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• 什么叫模擬芯片 模擬芯片是干什么用的 模擬芯片有哪些特點

  集成電路設計行業(yè)專業(yè)性強、復雜程度高、迭代速度快，具有較高的技術門檻。...

  13977次閱讀 · 0評論 集成電路放大器電源管理芯片模擬芯片PLL電路
  

• 耐高壓型x1安規(guī)電容用在什么地方

  X1安規(guī)電容的額定電壓也是不固定的，科雅耐高壓型X1安規(guī)電容的額定電壓更高，達到了440V/480VAC，適用于EMI抑制電路中的X1 位置（L-N）。...

  679次閱讀 · 0評論 電容安規(guī)電容變頻器電壓

• 共模電感和差模電感在電路中的區(qū)別

  共模電感和差模電感都是抗電磁干擾有效的元器件之一，廣泛應用于各種濾波器、開關電源等產(chǎn)品，但是共模電感是用來抑制共模干擾，而差模電感是用來抑制差模干擾，兩種都是比較重要的濾波電感。...

  4138次閱讀 · 0評論 電感共模電感濾波電感差模干擾差模電感
  

• 各種二極管在汽車電路上的應用有哪些

  光電二極管又稱為光敏二極管，它是一種將光信號變成電信號的半導體器件。它的核心部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是：光電二極管的外殼上有一個透明的窗口以接收光線照射，實現(xiàn)光電轉換。...

  2411次閱讀 · 0評論 二極管整流二極管發(fā)電機光電二極管
  

• MOSFET關斷條件是什么 mosfet管關斷過程的分析

  　MOSFET，也稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導體器件，由金屬氧化物半導體結構組成。MOSFET是一種主要用于控制電流的無源器件，它具有高頻特性和高電阻特性。M...

  5455次閱讀 · 0評論 放大器模擬電路MOSFET場效應晶體管無源器件

• 上海貝嶺四款高帶寬模擬開關產(chǎn)品介紹

  上海貝嶺新推出四款高帶寬模擬開關產(chǎn)品BL1561、BL1557、BL1558和BL1559，可在1.8V~5.5V的電源范圍內(nèi)工作，支持軌到軌輸入/輸出。產(chǎn)品具有雙向、低功耗、低漏電流、高速、高帶寬的特點，適用于需要對音頻、視頻和通訊信號進行切換的應用場合。...

  2722次閱讀 · 0評論 帶寬計算機模擬開關上海貝嶺
  

• 碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？

  SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體。...

  1492次閱讀 · 0評論 SiC碳化硅
  

• 碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢

  寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。...

  1687次閱讀 · 0評論 二極管半導體晶體管SiC碳化硅

• 晶體管的三種工作狀態(tài)

  晶體管是一種重要的電子元件，廣泛應用于現(xiàn)代電子設備中。它的工作狀態(tài)可以分為三種，包括截止狀態(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。...

  2188次閱讀 · 0評論 電子元件晶體管工作狀態(tài)

• 晶體管和芯片的關系

  晶體管是現(xiàn)代電子設備中至關重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對現(xiàn)代科技的進步起到了重要的推動作用。...

  2209次閱讀 · 0評論 芯片半導體晶體管

• 電感飽和是指什么 判斷電感飽和的訣竅有哪些

  在工程實際中還有很多情況，我們可能不能準確知道磁芯型號，也很難知道電感飽和電流大小，有時候也不能方便的測試電感電流；這時候我們還可以通過測量電感是否有異常溫升，或者聽是否有異常嘯叫等手段來初步判斷是否發(fā)生了飽和。...

  1995次閱讀 · 0評論 電流電感DC-DCDC電感電流
  

• 怎樣提高晶體管的穩(wěn)定性

  晶體管是現(xiàn)代電子設備中至關重要的元件之一，其穩(wěn)定性對于設備的性能和可靠性至關重要。為了提高晶體管的穩(wěn)定性，有幾個關鍵的方面需要考慮和優(yōu)化。...

  1190次閱讀 · 0評論 半導體電子設備晶體管穩(wěn)定性

• 如何設計運算放大器 運算放大器同相放大器電路設計技巧有哪些

  同相放大器（non-inverting amplifier ）配置是最流行和最廣泛使用的運算放大器電路形式之一，并且用于許多電子電路設計中。 運算放大器同相放大器電路提供高輸入阻抗以及使用運算放大器獲得的所有優(yōu)點。...

  7361次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器輸入阻抗同相放大器
  

• IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導通現(xiàn)象有哪些？

  IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。...

  2734次閱讀 · 0評論 分壓器IGBT短路驅(qū)動電路IGBT模塊雜散電感米勒電容
  

• MM32F0163D7P的ADC內(nèi)部1.2V參考電壓的使用

  ADC外設是12位的逐次逼近型（SAR）模擬數(shù)字轉換器，可以將模擬信號轉換成數(shù)字信號。...

  1933次閱讀 · 0評論 二極管電壓傳感器VDD模擬數(shù)字轉換器MCU控制器
  

• 碳化硅功率器件封裝的關鍵技術有哪些呢？

  碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。...

  659次閱讀 · 0評論 振蕩器電磁干擾BGA封裝碳化硅雜散電感
  

• SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案

  在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使...

  1926次閱讀 · 0評論 MOSFET開關電源驅(qū)動電路SiC碳化硅
  

• 金剛石基光電探測及激光器應用研究

  金剛石具有優(yōu)良的光學性能，高質(zhì)量 CVD 金剛石薄膜具有十分優(yōu)良的光學性能，除 3~6 μm 范圍內(nèi)的雙聲子區(qū)域存在晶格振動而產(chǎn)生的本征吸收峰外，在室溫下，從紫外至遠紅外甚至微波段，都有很高的透過性，理論透過率高達71.6%。...

  953次閱讀 · 0評論 半導體激光器金剛石寬禁帶半導體
  

• MOS管柵極驅(qū)動電路設計注意事項

  MOS管開關電路在DC-DC電源、開關控制、電平轉換等電路中都有普遍的應用，今天就和大家一起學習一下MOS管柵極驅(qū)動的設計注意事項。...

  3109次閱讀 · 1評論 開關電路電路設計MOS管模電柵極驅(qū)動電路
  

• 如何用直流掃描分析法DC sweep驗證晶體管特性

  在上篇《活學活用 LTspice 進行電路設計 — 簡單五步繪制正確電路圖》中，我們分享了只用簡單五步繪制電路圖的方法，展示了如何通過讀取 JIG 電路來輕松模擬一個開關穩(wěn)壓器。本文將介紹如何使用預先準備好的模擬文件進行 DC sweep 直流掃描分析。...

  2358次閱讀 · 0評論 電路圖電路設計晶體管集電極LTspice
  
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