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傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES、華中科技大學(xué)等團(tuán)隊(duì)將DBC 工藝和 PCB 板相結(jié)合，利用金屬鍵合線將芯片上表面的連接到 PCB 板，控制換流回路在 PCB 層間，大大減小了電流...
數(shù)模轉(zhuǎn)換器是一種關(guān)鍵的電子元件，用于將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)或?qū)?shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)。它在各種應(yīng)用中起著重要的作用，包括通信系統(tǒng)、音頻設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。...
上一篇文章我們介紹過(guò)，為了使MOS管完全導(dǎo)通，需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢，即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好？...
電容器可以用來(lái)對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行通路，同時(shí)隔離直流信號(hào)。這是因?yàn)殡娙萜鲗?duì)交流信號(hào)具有低阻抗（通過(guò)）和對(duì)直流信號(hào)具有高阻抗（阻斷）的特性。...
積分運(yùn)算電路是一種基本的模擬電路，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行積分操作。它主要由一個(gè)運(yùn)算放大器、一個(gè)電容和若干個(gè)電阻組成。...
PCF8591 是一款單電源供電的 8 位 CMOS 數(shù)據(jù)采集芯片，具有 4 個(gè)模擬信號(hào)輸入通道、一個(gè)模擬信號(hào)輸出通道以及一個(gè) I2C 總線通信接口。與前面講解的 I2C 芯片相同，通過(guò)管腳 A0、A1 和 A2 來(lái)配置芯片硬件地址，因此，在同一 I2C 總線上最多可同時(shí)連接 8 個(gè) PCF8591...
絕緣柵雙極晶體管（英語(yǔ)：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于新能源電動(dòng)汽車(chē)、及電動(dòng)車(chē)的交流電電動(dòng)機(jī)的輸出控制。...
經(jīng)過(guò)五十多年的歷史發(fā)展，在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示，其復(fù)雜性不斷提高，現(xiàn)代設(shè)計(jì)的功率密度高到令人難以置信的同時(shí)還要提升效率以保持小功率。...
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。...
MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在光伏行業(yè)中都是非常重要的分立器件。...
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測(cè)量快速變化的IGBT溫度。...
在新能源汽車(chē)市場(chǎng)快速發(fā)展的背景下，車(chē)載功率半導(dǎo)體需求量激增，其中，碳化硅功率器件憑借更低的能量損耗、更小的封裝尺寸、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更強(qiáng)的耐高溫及散熱能力等優(yōu)于傳統(tǒng)硅基器件的先進(jìn)特性，越來(lái)越多地在新能源汽車(chē)中得到應(yīng)用，尤其是在高效率OBC(車(chē)載充電機(jī))和HV-LV DC-DC變換器中迅速推廣。...
一提到低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，很多電子愛(ài)好者和電子工程師首先想到的是肖特基二極管。但你真的知道怎么使用肖特基二極管嗎？與其他二極管相比，肖特基二極管有什么特別的地方？這篇文章我將會(huì)為大家解決這些問(wèn)題，并且詳細(xì)介紹肖特基二極管。...
該 100W 橋式放大器電路可以提高 LINE 輸出類型源的音頻信號(hào)的功率電平。該橋式放大電路 的核心是TDA7294集成電路，它實(shí)際上是一個(gè)帶有前置放大電路、溫度控制和輸出短路保護(hù)的功率運(yùn)算放大器。此外該IC還配備了獨(dú)立的輸入Mute（靜音輸出）和STBY或Stand-By（斷開(kāi)功率放大器）。每個(gè)...
當(dāng)三極管基極偏置電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流Ｉb＝0時(shí)，集電極Ic和發(fā)射極Ie沒(méi)電流（或只有微弱的弱電電流）通過(guò)，此時(shí)三極管失去了電流放大作用，我們稱三極管工作在截止?fàn)顟B(tài)，CE極之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)狀態(tài)。...
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流，因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。...
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。...
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