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本文是關(guān)于兩個MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。...
數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）將數(shù)字（用于計算機，如微控制器）轉(zhuǎn)換為模擬電壓。它們與模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）相反。數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）有兩種主要類型：二進制加權(quán)和R-2R...
根據(jù)具體的穩(wěn)壓電路，合理選擇穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ和最大工作電流IZM。例如，在圖5-21所示的簡單并聯(lián)穩(wěn)壓電路中，輸出電壓就是穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓。當(dāng)負(fù)載開路時，流過穩(wěn)壓管的電流達(dá)到最大，這個電流應(yīng)小于穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZM，一般使穩(wěn)壓管的實際工作電流為0.5 IZM左右。例如制作一個晶體管收音機...
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。...
集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic，這看起來與二極管原理強調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝堋?..
TVS全稱是Transient Voltage Suppressor(瞬態(tài)電壓抑制器)。當(dāng)TVS兩端經(jīng)受瞬間的高壓時，它能以極高的速度(P秒級)使其迅速降低。在此過程中，TVS會流過一個大電流，并將其兩端的電壓鉗位在一個特定的數(shù)值上，以保護后面的器件免受高壓沖擊而損壞。...
大多數(shù)用于傳播信號的波形是方波，可以理解為多個奇次諧波分量組成，諧波分量越多，波形越接近方波。...
美國國防部高級研究計劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進入第三波材料技術(shù)浪潮。這個時代將看到由不同材料組合制造的器件。...
下圖是使用N JFET和負(fù)電源（V1=-15V）搭建的放大電路。基本電路架構(gòu)是一致的。和前面講到的正電源放大電路的主要區(qū)別是正電源變?yōu)镚ND，GND變?yōu)樨?fù)電源。外圍器件參數(shù)不變，放大倍數(shù)仍舊是3倍。...
MSPM0L系列的OPA是一個軌到軌輸入輸出的可編程運算放大器，最大為32x,可以軟件配置為零漂移斬波放大器以提高精度和漂移性能，有專門優(yōu)化的輸入管腳的型號可以達(dá)到10pA的輸入偏置電流，標(biāo)準(zhǔn)模式為6MHz帶寬，低功耗模式下帶寬為1MHz，電流100uA。...
這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時候我們發(fā)現(xiàn)stb分析（β=1）的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大，且兩者的零極點位置、裕度等可能大有不同。探究造成該問題的原因，很有可能是我們在AC開環(huán)分析時沒有計入反饋元件和輸入級寄生電容的影響。...
我們都知道，全差分運放一般都有共模反饋電路（CMFB）,它的目的是穩(wěn)定對稱兩點位置的共模電位。CMFB一般也是通過負(fù)反饋方式來穩(wěn)定共模點的，所以和主運放追求環(huán)路穩(wěn)定性一樣，CMFB環(huán)路也要考慮環(huán)路的穩(wěn)定性。...
前段時間一直在負(fù)責(zé)某個項目的debug工作，其中一個問題的核心原因是接收電路的輸入失調(diào)電壓過大造成，該接收電路是以op為核心器件構(gòu)建的信號鏈電路，負(fù)責(zé)對信號進行放大、均衡等。這次debug經(jīng)歷讓我對失調(diào)有更深入的理解之外，也讓我認(rèn)識到自己到失調(diào)知識的理解是碎片化的，因此這篇文章主要目的是梳理一下個人...
單相全橋整流器的輸入是單相交流電源，輸出是直流電壓，采用雙閉環(huán)控制方式。外環(huán)為直流電壓的控制回路，用來控制輸出電壓的穩(wěn)定，內(nèi)環(huán)為電感電流回路，用來調(diào)整輸入電壓與輸入電流同相位，達(dá)到單位功率因數(shù)的效果。...
階段1(0—t1)，在t=0時刻，開關(guān)S動作，lGBT開始關(guān)斷，柵極通過RG開始放電，VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少，但是由于感性負(fù)載的存在，通過抽取N基區(qū)中多余的電子和空穴來抑制IC的減小。...
階段2(tl—t2)：在t1時刻，VGE>Vth，溝道開啟，電子開始通過溝道注入到基區(qū)，同時背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴，集電極開始產(chǎn)生電流IC，此時IC<IL，隨著溝道開啟程度的增加，IC逐漸增大。...
階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。...
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