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IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測(cè)，如圖1所示。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師最直接也是最常見的一個(gè)問題就是：我檢測(cè)到了NTC的溫度，那么IGBT真實(shí)的結(jié)溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？...
MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。...
一般情況下，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。...
去耦電容的有效使用方法之一是用多個(gè)（而非1個(gè)）電容進(jìn)行去耦。使用多個(gè)電容時(shí)，使用相同容值的電容時(shí)和交織使用不同容值的電容時(shí)，效果是不同的。...
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、高電場(chǎng)強(qiáng)度和優(yōu)秀的熱導(dǎo)率在LED和電力電子設(shè)備中得以應(yīng)用。...
大多數(shù)場(chǎng)合都是熱敏電阻進(jìn)行測(cè)溫，但其實(shí)二極管也能測(cè)溫，正如之前我的發(fā)的，但具體怎么進(jìn)行測(cè)溫呢？...
簡單點(diǎn)說，“精度”是用來描述物理量的準(zhǔn)確程度的，而“分辨率”是 用來描述刻度劃分的。從定義上看，這兩個(gè)量應(yīng)該是風(fēng)馬牛不相及的。（是不是有朋友感到愕然^_^）。很多賣傳感器的 JS 就是利用這一點(diǎn)來糊弄人的了。簡單 做個(gè)比喻：有這么一把常見的塑料尺（中學(xué)生用的那種），它的量程是 10 厘米，上面有 1...
在電容器的兩端加上電壓后電荷被儲(chǔ)存。相反，將儲(chǔ)存有電荷的電容器兩端短路后，成放電狀態(tài)。 電荷的量與電壓成正比。（若是電感器、電流通過產(chǎn)生磁通。磁通量與電流成正比。） 電容器的靜電容量是電荷量與電壓的比例常數(shù)。（關(guān)于電感器，電感量是磁通與電流的比例常數(shù)。）...
穩(wěn)壓管正常工作時(shí)處于反向擊穿狀態(tài)，該區(qū)間是可恢復(fù)的。不要誤以為看到擊穿兩個(gè)字就認(rèn)為是器件損壞了。穩(wěn)壓管也屬于二極管的一種，二極管相當(dāng)一個(gè)PN結(jié)，就是利用PN結(jié)的特性而制作的。...
為改善DC-DC轉(zhuǎn)換器效率，在輕負(fù)荷狀態(tài)下還會(huì)采用從在一定頻率下進(jìn)行開關(guān)來控制脈寬的PWM模式替換為固定脈寬來控制頻率的PFM（脈沖頻率調(diào)制）模式的方法。...
Mixing mode是一些高速DAC中使用的專有采樣模式。在傳統(tǒng)的DAC中，使用雙開關(guān)在每個(gè)DAC時(shí)鐘周期對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。在這種開關(guān)結(jié)構(gòu)下，每個(gè)DAC時(shí)鐘周期對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行兩次采樣（一次在時(shí)鐘上升沿，一次在時(shí)鐘下降沿）。這種技術(shù)可以消除雙開關(guān)結(jié)構(gòu)中與數(shù)據(jù)相關(guān)的交流雜散限制，但由于4個(gè)開關(guān)的持續(xù)切換，在...
芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。...
放大器增益是根據(jù)輸出/輸入比來評(píng)估放大器的放大能力的能力，這是有用的，因?yàn)榉糯笃骺梢蕴岣咻斎胄盘?hào)的幅度。放大器的輸出/輸入幅度比在技術(shù)術(shù)語中稱為增益。增益是無單位的測(cè)量值，因?yàn)樗窍嗟葐挝坏谋嚷剩üβ瘦敵?功率輸入、電壓輸出/電壓輸入或電流輸出/電流輸入）。增益在數(shù)學(xué)中用大寫字母“A”表示。...
固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結(jié)成陽極體,其電介質(zhì)是將陽極體放入酸中賦能,形成多孔性非晶型Ta2O5介質(zhì)膜,其工作電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解形成MnO2,通過石墨層作為引出連接用。...
集成電路=IC：一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo) 體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為 具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。...
三極管的推挽電路是一種常見的電子電路配置，用于放大和控制電流。它由兩個(gè)三極管組成，一個(gè)被稱為NPN三極管，另一個(gè)被稱為PNP三極管。這兩個(gè)三極管通過它們的基極、發(fā)射極和集電極連接在一起。...
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種重要的電子器件。它的工作原理基于半導(dǎo)體材料與金屬電極之間的界面效應(yīng)。...
二極管具有單向?qū)ㄐ缘脑蛴袔讉€(gè)關(guān)鍵因素。首先，二極管的結(jié)構(gòu)決定了它只能在一個(gè)方向上導(dǎo)通電流。二極管有兩個(gè)區(qū)域，一個(gè)是P型區(qū)域，富含正電荷，另一個(gè)是N型區(qū)域，富含負(fù)電荷。當(dāng)P型區(qū)域接觸到正電壓時(shí)，它的電子會(huì)向N型區(qū)域移動(dòng)，形成一個(gè)電子空穴對(duì)。這種電子空穴對(duì)的形成使得N型區(qū)域形成導(dǎo)電路徑，電流得以通過...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn)。...
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