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本文是關(guān)于兩個MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。...
數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)將數(shù)字(用于計算機,如微控制器)轉(zhuǎn)換為模擬電壓。它們與模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)相反。數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)有兩種主要類型:二進制加權(quán)和R-2R...
根據(jù)具體的穩(wěn)壓電路,合理選擇穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ和最大工作電流IZM。例如,在圖5-21所示的簡單并聯(lián)穩(wěn)壓電路中,輸出電壓就是穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓。當(dāng)負(fù)載開路時,流過穩(wěn)壓管的電流達(dá)到最大,這個電流應(yīng)小于穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZM,一般使穩(wěn)壓管的實際工作電流為0.5 IZM左右。例如制作一個晶體管收音機...
我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。...
集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic,這看起來與二極管原理強調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝堋?..
TVS全稱是Transient Voltage Suppressor(瞬態(tài)電壓抑制器)。當(dāng)TVS兩端經(jīng)受瞬間的高壓時,它能以極高的速度(P秒級)使其迅速降低。在此過程中,TVS會流過一個大電流,并將其兩端的電壓鉗位在一個特定的數(shù)值上,以保護后面的器件免受高壓沖擊而損壞。...
大多數(shù)用于傳播信號的波形是方波,可以理解為多個奇次諧波分量組成,諧波分量越多,波形越接近方波。...
美國國防部高級研究計劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示,化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進入第三波材料技術(shù)浪潮。這個時代將看到由不同材料組合制造的器件。...
下圖是使用N JFET和負(fù)電源(V1=-15V)搭建的放大電路。基本電路架構(gòu)是一致的。和前面講到的正電源放大電路的主要區(qū)別是正電源變?yōu)镚ND,GND變?yōu)樨?fù)電源。外圍器件參數(shù)不變,放大倍數(shù)仍舊是3倍。...
MSPM0L系列的OPA是一個軌到軌輸入輸出的可編程運算放大器,最大為32x,可以軟件配置為零漂移斬波放大器以提高精度和漂移性能,有專門優(yōu)化的輸入管腳的型號可以達(dá)到10pA的輸入偏置電流,標(biāo)準(zhǔn)模式為6MHz帶寬,低功耗模式下帶寬為1MHz,電流100uA。...
這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時候我們發(fā)現(xiàn)stb分析(β=1)的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大,且兩者的零極點位置、裕度等可能大有不同。探究造成該問題的原因,很有可能是我們在AC開環(huán)分析時沒有計入反饋元件和輸入級寄生電容的影響。...
我們都知道,全差分運放一般都有共模反饋電路(CMFB),它的目的是穩(wěn)定對稱兩點位置的共模電位。CMFB一般也是通過負(fù)反饋方式來穩(wěn)定共模點的,所以和主運放追求環(huán)路穩(wěn)定性一樣,CMFB環(huán)路也要考慮環(huán)路的穩(wěn)定性。...
前段時間一直在負(fù)責(zé)某個項目的debug工作,其中一個問題的核心原因是接收電路的輸入失調(diào)電壓過大造成,該接收電路是以op為核心器件構(gòu)建的信號鏈電路,負(fù)責(zé)對信號進行放大、均衡等。這次debug經(jīng)歷讓我對失調(diào)有更深入的理解之外,也讓我認(rèn)識到自己到失調(diào)知識的理解是碎片化的,因此這篇文章主要目的是梳理一下個人...
單相全橋整流器的輸入是單相交流電源,輸出是直流電壓,采用雙閉環(huán)控制方式。外環(huán)為直流電壓的控制回路,用來控制輸出電壓的穩(wěn)定,內(nèi)環(huán)為電感電流回路,用來調(diào)整輸入電壓與輸入電流同相位,達(dá)到單位功率因數(shù)的效果。...
階段1(0—t1),在t=0時刻,開關(guān)S動作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)載的存在,通過抽取N基區(qū)中多余的電子和空穴來抑制IC的減小。...
階段2(tl—t2):在t1時刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區(qū),同時背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流IC,此時IC<IL,隨著溝道開啟程度的增加,IC逐漸增大。...
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開始對柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開啟。...