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先進(jìn)封裝(advanced packaging)的后端工藝(back-end)之一，將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開槽，以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。...
HOT 允許獨(dú)立優(yōu)化頂部和底部器件的晶體取向和應(yīng)變工程，而不會(huì)增加工藝流程成本。例如，在 n-on-p 配置中，可以在頂部使用具有 <100> 取向的硅片，從而為頂部 nMOS 器件提供最高的電子遷移率。...
電子封裝是器件到系統(tǒng)的橋梁，這一環(huán)節(jié)極大影響力微電子產(chǎn)品的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展， IC 載板的特征尺寸不斷縮小、集成度不斷提高，相應(yīng)的 IC 封裝向著超多引腳、窄節(jié)距、超小型化方向發(fā)展。...
對(duì)于那些PCB中的元件封裝與原理圖元件Properties屬性面板Parameters中顯示的封裝不匹配的設(shè)計(jì)，下面將向您介紹如何使它們同步。...
晶圓級(jí)封裝技術(shù)可定義為：直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測(cè)試程序，然后再進(jìn)行安裝焊球并切割，從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。...
半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴荆諝庵泻懈叨鹊挠袡C(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來了許多令人頭痛的問題。...
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進(jìn)行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IP...
主要應(yīng)用是鋁刻蝕液原料監(jiān)控： 刻鋁酸含量測(cè)定（4%HNO3、75%H3PO4、10%HAc） 滴定劑（0.2 M KOH-2-Isopronal） 溶劑：乙醇：丙二醇=1：1 儀器：電位滴定儀+DGi113-SC非水酸堿滴定電極...
引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或SPM)在其配方中包括過氧化氫[1]。所述浴從硅表面去除顆粒、有機(jī)和金屬污染物，避免了由污染引起的電不...
恒溫晶振(OCXO; KO系列) 對(duì)溫度穩(wěn)定性的解決方案采用了恒溫槽技術(shù)，將晶體置于恒溫槽內(nèi)，通過設(shè)置恒溫工作點(diǎn)，使槽體保持恒溫狀態(tài)，在一定范圍內(nèi)不受外界溫度影響，達(dá)到穩(wěn)定輸出頻率的效果。OCXO的石英晶片主要采用SC切割(也叫應(yīng)力補(bǔ)償切割)。...
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。...
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過程中，； BS顆粒會(huì)導(dǎo)致頂側(cè)表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導(dǎo)致焦點(diǎn)故障，如圖1所J 示。隨著特征尺寸的減小，這個(gè)問題變得更加嚴(yán)重。BS顆?？赡茉跐窆ぷ髋_(tái)引起其他問題，其中BS顆...
陶瓷電容憑借耐熱性能好、絕緣性能優(yōu)良、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用日趨廣泛，可是由于產(chǎn)品型號(hào)繁多，在選型時(shí)難免讓人眼花繚亂。如何能夠針對(duì)設(shè)計(jì)要求和應(yīng)用場(chǎng)景，快速地鎖定你想要的那顆料？Vishay 為你提供了一款高效的陶瓷電容選型工具—— ? Vishay 新推出的 陶瓷電容產(chǎn)品選型白皮書，整合了 ...
接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻以形成非球面表面。 我們使用 100 525 μm的硅晶片，在正面上具有1 μm的SiO2掩模，在背面上具...
?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定成形零件精度和最終表面質(zhì)量的因素。我們演示了1毫米和5毫米的復(fù)制非球面相位板，再現(xiàn)散焦，傾斜，散光和高階...
摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng)，代替脫蠟器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合，以減少蠟去除時(shí)間并完全去...
摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸?？紤]了直徑為0.1和1.0m的氧化鋁顆粒粘附在拋光二氧化硅和銅表面的模型系統(tǒng)。結(jié)果表明，流體力學(xué)力量可以去...
從智能手機(jī)到汽車，消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件（包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開關(guān)）的封裝技術(shù)。...
封裝的作用及其對(duì)摩爾定律微縮的貢獻(xiàn)正在演進(jìn)。直到2010年代，封裝的主要作用是在主板和芯片之間傳輸電源和信號(hào)，并保護(hù)芯片。...
引言 本文簡(jiǎn)要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤(rùn)濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了PVA電刷和接觸面之間真實(shí)接觸面積的可視化結(jié)果。在半導(dǎo)體器件制造過程中，這次的專題“清洗與凈化”是一個(gè)非常重要的事項(xiàng)?；旧习雽?dǎo)體工廠都是潔凈室...
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