu)造
2023-09-19 15:57:021079 在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子？? 在半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域中，多數(shù)載流子（Majority carrier）是指在半導(dǎo)體材料中數(shù)量最多的帶電粒子。在n型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是負(fù)電子，在p型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子
2023-09-19 15:57:042486
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