去耦電容有效使用方法的要點大致可以分為以下兩種。去耦電容有效使用方法的要點大致可以分為以下兩種。

要點1：使用多個去耦電容

去耦電容的有效使用方法之一是用多個（而非1個）電容進行去耦。使用多個電容時，使用相同容值的電容時和交織使用不同容值的電容時，效果是不同的。

?使用多個容值相同的電容時

右圖是使用1個22μF的電容時（藍(lán)色）、增加1個變?yōu)?個時（紅色）、再增加1個變?yōu)?個（紫色）時的頻率特性。

如圖所示，當(dāng)增加容值相同的電容后，阻抗在整個頻率范圍均向低的方向轉(zhuǎn)變，也就是說阻抗越來越低。

這一點可通過思考并聯(lián)連接容值相同的電容時，到諧振點的容性特性、取決于ESR（等效串聯(lián)電阻）的諧振點阻抗、諧振點以后的ESL（等效串聯(lián)電感）影響的感性特性來理解。

并聯(lián)的電容容值是相加的，所以3個電容為66μF，容性區(qū)域的阻抗下降。

諧振點的阻抗是3個電容的ESR并聯(lián)，因此為，假設(shè)這些電容的ESR全部相同，則ESR減少至1/3，阻抗也下降。

諧振點以后的感性區(qū)域的ESL也是并聯(lián)，因此為，假設(shè)3個電容的ESL全部相同，則ESL減少至1/3，阻抗也下降。

由此可知，通過使用多個相同容值的電容，可在整個頻率范圍降低阻抗，因此可進一步降低噪聲。

?使用多個容值不同的電容時

這些曲線是在22μF的電容基礎(chǔ)上并聯(lián)增加0.1μF、以及0.01μF的電容后的頻率特性。

通過增加容值更小的電容，可降低高頻段的阻抗。相對于一個22μF電容的頻率特性來說，0.1μF和0.01μF的特性是合成后的特性（紅色虛線）。

這里必須注意的是，有些頻率點產(chǎn)生反諧振，阻抗反而增高，EMI惡化。反諧振發(fā)生于容性特性和感性特性的交叉點。

所增加電容的電容量，一般需要根據(jù)目標(biāo)降噪頻率進行選型。

另外，在這里給出的頻率特性波形圖是理想的波形圖，并未考慮PCB板的布局布線等引起的寄生分量。在實際的噪聲對策中，需要考慮寄生分量的影響。

要點2：降低電容的ESL

去耦電容的有效使用方法的第二個要點是降低電容的ESL（即等效串聯(lián)電感）。雖說是“降低ESL”，但由于無法改變單個產(chǎn)品的ESL本身，因此這里是指“即使容值相同，也要使用ESL小的電容”。通過降低ESL，可改善高頻特性，并可更有效地降低高頻噪聲。

?即使容值相同也要使用尺寸較小的電容

對于積層陶瓷電容（MLCC），有時會準(zhǔn)備容值相同但尺寸不同的幾個封裝。ESL取決于引腳部位的結(jié)構(gòu)。尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小，通常ESL較小。

右圖是容值相同、大小不同的電容的頻率特性示例。如圖所示，更小的1005尺寸的諧振頻率更高，在之后感性區(qū)域的頻率范圍阻抗較低。這正如在“電容的頻率特性”中所介紹的，電容的諧振頻率是基于以下公式的，從公式中可見，只要容值相同，ESL越低諧振頻率越高。另外，感性區(qū)域的阻抗特性取決于ESL，這一點也曾介紹過。

關(guān)于噪聲對策，當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時，可以選擇尺寸小的電容。

?使用旨在降低ESL的電容

積層陶瓷電容中，有些型號采用的是旨在降低ESL的形狀和結(jié)構(gòu)。

如圖所示，普通電容的電極在短邊側(cè)，而LW逆轉(zhuǎn)型的電極則相反，在長邊側(cè)。由于L（長度）和W（寬度）相反，故稱“LW逆轉(zhuǎn)型”。是通過增加電極的寬度來降低ESL的類型。

三端電容是為了改善普通電容（兩個引腳）的頻率特性而優(yōu)化了結(jié)構(gòu)的電容。三端電容是將雙引腳電容的一個引腳（電極）的另一端向外伸出作為直通引腳，將另一個引腳作為GND引腳。在上圖中，輸入輸出電極相當(dāng)于兩端伸出的直通引腳，左右的電極當(dāng)然是導(dǎo)通的。這種輸入輸出電極（直通引腳）和GND電極間存在電介質(zhì)，起到電容的作用。

將輸入輸出電極串聯(lián)插入電源或信號線（將輸入輸出電極的一端連接輸入端，另一端連接輸出端），GND電極接地。這樣，由于輸入輸出電極的ESL不包括在接地端，因此接地的阻抗變得非常低。另外，輸入輸出電極的ESL通過在噪聲路徑直接插入，有利于降低噪聲（增加插入損耗）。

