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友情提示，運(yùn)放電路的噪聲分析還是比較復(fù)雜的，不論是基礎(chǔ)理論還是對(duì)應(yīng)的推導(dǎo)過(guò)程，都不是特別容易?？紤]到兄弟們的基礎(chǔ)參差不齊，所以我還是盡量說(shuō)清楚點(diǎn)，這樣導(dǎo)致看起來(lái)就有點(diǎn)羅里吧嗦，也會(huì)看起來(lái)超級(jí)復(fù)雜，希望不會(huì)勸退。...
傳輸門(mén)是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開(kāi)關(guān)。...
該雙通道放大器通過(guò)兩個(gè)線(xiàn)路輸入提供高達(dá) 20 瓦 RMS 的功率。非常適合在計(jì)算機(jī)中使用，因?yàn)槠鋬r(jià)格/性能/復(fù)雜性是最佳的。...
在儀表放大器中，高共模抑制比 (CMRR) 是一個(gè)理想的屬性，因?yàn)樗试S精確的差分信號(hào)放大，同時(shí)抑制共模噪聲。我們將在這篇文章中討論高 CMRR 儀表放大器的電路原理圖。...
SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。...
Type-C端口是根據(jù)USB3.x和USB4協(xié)議傳輸數(shù)據(jù)的，很容易受到電氣過(guò)載（EOS）和靜電放電（ESD）事件的影響。...
運(yùn)放是指運(yùn)算放大器，是一種常見(jiàn)的電子器件，常用于信號(hào)放大、濾波、比較、反相、積分等電路中。運(yùn)放具有高增益、高輸入阻抗、低輸出阻抗等特點(diǎn)，使其在電子電路設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。...
雙向晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的晶閘管，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是目前比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。...
功率器件有源區(qū)含有PN結(jié)，施加反向耐壓時(shí)，靠PN結(jié)承壓。實(shí)際平面工藝中，在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開(kāi)窗口后進(jìn)行雜質(zhì)注入推結(jié)，制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)域表面近似于平面。...
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。...
碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和變頻器、電力電子設(shè)備以及白色家電等。本文將就該器件的應(yīng)用和發(fā)展進(jìn)行探討。...
IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。...
TVS有單向和雙向的區(qū)分，穩(wěn)壓管都是單向的；...
YCbCr/YPbPr色差分量接口是S-Video端子的升級(jí)產(chǎn)品，支持1080P高清，由紅、綠、藍(lán)三種顏色的線(xiàn)組成，其中，藍(lán)色和紅色分別傳輸藍(lán)色差信號(hào)（Cb/Pb）和紅色差信號(hào)（Cr/Pr），而綠色傳輸Y信號(hào)。...
驅(qū)動(dòng)螺線(xiàn)管的常見(jiàn)方法是在螺線(xiàn)管線(xiàn)圈中施加所需的電壓。這通?？梢允褂门渲迷诟邆?cè)或低側(cè)的單個(gè)功率晶體管來(lái)完成。功率晶體管需要一個(gè)與螺線(xiàn)管并聯(lián)的續(xù)流二極管，因?yàn)槁菥€(xiàn)管線(xiàn)圈具有高電感，會(huì)試圖將電流推入晶體管。...
對(duì)于MKP62電容器，估計(jì)很多人都感覺(jué)這個(gè)名字很陌生，MKP62到底是什么樣的電容器？它有什么特點(diǎn)和作用呢？...
據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，選擇合適激勵(lì)功率的晶振，切不可只為了改變晶振的輸出頻率，任意改變電路輸入給晶振的激勵(lì)功率的大小。因?yàn)殡娐诽峁┑募?lì)功率過(guò)大可能會(huì)導(dǎo)致石英晶片振幅變大，因此過(guò)多的熱量產(chǎn)生導(dǎo)致石英晶片振動(dòng)區(qū)域的溫度升高。...
數(shù)碼法：在電阻器上用三位數(shù)碼表示標(biāo)稱(chēng)值的標(biāo)志方法。數(shù)碼從左到右，第一、二位為有效值，第三位為指數(shù)，即零的個(gè)數(shù)，單位為歐。偏差通常采用文字符號(hào)表示。...
超導(dǎo)若能實(shí)現(xiàn)工程應(yīng)用，意味著人類(lèi)能源儲(chǔ)存和傳輸效率產(chǎn)生顛覆性改變；而超導(dǎo)材料的應(yīng)用，也意味著在計(jì)算機(jī)芯片乃至可控核聚變等領(lǐng)域，都有著更加光明的前景。...
我們知道在電子元器件中，電容與電感屬于能量消耗器件。那么當(dāng)我們將電容、電感串聯(lián)在電路中時(shí)，為了維持能量守恒，儲(chǔ)存在電路中的能量會(huì)在電容電感中互相轉(zhuǎn)換，這個(gè)轉(zhuǎn)化的頻率通常我們稱(chēng)之為特征頻率。...
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