通過在長邊側(cè)成對配置GND電極，可抑制ESL；再采用并聯(lián)的方式，可使ESL減半。

基于這樣的結(jié)構(gòu)，三端電容不僅具有非常低的ESL，而且可保持低ESR，與相同容值相同尺寸的雙引腳型電容相比，可顯著改善高頻特性。

去耦電容的有效使用方法：其他注意事項

①Q(mào)較高的陶瓷電容

電容具有被稱為“Q”的特性。下圖即表示Q和頻率－阻抗特性之間的關(guān)系。

當(dāng)Q值高時，阻抗在特定的窄帶會變得非常低。當(dāng)Q值低時，阻抗雖然不會極度下降，但可以在很寬的頻段內(nèi)降低。這種特性可能有助于符合某些EMC標(biāo)準(zhǔn)。例如，使用電容量變化較大的電容時，如果Q值很高，則可能存在無法消除目標(biāo)頻率噪聲的個體。在這種情況下，還有一種通過使用具有低Q的電容來抑制波動影響的手法。

②熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形

旨在提高散熱性的熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形，圖形的電感分量會增加。電感分量的增加會使諧振頻率向低頻端移動，所以有時可能無法獲得理想的噪聲消除效果。

③探討對策時的電容試裝

試制后需要對高頻噪聲采取對策，可以考慮增加小容量的電容器。此時，如下圖所示，如果在大容量電容器上安裝要增加的電容器（左例），則縱向會增加額外的電感分量，因此不能充分發(fā)揮增加電容器的效果。在中間的例子中，雖然未違背“盡可能使小容量電容靠近噪聲源”的理論，但阻抗會與實際修改的PCB布局不同。最好的方法是以盡量接近實際修改的配置進行探討（右例）。

在探討對策時，也可能會發(fā)生雖然噪聲試驗OK，但安裝到修改后的PCB時NG的現(xiàn)象，因此需要在探討時就有意識地按照實際來安裝。

④電容的電容量變化率

噪聲對策用的電容的電容量變化率較大時，諧振頻率的波動會變大，目標(biāo)消減頻段會產(chǎn)生變化或波動，有時很難找到理想的噪聲對策。尤其是需要在窄頻段大幅消除噪聲時，需要格外注意。下表表示電容量變化率和實際的電容量和諧振頻率之間的關(guān)系。仔細(xì)看這個表的話可以看出，雖然視條件而定，不過很多情況是無法接受的。

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※ 按L=1nH計算

⑤電容器的溫度特性

眾所眾知，電容的特性會受溫度影響。目前，EMC測試的溫度特性尚未標(biāo)準(zhǔn)化，但在某些應(yīng)用中，不得不在明顯的高溫或低溫條件/環(huán)境下工作、或在會產(chǎn)生較大溫度變化的條件/環(huán)境下使用。

在這類情況下，非常有可能發(fā)生“④電容量變化率”中提到的問題，所以，用于噪聲對策的電容，需要盡量使用具有CH、C0G特性的溫度特性優(yōu)異的產(chǎn)品。

總結(jié)

前面分三次對“去耦電容的有效使用方法”進行了介紹。利用電容來降低噪聲是非常重要的，所以在這里總結(jié)一下。

要點1：使用多個去耦電容

使用多個電容去耦時，使用多個相同容值的電容和交織使用不同容值的電容時，效果是不同的。

■使用多個相同容值的電容時
在整個頻率范圍內(nèi)阻抗下降，可有效降低整體噪聲。

■使用多個不同容值的電容時
可降低更高頻段的阻抗，可有效降低高頻噪聲。但是需要注意的是，有些頻率會產(chǎn)生反諧振，阻抗反而增高，噪聲反而惡化。

要點2：降低電容的ESL

如果容量相同，則ESL越低諧振頻率越高，因此通過降低ESL可改善高頻特性，從而可更有效地降低高頻噪聲。

■即使容值相同也要使用尺寸較小的電容
ESL取決于電容引腳部位的結(jié)構(gòu)，因此尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小，通常ESL較小。當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時，方法之一是選擇尺寸小的電容。但是，要注意DC偏置特性。

■使用旨在降低ESL的電容
積層陶瓷電容中，有些型號采用的是旨在降低ESL的形狀和結(jié)構(gòu)，比如LW逆轉(zhuǎn)型電容、三端電容。

去耦電容的有效使用方法：其他注意事項

■Q較高的陶瓷電容
當(dāng)Q值高時，阻抗在特定的窄帶會變得非常低。當(dāng)Q值低時，阻抗雖然不會極度下降，但可以在較寬的頻段內(nèi)降低。

■熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形
旨在提高散熱性的熱風(fēng)焊盤等的PCB圖形，圖形的電感分量會增加，會使諧振頻率向低頻端移動，所以有時可能無法獲得理想的噪聲消除效果。

■探討對策時的電容試裝
增加小容量電容以降低高頻噪聲時，要基于“盡可能使小容量電容靠近噪聲源”的理論，以盡量接近實際修改的配置進行探討。探討時如果和修改后的配置不同，阻抗也會不同，很可能無法獲得評估時的效果。

■電容的電容量變化率
噪聲對策用的電容的電容量變化率較大時，諧振頻率的波動會變大，目標(biāo)消減頻段會產(chǎn)生變化或波動，有時很難找到理想的噪聲對策。尤其是需要在窄頻段大幅消除噪聲時，需要格外注意。

■電容的溫度特性
電容的特性會受溫度影響，因此，在明顯的高溫、低溫、較大溫度變化的條件/環(huán)境下使用的應(yīng)用，需要采用溫度特性優(yōu)異的電容。

編輯：黃飛

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